【技术实现步骤摘要】
本揭露有关于半导体结构与形成半导体结构的方法。
技术介绍
1、在半导体
中，能够使用垂直的接面场效应晶体管作为功率元件。如何降低晶体管中源极与漏极之间等效的导通电阻，是所属领域技术人员所欲解决的课题之一。然而，在许多降低晶体管导通电阻的技术方案，往往一并降低晶体管的耐压能力。这导致非预期设计的电流路径产生，产生非预期的漏电流。此外，许多降低晶体管的导通电阻的技术方案，也可能会使得晶体管在空间中所占据的体积增加。
2、因此，如何提供一种解决方案，能够减少晶体管的导通电阻，并且有效避免预期的漏电流，而不增加晶体管在空间中所占据的体积，是所属领域技术人员所欲解决的问题之一。
技术实现思路
1、本揭露的一态样有关于一种形成半导体结构的方法。
2、根据本揭露的一或多个实施方式，一种形成半导体结构的方法包括以下流程。形成半导体磊晶层于第一半导体基板上。覆盖粘着层在半导体磊晶层的第一侧。通过覆盖半导体磊晶层的第一侧的粘着层将半导体磊晶层的第一侧固定在转移基板上。通过转移基板翻转半导体磊晶层与第一半导体基板。移除第一半导体基板，以暴露半导体磊晶层相对第一侧的第二侧。在半导体磊晶层的第二侧形成第一掺杂区。在形成第一掺杂区之后，移除粘着层与转移基板。
3、在本揭露的一或多个实施方式中，形成半导体结构的方法进一步包括以下流程。在覆盖粘着层之前或在移除粘着层与转移基板之后，于半导体磊晶层的第一侧形成第二掺杂区。
4、在本揭露的一或多个实施方式中，形成半
5、在一些实施方式中，形成第一掺杂区进一步包括以下流程。形成从半导体磊晶层的第二侧凹陷且对准第一凹槽的第二凹槽。形成第一掺杂区于第二凹槽内。
6、本揭露的一态样有关于一种形成半导体结构的方法。
7、根据本揭露的一或多个实施方式，一种形成半导体结构的方法包括以下流程。形成半导体磊晶层于第一半导体基板上。形成第一凹槽于半导体磊晶层的第一侧。形成栅极结构于半导体磊晶层的第一凹槽内。形成第一源极/漏极掺杂区于半导体磊晶层在第一凹槽以外的第一侧上。形成粘着层覆盖半导体磊晶层的第一侧。通过粘着层将半导体磊晶层的第一侧固定在转移基板上。通过转移基板翻转半导体磊晶层与第一半导体基板。移除第一半导体基板以暴露半导体磊晶层相对第一侧的第二侧。形成对准栅极结构凹陷的第二凹槽于半导体磊晶层的第二侧。形成第二源极/漏极掺杂区于对准栅极结构的凹槽，其中第一源极/漏极掺杂区、栅极结构与第二源极/漏极掺杂区形成晶体管。在晶体管形成之后，移除粘着层与转移基板。
8、在本揭露的一或多个实施方式中，形成半导体结构的方法进一步包括以下流程。填充导电层于第二凹槽。接合第二半导体基板至导电层。形成金属层于第二半导体基板上。
9、在本揭露的一或多个实施方式中，形成第一源极/漏极掺杂区进一步包括以下流程。形成半导体阱于第一凹槽以外的半导体磊晶层的第一侧上。形成具有第一半导体类型的第一子掺杂区与具有第二半导体类型的第二子掺杂区于半导体阱，其中第一半导体类型不同于第二半导体类型。
10、本揭露的一态样有关于一种半导体结构。
11、根据本揭露的一或多个实施方式，一种半导体结构包括半导体基板、半导体磊晶层、第一凹槽、栅极结构、第一源极/漏极掺杂区、第二凹槽以及第二源极/漏极掺杂区。半导体磊晶层包括相对的第一侧与第二侧。半导体磊晶层的第二侧连接半导体基板。第一凹槽从半导体磊晶层的第一侧凹陷。栅极结构位于第一凹槽内。第一源极/漏极掺杂区位于半导体磊晶层的第一侧且与栅极结构相接触。第二凹槽从半导体磊晶层的第二侧凹陷。第二凹槽对准第一凹槽。第二源极/漏极掺杂区位于第二凹槽内。
12、在本揭露的一或多个实施方式中，第一漏极/源极掺杂区进一步包括半导体阱、第一子掺杂区与第二子掺杂区。半导体阱位于第一凹槽以外的半导体磊晶层的第一侧。第一子掺杂区与第二子掺杂区位于半导体阱内并分别具有第一半导体类型与第二半导体类型。第一半导体类型不同于第二半导体类型。第一子掺杂区与第二子掺杂区的其中一者接触栅极结构。
13、在本揭露的一或多个实施方式中，半导体结构进一步包括导电层与金属层。导电层连接于第二漏极/源极掺杂区与半导体基板之间。导电层填充第二凹槽。金属层位于半导体基板下方。半导体基板位于半导体磊晶层与金属层之间。
14、综上所述，半导体结构中晶体管的导通电阻能够减少，且不太会变动到半导体结构其他位置的耐受电压特性。通过在半导体工艺中设置转移基板，将能够有弹性地对半导体磊晶层的前侧与背侧执行半导体工艺，以形成所需的结构。
15、以上所述仅用以阐述本揭露所欲解决的问题、解决问题的技术手段、及其产生的功效等等，本揭露的具体细节将在下文的实施方式及相关附图中详细介绍。
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1.一种形成半导体结构的方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，形成该第一掺杂区进一步包括：
5.一种形成半导体结构的方法，其特征在于，包括：
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，进一步包括：
7.如权利要求5或6任一项所述的方法，其特征在于，形成该第一源极/漏极掺杂区包括：
8.一种半导体结构，其特征在于，包括：
9.如权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，该第一漏极/源极掺杂区进一步包括：
10.如权利要求8或9任一项所述的半导体结构，其特征在于，进一步包括：
【技术特征摘要】
1.一种形成半导体结构的方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，形成该第一掺杂区进一步包括：
5.一种形成半导体结构的方法，其特征在于，包括：
6.如权利要求5所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：李佑祖，陈彦儒，刘良明，蒋光浩，
申请(专利权)人：鸿扬半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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