一种太阳电池硅片的表面织构方法技术

本发明专利技术公开了一种太阳电池硅片的表面织构方法，包括如下步骤：利用低成本的化学法制备均匀的纳米级银颗粒溶液；去除硅片表面损伤层，并对硅片进行预织构；将纳米级银颗粒溶液均匀涂覆在经预织构处理的硅片上，干燥；将得到的硅片浸泡在由双氧水、氢氟酸和无水乙酸组成的混合溶液中３０ｓ～１０ｍｉｎ；再浸泡在质量百分比浓度为４０％～６０％的硝酸中１～１０ｍｉｎ，并用去离子水清洗，得到了表面反射率很低的硅片。本发明专利技术工艺流程简单可行，成本低能耗低，重复性好、可移植性好并且产出高，具有较好的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于太阳能电池领域，尤其涉及一种太阳电池(又称太阳能电池)硅片的 表面织构方法。
技术介绍
人类面临严重的能源危机，对能源的使用也在从石油等化石能源向可再生能源的 转变。太阳能是一种分布广泛，用之不竭的清洁能源，应用前景比较光明。太阳电池一种将 太阳能转化为电能的半导体器件，但目前占据光伏市场大半份额的硅太阳电池光电转换效 率还不高，这严重影响了太阳能的推广普及。对于硅材料而言，由于其表面对于可见光具有高达40%的反射率，太阳光照射到 硅太阳电池表面时，很大一部分的光都被反射了，硅的这种天然属性降低了硅太阳电池的 光电转换效率。对于单晶硅片，目前工业上使用了硅片表面织构的技术，这种技术是将3% 左右的强碱溶液与硅反应，利用碱对不同晶向的硅反应速率差异较大的特点，在硅片表面 形成金字塔结构。这种技术能将硅片的表面反射率降至16%左右。而对于多晶硅片，由于 硅片中各晶粒的取向没有固定规律，无法采用像单晶那样的碱织构工艺，一般的酸织构法 仅能将反射率降低到20%左右。然而，对于太阳电池而言，16% -20%的反射率仍然很高。 如果能将反射率降低到5%以下，电池的绝对效率将会提高本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳电池硅片的表面织构方法，其特征在于，包括如下步骤：（１）制备纳米级银颗粒溶液，所述的银颗粒的平均尺寸为５～５０ｎｍ；（２）去除硅片表面损伤层，并对硅片进行预织构，得到预织构硅片；（３）将步骤（１）制得的纳米级银颗粒溶液均匀涂覆在步骤（２）得到的预织构硅片上，干燥；其中，涂覆的厚度为０．１～１ｍｍ，干燥温度为８０～１００℃；（４）将步骤（３）制得的产物浸泡在由双氧水溶液、氢氟酸溶液和无水乙酸组成的混合溶液中３０ｓ～１０ｍｉｎ，双氧水溶液与氢氟酸溶液体积比为１∶０．２～１∶２，氢氟酸溶液与无水乙酸体积比为１∶１００～１∶１；其中，双氧水溶液的质量百分比浓度为２５－３５％，氢氟酸溶液的质量百...

【技术特征摘要】
一种太阳电池硅片的表面织构方法，其特征在于，包括如下步骤(1)制备纳米级银颗粒溶液，所述的银颗粒的平均尺寸为5～50nm；(2)去除硅片表面损伤层，并对硅片进行预织构，得到预织构硅片；(3)将步骤(1)制得的纳米级银颗粒溶液均匀涂覆在步骤(2)得到的预织构硅片上，干燥；其中，涂覆的厚度为0.1～1mm，干燥温度为80～100℃；(4)将步骤(3)制得的产物浸泡在由双氧水溶液、氢氟酸溶液和无水乙酸组成的混合溶液中30s～10min，双氧水溶液与氢氟酸溶液体积比为1∶0.2～1∶2，氢氟酸溶液与无水乙酸体积比为1∶100～1∶1；其中，双氧水溶液的质量百分比浓度为25 35％，氢氟酸溶液的质量百分比浓度为35 45％；(5)将步骤(4)得到的产物浸泡在质量百分比浓度为40％～60％的硝酸中1～10min，并用去离子水清洗。2.如权利要求1所述的太阳电池硅片的表面织构方法，其特征在于，步骤(1)中，所述 的银颗粒的平均尺寸为5 25nm。3.如权利要求1所述的太阳电池硅片的表面织构方法，其特征在于，所述的纳米级银 颗粒溶液由硝酸银与乙二醇反应制得，硝酸银与乙二醇质量比为1 1000 1 50，反应 温度为25 150°C。4.如权利要求3所述的太阳电池硅片的表面织构方法，其特征在于，在硝酸银与乙 二醇反应中添加聚乙烯吡咯烷酮或聚醚酰亚胺，聚乙烯吡咯烷酮与硝酸银的质量比为 6 1 3 1，聚醚酰亚胺与硝酸银的质量比为6 1 3 1。5.如权利要求1所述的太阳电池硅片的表面织构方法，其特征在于，所述的硅片为单 晶硅片或是多晶硅片。6.如权利要求1所述的太阳电池硅片的表面织构方法，其特征在于，所述的硅片为单 晶硅片时，步骤(2)采取以下的方法使用碱溶液去除硅片表面损伤层，所述的碱为强碱，碱溶液中碱的质量百分比浓度为 8% 25%，腐蚀时间为5 20mi...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨德仁，顾鑫，余学功，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：86[中国|杭州]