湿蚀刻系统操作方法、用其形成器件的方法及湿蚀刻系统技术方案

本发明专利技术提供一种湿蚀刻系统操作方法、利用其形成半导体器件的方法和湿蚀刻系统，其中该湿蚀刻系统操作方法包括：提供具有第N蚀刻溶液的蚀刻装置；将第N批基板装载到蚀刻装置中并执行第N蚀刻工艺；排出第N蚀刻溶液中的一些；用从连接到蚀刻装置的供给装置供应的第(N+1)蚀刻溶液再填充蚀刻装置；以及将第(N+1)批基板装载到蚀刻装置中并执行第(N+1)蚀刻工艺，其中第(N+1)蚀刻溶液具有在第(N+1)蚀刻工艺的温度管理范围内或高于该温度管理范围的温度，以及其中第(N+1)蚀刻溶液具有在第(N+1)蚀刻工艺的浓度管理范围内或高于该浓度管理范围的浓度，N是正整数。

【技术实现步骤摘要】
湿蚀刻系统操作方法、用其形成器件的方法及湿蚀刻系统
与示例实施方式一致的方法和系统涉及湿蚀刻系统操作方法及其相关系统。
技术介绍
在湿蚀刻工艺中使用的蚀刻溶液具有根据浓度和温度而变化的蚀刻速率。需要相当长的工艺准备时间来升高蚀刻溶液的温度并调整蚀刻溶液的浓度。已经进行各种研究以缩短工艺准备时间。
技术实现思路
根据示例实施方式，提供一种湿蚀刻系统操作方法，其包括提供具有第N蚀刻溶液的蚀刻装置。将第N批基板装载到蚀刻装置中，并执行第N蚀刻工艺。排出第N蚀刻溶液中的一些，并且用从连接到蚀刻装置的供给装置供应的第(N+1)蚀刻溶液再填充蚀刻装置。将第(N+1)批基板装载到蚀刻装置中并执行第(N+1)蚀刻工艺。第(N+1)蚀刻溶液具有在第(N+1)蚀刻工艺的温度管理范围内或高于该温度管理范围的温度。第(N+1)蚀刻溶液具有在第(N+1)蚀刻工艺的浓度管理范围内或高于该浓度管理范围的浓度。这里，N是正整数。根据示例实施方式，提供一种湿蚀刻系统操作方法，其包括排出蚀刻装置中包括的第一蚀刻溶液的全部。从连接到蚀刻装置的供给装置供应本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种湿蚀刻系统操作方法，包括：/n提供具有第N蚀刻溶液的蚀刻装置；/n将第N批基板装载到所述蚀刻装置中并执行第N蚀刻工艺；/n排出所述第N蚀刻溶液中的一些；/n用从连接到所述蚀刻装置的供给装置供应的第(N+1)蚀刻溶液再填充所述蚀刻装置；以及/n将第(N+1)批基板装载到所述蚀刻装置中并执行第(N+1)蚀刻工艺，/n其中所述第(N+1)蚀刻溶液具有在所述第(N+1)蚀刻工艺的温度管理范围内或高于该温度管理范围的温度，以及/n其中所述第(N+1)蚀刻溶液具有在所述第(N+1)蚀刻工艺的浓度管理范围内或高于该浓度管理范围的浓度，N是正整数。/n

【技术特征摘要】
20181221 KR 10-2018-01668731.一种湿蚀刻系统操作方法，包括：
提供具有第N蚀刻溶液的蚀刻装置；
将第N批基板装载到所述蚀刻装置中并执行第N蚀刻工艺；
排出所述第N蚀刻溶液中的一些；
用从连接到所述蚀刻装置的供给装置供应的第(N+1)蚀刻溶液再填充所述蚀刻装置；以及
将第(N+1)批基板装载到所述蚀刻装置中并执行第(N+1)蚀刻工艺，
其中所述第(N+1)蚀刻溶液具有在所述第(N+1)蚀刻工艺的温度管理范围内或高于该温度管理范围的温度，以及
其中所述第(N+1)蚀刻溶液具有在所述第(N+1)蚀刻工艺的浓度管理范围内或高于该浓度管理范围的浓度，N是正整数。


2.根据权利要求1所述的湿蚀刻系统操作方法，其中：
被排出的第N蚀刻溶液的量在所述第N蚀刻溶液的5％至50％的范围内；以及
被供给以再填充所述蚀刻装置的所述第(N+1)蚀刻溶液的量基本上等于被排出的第N蚀刻溶液的量。


3.根据权利要求1所述的湿蚀刻系统操作方法，其中从所述供给装置供应以再填充所述蚀刻装置的所述第(N+1)蚀刻溶液具有比所述第(N+1)蚀刻工艺的所述温度管理范围的中值高的温度。


4.根据权利要求1所述的湿蚀刻系统操作方法，其中从所述供给装置供应以再填充所述蚀刻装置的所述第(N+1)蚀刻溶液包含至少一种化学物质和水，所述至少一种化学物质具有在所述第(N+1)蚀刻工艺的所述浓度管理范围内或高于该浓度管理范围的重量比。


5.根据权利要求4所述的湿蚀刻系统操作方法，其中所述至少一种化学物质的所述重量比高于所述第(N+1)蚀刻工艺的所述浓度管理范围的中值。


6.根据权利要求4所述的湿蚀刻系统操作方法，其中从所述供给装置供应以再填充所述蚀刻装置的所述第(N+1)蚀刻溶液中的所述至少一种化学物质的所述重量比高于所述第N蚀刻溶液中的对应的化学物质的重量比。


7.根据权利要求4所述的湿蚀刻系统操作方法，其中：
所述至少一种化学物质包括磷酸(H3PO4)；
所述第(N+1)蚀刻工艺的所述温度管理范围为160℃至170℃；以及
从所述供给装置供应以再填充所述蚀刻装置的所述第(N+1)蚀刻溶液具有160℃至180℃的温度。


8.根据权利要求7所述的湿蚀刻系统操作方法，其中从所述供给装置供应以再填充所述蚀刻装置的所述第(N+1)蚀刻溶液的温度在从165℃至180℃的范围内。


9.根据权利要求7所述的湿蚀刻系统操作方法，其中：
所述第(N+1)蚀刻工艺中的磷酸(H3PO4)的所述浓度管理范围在从88wt％至95wt％的范围内；以及
从所述供给装置供应以再填充所述蚀刻装置的所述第(N+1)蚀刻溶液中的磷酸(H3PO4)的重量比在从88wt％至98wt％的范围内。


10.根据权利要求9所述的湿蚀刻系统操作方法，其中从所述供给装置供应以再填充所述蚀刻装置的所述第(N+1)蚀刻溶液中的磷酸(H3PO4)的重量比在从92wt％至98wt％的范围内。


11.根据权利要求9所述的湿蚀刻系统操作方法，其中从所述供给装置供应以再填充所述蚀刻装置的所述第(N+1)蚀刻溶液中的磷酸(H3PO4)的重量比高于所述第N蚀刻溶液中的磷酸(H3PO4)的重量比。


12.根据权利要求1所述的湿蚀刻系统操作方法，其中所述蚀刻装置包括：
蚀刻槽；
循环管线，连接到所述蚀刻槽；
内部加热器，连接到所述循环管线，使得所述第N蚀刻溶液和所述第(N+1)蚀刻溶液分别在所述第N蚀刻工艺和所述第(N+1)蚀刻工艺的温度管理范围内循环到所述蚀刻槽；以及
排出管线，连接到所述蚀刻槽。


13.一种形成半导体器件的方法，该方法包括：
形成堆叠结构，该堆叠结构具有在权利要求1的所述第(N+1)批基板的每个的一个表面上交替地堆叠的多个模层和多个牺牲层；
形成沟槽，所述沟槽穿过所述堆叠结构，并将所述模层和所述多个牺牲层的侧表面暴露于所述沟槽的侧壁；
通过执行权利要求1的所述第(N+1)蚀刻工艺，去除所述多个牺牲层以在所述多个模层之间形...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁相勋，高镛璇，DH金，金台宪，文彰燮，沈雨宽，梁准烈，车世浩，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR