下载一种晶体硅太阳能电池双扩散工艺的技术资料

文档序号:4107564

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本发明涉及太阳能电池扩散技术领域,具体涉及一种晶体硅太阳能电池双扩散工艺。本发明采用两次扩散步骤,可得到类似双结的N+-N-P的结构,可以提高开路电压0.03-0.08V,可以提高电池片效率2%-5%。...
该专利属于山东力诺太阳能电力股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过山东力诺太阳能电力股份有限公司授权不得商用。

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