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本发明提供一种湿蚀刻系统操作方法、利用其形成半导体器件的方法和湿蚀刻系统，其中该湿蚀刻系统操作方法包括：提供具有第N蚀刻溶液的蚀刻装置；将第N批基板装载到蚀刻装置中并执行第N蚀刻工艺；排出第N蚀刻溶液中的一些；用从连接到蚀刻装置的供给装置供...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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