【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳能电池扩散
，具体涉及一种晶体硅太阳能电池双扩散工 艺。
技术介绍
太阳能电池的本质是一个光转化为电的器件，其核心部分是一个PN结，所以制成 性能优异的PN结是太阳能电池制作的关键。不同类型的太阳电池的制作PN结的方法不同，目前晶硅电池的PN结制作主要有 两种方法1、管式扩散炉中完成，通过氮气携带磷源在P型硅表面通过掺杂P形成N型区， 从而形成PN结；2、在链式扩散炉中完成，在P型硅表面喷(涂)磷酸，经过高温处理，形成PN 结。从扩散质量(扩散的均勻性、方块电阻的控制等)上来看，目前第一种方法更优异，被绝 大部分制造商所采用。目前，晶硅太阳电池的管式扩散普遍采用一次扩散完成。采用一次扩散，原料的消 耗量会小一点，但是一次扩散形成的PN结掺杂浓度的变化比较缓，也就是说只能形成一个 PN结，不利于进一步提高电池的开路电压。当前，薄膜电池的叠层电池已经做到双结甚至三结电池，这大大提高了电池的开 路电压。同样，晶硅电池我们也可以通过一定的方法处理，在电池受光面得到类似于薄膜双 结的电池，这在一定程度上也会提高开路电压，从而达到提高电池片效率的目的...
【技术保护点】
一种晶体硅太阳能电池双扩散工艺，其特征在于，包括以下步骤：第一步扩散：硅片放入石英管，（１）在温度８２０℃－８４０℃条件下通入５－８ｓｌｍ Ｎ↓［２］和１．０－１．５ｓｌｍ Ｏ↓［２］，时间２－３ｍｉｎ，形成１５－３０ｎｍ的ＳｉＯ↓［２］的氧化层；（２）升温到８４５℃－８６０℃，通入Ｎ↓［２］ ８－１０ｓｌｍ、Ｎ↓［２］－ＰＯＣｌ↓［３］ ０．８－１．０ｓｌｍ、Ｏ↓［２］ ０．８－１．２ｓｌｍ的混合气体进行沉积，时间３．０－８．０ｍｉｎ；（３）升温到９００－１０００℃，通入８－１３ｓｌｍ的Ｎ↓［２］进行推进，时间２０－７０ ｍｉｎ；第二步扩散：（１）降温到８４０℃－８７０℃...
【技术特征摘要】
一种晶体硅太阳能电池双扩散工艺，其特征在于，包括以下步骤第一步扩散硅片放入石英管，(1)在温度820℃ 840℃条件下通入5 8slm N2和1.0 1.5slm O2，时间2 3min，形成15 30nm的SiO2的氧化层；(2)升温到845℃ 860℃，通入N2 8 10slm、N2 POCl3 0.8 1.0slm、O2 0.8 1.2slm的混合气体进行沉积，时间3.0 8.0min；(3)升温到900 1000℃，通入8 13slm的N2进行推进，时间20 70 min；第二步扩散(1)降温到840℃ 870℃，通入N2 8 10slm、N2 POCl3 0.8 1.0slm、O2 0.8 1.2slm的混合气体进行沉积，时间10 15min；(2)升温到870℃ 950℃，通入8 1...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘鹏，姜言森，李玉花，杨青天，程亮，刘斌贤，孙晨曦，
申请(专利权)人：山东力诺太阳能电力股份有限公司，
类型：发明
国别省市：88[]
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