【技术实现步骤摘要】
本公开的实施例涉及半导体存储器件和包括其的电子系统。更具体地，本公开的实施例涉及包括三维布置的存储单元的半导体存储器件和包括其的电子系统。
技术介绍
1、正在研究能够提高能够存储大量数据的半导体存储器件的数据存储容量的方法。作为提高半导体存储器件的数据存储容量的方法，提出了包括三维布置的存储单元而不是二维布置的存储单元的半导体存储器件。
技术实现思路
1、本专利技术的各方面提供了一种通过向背栅电极施加电压而在沟道层中形成反型层(inversion layer)的半导体存储器件。
2、本专利技术的各方面还提供了一种包括如下半导体存储器件的电子系统：在该半导体存储器件中通过向背栅电极施加电压而在沟道层中形成反型层。
3、根据本专利技术的一些方面，提供了一种半导体存储器件，包括：单元基板，所述单元基板包括彼此相对设置的第一侧和第二侧；多个栅电极，所述多个栅电极顺序地堆叠在所述单元基板的所述第一侧并且在第一方向上延伸；第一沟道结构和第二沟道结构，所述第一沟道结构和所述第二沟道结构在不同于所述第一方向的第二方向上延伸、穿过所述多个栅电极、并且彼此相邻地设置；第一接触，所述第一接触设置所述在第一沟道结构上；第一金属线，所述第一金属线设置在所述第一接触上；第二接触，所述第二接触不同于所述第一接触并且设置在所述第二沟道结构上；以及第二金属线，所述第二金属线不同于所述第一金属线并且设置在所述第二接触上。所述第一沟道结构和所述第二沟道结构均包括：背栅电极，所述背栅电极在所述第二
4、根据本专利技术的一些方面，提供了一种半导体存储器件，包括：单元基板；多个栅电极，所述多个栅电极顺序地堆叠在所述单元基板上并且在第一方向上延伸；第一沟道结构和第二沟道结构，所述第一沟道结构和所述第二沟道结构在不同于所述第一方向的第二方向上延伸并且穿透所述多个栅电极；以及位线，所述位线设置在所述多个栅电极上。所述第一沟道结构和所述第二沟道结构均包括顺序地设置在所述多个栅电极的侧壁上的铁电层、沟道层、栅极绝缘层和背栅电极，并且所述第一沟道结构和所述第二沟道结构在所述第一方向上彼此相邻并且共享位线。
5、根据本专利技术的一些方面，提供了一种电子系统，包括：主板；半导体存储器件，所述半导体存储器件设置在所述主板上；以及控制器，所述控制器电连接到所述半导体存储器件并且设置在所述主板上。所述半导体存储器件包括：单元基板；多个栅电极，所述多个栅电极顺序地堆叠在所述单元基板上并且在第一方向上延伸；以及第一沟道结构和第二沟道结构，所述第一沟道结构和所述第二沟道结构在不同于所述第一方向的第二方向上延伸、穿过所述多个栅电极、并且彼此相邻地设置。所述第一沟道结构和所述第二沟道结构均包括顺序地设置在所述多个栅电极的侧壁上的铁电层、沟道层、栅极绝缘层和背栅电极，并且电压被独立地施加到所述第一沟道结构的所述背栅电极和所述第二沟道结构的所述背栅电极。
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1.一种半导体存储器件，所述半导体存储器件包括：
2.根据权利要求1的半导体存储器件，
3.根据权利要求1的半导体存储器件，
4.根据权利要求1的半导体存储器件，
5.根据权利要求1所述的半导体存储器件，所述半导体存储器件还包括：
6.根据权利要求1所述的半导体存储器件，所述半导体存储器件还包括：
7.根据权利要求1的半导体存储器件，
8.根据权利要求1所述的半导体存储器件，所述半导体存储器件还包括：
9.根据权利要求1所述的半导体存储器件，所述半导体存储器件还包括：
10.一种半导体存储器件，所述半导体存储器件包括：
11.根据权利要求10的半导体存储器件，
12.根据权利要求10的半导体存储器件，
13.根据权利要求12的半导体存储器件，
14.根据权利要求10的半导体存储器件，
15.根据权利要求14的半导体存储器件，
16.根据权利要求10的半导体存储器件，
17.根据权利要求10的
18.根据权利要求10的半导体存储器件，
19.一种电子系统，所述电子系统包括：
20.根据权利要求19所述的电子系统，
...【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器件，所述半导体存储器件包括：
2.根据权利要求1的半导体存储器件，
3.根据权利要求1的半导体存储器件，
4.根据权利要求1的半导体存储器件，
5.根据权利要求1所述的半导体存储器件，所述半导体存储器件还包括：
6.根据权利要求1所述的半导体存储器件，所述半导体存储器件还包括：
7.根据权利要求1的半导体存储器件，
8.根据权利要求1所述的半导体存储器件，所述半导体存储器件还包括：
9.根据权利要求1所述的半导体存储器件，所述半导体存储器件还包括：
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【专利技术属性】
技术研发人员：早川幸夫，金容锡，李奉镕，赵始衍，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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