【技术实现步骤摘要】
本专利技术的一些实施方式是关于一种半导体装置。
技术介绍
1、在功率模块中，有时可包含晶体管及一个与晶体管并联的二极管。与晶体管并联的二极管可用于保护整体电路，举例而言，二极管可用于避免功率模块中的晶体管不会同时导通而产生短路。此外，二极管也可用于提高模块效能，举例而言，反向恢复特性可得到大幅提升。
技术实现思路
1、本专利技术的一些实施方式提供一种半导体装置，包含基板、磊晶层、第一阱、源极区、源极触点、基极区与第二阱。磊晶层在基板上。第一阱在磊晶层中。源极区在第一阱中，基板、磊晶层与源极区为包含具有第一半导体型的多个掺杂物。源极触点贯穿第一阱的底部与源极区的底部，且源极触点的底部低于第一阱的底部。基极区包覆源极触点的侧壁。第二阱包覆基极区，第一阱、基极区与第二阱为包含具有第二半导体型的多个掺杂物，第二半导体型不同于第一半导体型且基极区的掺杂浓度高于第一阱的掺杂浓度与第二阱的掺杂浓度。
2、在一些实施方式中，基极区将源极触点的下部分与源极区分隔。
3、在一些实施方式中，第二阱将基极区与源极区分隔。
4、在一些实施方式中，基极区的与底部低于第一阱的底部。
5、在一些实施方式中，第二阱较第一阱靠近基板。
6、本专利技术的一些实施方式提供一种半导体装置，包含基板、磊晶层、阱、源极区、基极区、源极触点、栅极介电层与栅极层。磊晶层在基板上。阱在磊晶层中。源极区在阱中，基板、磊晶层与源极区为包含具有第一半导体型的多个掺杂物。基极区在源
7、在一些实施方式中，源极触点与源极区位于基极区的相对两侧。
8、在一些实施方式中，源极触点的侧壁的一部分接触阱。
9、在一些实施方式中，源极区不接触源极触点的侧壁。
10、在一些实施方式中，源极触点接触基极区的侧壁与上表面。
11、在本专利技术的一些实施方式中，可通过增加寄生二极管的电流，使得半导体装置中的寄生二极管直接用于保护整体电路与提高整体效能。如此一来，便不需要额外增加二极管于功率模块中，而降低功率模块的制造成本。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其中该基极区将该源极触点的下部分与该源极区分隔。
3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中该第二阱将该基极区与该源极区分隔。
4.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中该基极区的底部低于该第一阱的该底部。
5.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中该第二阱较该第一阱靠近该基板。
6.一种半导体装置，其特征在于，包含：
7.如权利要求6所述的半导体装置，其中该源极触点与该源极区位于该基极区的相对两侧。
8.如权利要求6或7所述的半导体装置，其中该源极触点的侧壁的一部分接触该阱。
9.如权利要求6或7所述的半导体装置，其中该源极区不接触该源极触点的侧壁。
10.如权利要求6或7所述的半导体装置，其中该源极触点接触该基极区的侧壁与上表面。
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其中该基极区将该源极触点的下部分与该源极区分隔。
3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中该第二阱将该基极区与该源极区分隔。
4.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中该基极区的底部低于该第一阱的该底部。
5.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中该第二阱较该第一阱靠近该基板。
<...【专利技术属性】
技术研发人员：陈彦儒，
申请(专利权)人：鸿扬半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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