用于高压处理腔室的气体输送系统技术方案

一种高压处理系统，用于处理基板上的层，所述系统包括：第一腔室；支撑件，支撑件用于将基板保持于第一腔室中；第二腔室，第二腔室邻近第一腔室；前级管道，前级管道用于从第二腔室移除气体；真空处理系统，真空处理系统经配置以将第二腔室内的压力降低至接近真空；阀组件，阀组件位于第一腔室与第二腔室之间，用于将第一腔室内的压力与第二腔室内的压力隔离；气体输送系统，气体输送系统经配置以在第一腔室与第二腔室隔离的同时将第一腔室内的压力提升至至少10个大气压；排气系统，排气系统包括排气线以从第一腔室移除气体；和共同外壳，共同外壳围绕第一气体输送模块和第二气体输送模块两者。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于高压处理腔室的气体输送系统
本专利技术涉及用于集成电路制造的高压处理腔室。
技术介绍
微电子电路和其他微型装置通常由基板制成，诸如硅基板或其他半导体材料的基板。在基板上施加多个金属层，以形成微电子部件或其他微型部件，或提供电气连接。这些金属层(例如铜)被由一系列的光刻、镀覆、蚀刻、抛光或其他操作镀覆到基板上并形成部件和互连。为了获得所需的材料性质，基板通常经过退火工艺，其中基板通常被快速加热至约200-500℃。基板可在一段相对较短的时间，例如60-300秒内被保持在这些温度下。基板随后被快速冷却，而整体工艺通常仅需要数分钟。退火可用于改变基板上的材料层性质。退火亦可用于活性化掺杂剂、在基板上的膜之间驱动掺杂剂、改变膜对膜界面或膜对基板界面、使经沉积的膜致密化、或修复离子注入(ionimplantation)所造成的损害。随着微电子装置和互连的特征结构(feature)尺寸缩小，可允许的缺陷率大大地降低。一些缺陷来自污染物颗粒。其他缺陷可来自基板的某些区域的不完全处理，例如没有在沟槽底部长成膜。过去已使用了各种退火腔本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于处理基板上的层的高压处理系统，所述系统包括：/n第一腔室；/n支撑件，所述支撑件用于将所述基板保持于所述第一腔室中；/n第二腔室，所述第二腔室邻近所述第一腔室；/n前级管道，所述前级管道用于从所述第二腔室移除气体；/n真空处理系统，所述真空处理系统经配置以将所述第二腔室内的压力降低至接近真空；/n阀组件，所述阀组件位于所述第一腔室与所述第二腔室之间，用于将所述第一腔室内的压力与所述第二腔室内的压力隔离；/n气体输送系统，所述气体输送系统经配置以将一种或更多种气体引入所述第一腔室，并在所述气体位于所述第一腔室中的同时且在所述第一腔室与所述第二腔室隔离的同时将所述第一腔室内的压力提升至...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171111 US 62/584,7941.一种用于处理基板上的层的高压处理系统，所述系统包括：
第一腔室；
支撑件，所述支撑件用于将所述基板保持于所述第一腔室中；
第二腔室，所述第二腔室邻近所述第一腔室；
前级管道，所述前级管道用于从所述第二腔室移除气体；
真空处理系统，所述真空处理系统经配置以将所述第二腔室内的压力降低至接近真空；
阀组件，所述阀组件位于所述第一腔室与所述第二腔室之间，用于将所述第一腔室内的压力与所述第二腔室内的压力隔离；
气体输送系统，所述气体输送系统经配置以将一种或更多种气体引入所述第一腔室，并在所述气体位于所述第一腔室中的同时且在所述第一腔室与所述第二腔室隔离的同时将所述第一腔室内的压力提升至至少10个大气压，所述气体输送系统包括：
第一气体输送模块，所述第一气体输送模块用于在第一压力下输送第一气体，所述第一压力为至少10个大气压；和
第二气体输送模块，所述第二气体输送模块用于在第二压力下输送所述第一气体或具有不同成分的第二气体，所述第二压力小于所述第一压力但大于1个大气压；
控制器，所述控制器经配置以操作所述气体输送系统和所述阀组件；
排气系统，所述排气系统包括排气线以从所述第一腔室移除气体；和
共同外壳，所述共同外壳围绕所述第一气体输送模块和所述第二气体输送模块两者。


2.如权利要求1所述的系统，所述系统包括第二排气系统，所述第二排气系统经配置以从所述共同外壳移除气体。


3.如权利要求2所述的系统，其中所述第二排气系统经配置以从所述外壳引导气体至所述前级管道。


4.如权利要求1所述的系统，所述系统包括第一输送管线和第二输送管线以及包封壳体，所述第一输送管线和所述第二输送管线将所述第一气体输送模块和所述第二气体输送模块耦接至所述第一腔室，所述包封壳体经配置以将从所述第一输送管线和所述第二输送管线泄漏的气体转向至所述前级管道。


5.如权利要求4所述的系统，其中所述共同外壳与所述包封壳体流体性地隔离。


6.一种用于处理基板上的层的高压处理系统，所述系统包括：
第一腔室；
支撑件，所述支撑件用于将所述基板保持于所述第一腔室中；
第二腔室，所述第二腔室邻近所述第一腔室；
前级管道，所述前级管道用于从所述第二腔室移除气体；
真空处理系统，所述真空处理系统经配置以将所述第二腔室内的压力降低至接近真空；
阀组件，所述阀组件位于所述第一腔室与所述第二腔室之间，用于将所述第一腔室内的压力与所述第二腔室内的压力隔离；
气体输送系统，所述气体输送系统经配置以将一种或更多种气体引入所述第一腔室，并在所述气体位于所述第一腔室中的同时且在所述第一腔室与所述第二腔室隔离的同时将所述第一腔室内的压力提升至至少10个大气压，所述气体输送系统包括：
第一气体输送模块，所述第一气体输送模块用于在第一压力下输送第一气体，所述第一压力为至少10个大气压；和
第二气体输送模块，所述第二气体输送模块用于在第二压力下输送所述第一气体或具有不同成分的第二气体，所述第二压力小于所述第一压力但大于1个大气压；
排气系统...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁奇伟，斯里尼瓦斯·D·内曼尼，肖恩·S·康，阿迪卜·汗，怡利·Y·叶，
申请(专利权)人：微材料有限责任公司，
类型：发明
国别省市：美国;US