一种半导体晶圆加工用腔室结构制造技术

本技术公开了一种半导体晶圆加工用腔室结构，其应用于半导体晶圆薄膜沉积处理或退火处理中。上述腔室结构包括壳体、从上至下依次开设在所述壳体内的第三腔室、第二腔室和第一腔室、用于冷却第一腔室的冷却组件、用于加热所述第二腔室的加热组件I、用于加热所述第三腔室的加热组件II、固定安装在所述壳体上的两组保温层、位于所述壳体下方的垂直传送机构、以及固定安装在所述垂直传送机构输出端处的承载装置。其中，所述第二腔室的温度高于第一腔室，低于第三腔室。本技术在一个装置结构中提供不同的反应温度以实现不同的工艺过程，即通过三个腔室来分别实现高温反应、预热及冷却，节约了设备成本，简化了工艺流程。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体加工腔室领域，特别是涉及一种半导体晶圆加工用腔室结构。

技术介绍

1、在半导体氧化工艺或薄膜沉积或退火工艺中，对反应腔室的温度控制至关重要。特别是对直径较大的晶圆时，晶圆的翘曲问题会随温度的变化很明显。例如硅比二氧化硅膨胀更快，当加热时，二氧化硅将硅接成凹面形。快速的加热与冷却使用是晶圆翘曲到不可用的程度。以超过1150℃时，随着温度的升高，翘曲的程度会更高。为了减轻晶圆的翘曲，业界很多是设置不同的反应装置，并且需设置不同的工艺流程，这就造成设备成本过高及工艺流程复杂。

技术实现思路

1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种半导体晶圆加工用腔室结构来在一个装置结构中提供不同的反应温度以实现不同的工艺过程。

2、一种半导体晶圆加工用腔室结构，其包括壳体；

3、所述腔室结构还包括从上至下依次开设在所述壳体内的第三腔室、第二腔室和第一腔室、用于冷却第一腔室的冷却组件、用于加热第二腔室的加热组件i、以及用于加热第三腔室的加热组件ii。

4、上述腔室结构通过集成设置三个腔室来分别实现高温反应、预热及冷却，并可依工艺需求使用不同的腔室，节约了设备成本，简化了半导体加工工艺流程。

5、在其中一个实施例中，所述第三腔室、第二腔室和第一腔室呈垂直分布；其中，所述第二腔室的温度高于第一腔室，低于第三腔室。

6、在其中一个实施例中，所述冷却组件、加热组件i和加热组件ii均固定安装在所述壳体上。

7、进一步地，所述加热组件i和加热组件ii均包括若干组主加热件、布设于相邻两组主加热件之间处的辅加热件。

8、在其中一个实施例中，所述腔室结构还包括固定安装在所述壳体上的两组保温层；所述加热组件i和加热组件ii分别位于两组所述保温层内。

9、进一步地，其中一组所述保温层位于第二腔室内，剩余一组所述保温层位于第三腔室内；

10、位于第三腔室内所述保温层，其厚度大于位于第二腔室内的保温层。

11、在其中一个实施例中，所述腔室结构还包括位于所述壳体下方的垂直传送机构、固定安装在所述垂直传送机构输出端处的承载装置。

12、进一步地，所述第一腔室和第二腔室之间、第二腔室和第三腔室之间均开设有用于通过所述承载装置的通道。

13、再进一步地，所述的承载装置，其上置放有半导体晶圆；所述壳体底部开设有用于通过所述承载装置的开口。

14、在其中一个实施例中，所述承载装置受垂直传送机构作用依次进入第一腔室、第二腔室和第三腔室。

15、与现有技术相比，本技术的有益效果是：可在一个装置结构中提供不同的反应温度以实现不同的工艺过程，即通过三个腔室来分别实现高温反应、预热及冷却，并可依工艺需求使用不同的腔室，节约了设备成本，简化了半导体加工工艺流程。

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【技术保护点】

1.一种半导体晶圆加工用腔室结构，包括壳体(1)；

2.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆加工用腔室结构，其特征在于，所述第三腔室(6)、第二腔室(4)和第一腔室(2)呈垂直分布；

3.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆加工用腔室结构，其特征在于，所述冷却组件(3)、加热组件I(5)和加热组件II(7)均固定安装在所述壳体(1)上。

4.根据权利要求3所述的一种半导体晶圆加工用腔室结构，其特征在于，所述加热组件I(5)和加热组件II(7)均包括若干组主加热件、布设于相邻两组主加热件之间处的辅加热件。

5.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆加工用腔室结构，其特征在于，所述腔室结构还包括固定安装在所述壳体(1)上的两组保温层(8)；

6.根据权利要求5所述的一种半导体晶圆加工用腔室结构，其特征在于，其中一组所述保温层(8)位于第二腔室(4)内，剩余一组所述保温层(8)位于第三腔室(6)内；

7.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆加工用腔室结构，其特征在于，所述腔室结构还包括位于所述壳体(1)下方的垂直传送机构(9)、固定安装在所述垂直传送机构(9)输出端处的承载装置(10)。

8.根据权利要求7所述的一种半导体晶圆加工用腔室结构，其特征在于，所述第一腔室(2)和第二腔室(4)之间、第二腔室(4)和第三腔室(6)之间均开设有用于通过所述承载装置(10)的通道。

9.根据权利要求8所述的一种半导体晶圆加工用腔室结构，其特征在于，所述的承载装置(10)，其上置放有半导体晶圆；

10.根据权利要求9所述的一种半导体晶圆加工用腔室结构，其特征在于，所述承载装置(10)受垂直传送机构(9)作用依次进入第一腔室(2)、第二腔室(4)和第三腔室(6)。

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【技术特征摘要】

1.一种半导体晶圆加工用腔室结构，包括壳体(1)；

2.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆加工用腔室结构，其特征在于，所述第三腔室(6)、第二腔室(4)和第一腔室(2)呈垂直分布；

3.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆加工用腔室结构，其特征在于，所述冷却组件(3)、加热组件i(5)和加热组件ii(7)均固定安装在所述壳体(1)上。

4.根据权利要求3所述的一种半导体晶圆加工用腔室结构，其特征在于，所述加热组件i(5)和加热组件ii(7)均包括若干组主加热件、布设于相邻两组主加热件之间处的辅加热件。

5.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆加工用腔室结构，其特征在于，所述腔室结构还包括固定安装在所述壳体(1)上的两组保温层(8)；

6.根据权利要求5所述的一种半导体晶圆加工用腔室结构，其特征在于，其中一组所述保温层...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑国，杨正平，张俊峰，
申请(专利权)人：上海衍梓智能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：