【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体加工，特别是涉及应用于半导体晶圆反应腔室的隔热保温结构。
技术介绍
1、在半导体氧化工艺或薄膜沉积工艺中，对反应腔室的温度控制至关重要。特别是对直径较大的晶圆时，晶圆的翘曲问题会随温度的变化很明显。例如硅比二氧化硅膨胀更快，当加热时，二氧化硅将硅接成凹面形。快速的加热与冷却使用是晶圆翘曲到不可用的程度。以超过1150℃时，随着温度的升高，翘曲的程度会更高。为了减轻晶圆的翘曲，可以采取温度逐渐升降的方式，即采用不同的腔室实现不同的反应温度，以减轻晶圆的翘曲，但是如何令不同腔室之间封闭以减小热量流失或相互间的干扰是业界需解决的一个问题。业界也有采用隔板阀令相邻反应腔室隔断，但是成本较高，并且结构复杂。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供应用于半导体晶圆反应腔室的隔热保温结构来减小热量流失或相互间的干扰，实现保温功能。
2、应用于半导体晶圆反应腔室的隔热保温结构，反应腔室包括第一腔室、第二腔室、第三腔室和承载装置；其中，所述第一腔室和第二腔室之间、第二腔室和第三腔室之间均开设有通孔；
3、隔热保温结构包括用于支撑所述承载装置的推杆、用于封闭通孔的第一隔热板、第二隔热板、第三隔热板和第四隔热板。
4、在其中一个实施例中，所述第一腔室、第二腔室和第三腔室沿下至上布设，且第一腔室、第二腔室和第三腔室呈垂直分布。
5、在其中一个实施例中，所述第一隔热板、第二隔热板、第三隔热板和第四隔热板沿下至上平行分
6、在其中一个实施例中，所述反应腔室还包括位于第一腔室下方的升降装置，其用于带动所述承载装置作竖向移动；所述的承载装置，其上置放有半导体晶圆。
7、进一步地，所述推杆竖向布设，且推杆固定安装在所述承载装置和升降装置输出端之间。
8、在其中一个实施例中，所述第一隔热板和第二隔热板位于所述承载装置的下方，且推杆与第一隔热板以及第二隔热板垂直固定贯穿连接。
9、在其中一个实施例中，所述隔热保温结构还包括支架，其用于连接固定承载装置、第三隔热板和第四隔热板。
10、在其中一个实施例中，所述第三隔热板位于所述承载装置的上方；所述第四隔热板的纵截面形状为t形，当所述承载装置位于第一腔室内时，所述第四隔热板的台阶下部封闭所述第二腔室和第三腔室之间的通孔。
11、进一步地，所述隔热保温结构还包括拉杆，其用于连接固定所述第三隔热板和第四隔热板。
12、再进一步地，所述拉杆的上端垂直滑动贯穿布设在所述第三腔室顶部处。
13、与现有技术相比，本技术的有益效果是：在半导体晶圆反应处理过程中，无论承载装置位于哪一个腔室，均可进行灵活隔断以使得三个腔室之间处于相互独立的状态，从而减小热量流失或相互间的干扰，实现保温功能。
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1.应用于半导体晶圆反应腔室的隔热保温结构，反应腔室包括第一腔室(1)、第二腔室(2)、第三腔室(3)和承载装置(5)；其中，所述第一腔室(1)和第二腔室(2)之间、第二腔室(2)和第三腔室(3)之间均开设有通孔；
2.根据权利要求1所述的应用于半导体晶圆反应腔室的隔热保温结构，其特征在于，所述第一腔室(1)、第二腔室(2)和第三腔室(3)沿下至上布设，且第一腔室(1)、第二腔室(2)和第三腔室(3)呈垂直分布。
3.根据权利要求1所述的应用于半导体晶圆反应腔室的隔热保温结构，其特征在于，所述第一隔热板(7)、第二隔热板(8)、第三隔热板(9)和第四隔热板(10)沿下至上平行分布。
4.根据权利要求1所述的应用于半导体晶圆反应腔室的隔热保温结构，其特征在于，所述反应腔室还包括位于第一腔室(1)下方的升降装置(4)，其用于带动所述承载装置(5)作竖向移动；
5.根据权利要求4所述的应用于半导体晶圆反应腔室的隔热保温结构，其特征在于，所述推杆(6)竖向布设，且推杆(6)固定安装在所述承载装置(5)和升降装置(4)输出端之间。
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