System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 显示装置制造方法及图纸_技高网

显示装置制造方法及图纸

技术编号:40975149 阅读:2 留言:0更新日期:2024-04-18 21:23
本发明专利技术的一实施例提供一种显示装置,具备:晶体管,包括有源层以及与所述有源层的沟道区域重叠且具有至少一个层的栅极电极;存储电容器,与所述晶体管电连接,并包括配置于比所述有源层靠下方处的第一电容器电极以及所述第一电容器电极上的第二电容器电极;连接层,连接所述第二电容器电极和所述有源层;以及导电图案,配置在所述存储电容器和所述晶体管之间,并包含与所述栅极电极的至少一个层相同的物质。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的实施例涉及一种显示装置


技术介绍

1、随着可视化地表达各种电信号信息的显示领域的迅速发展,正在推出具有薄型化、轻量化、低功耗化等优异特性的各种显示装置。

2、显示装置可以包括利用背光的光而不自行发射光的液晶显示装置或者具有能够发射光的显示要件的发光显示装置。发光显示装置可以包括具有发光层的显示要件。


技术实现思路

1、本专利技术的实施例涉及一种显示装置,更具体而言,提供一种关于发光显示装置的结构。

2、可以是,本专利技术的一实施例提供一种显示装置,具备:晶体管,包括有源层以及与所述有源层的沟道区域重叠且具有至少一个层的栅极电极;存储电容器,与所述晶体管电连接,并包括配置于比所述有源层靠下方处的第一电容器电极以及所述第一电容器电极上的第二电容器电极;连接层,连接所述第二电容器电极和所述有源层;以及导电图案,配置在所述存储电容器和所述晶体管之间,并包含与所述栅极电极的至少一个层相同的物质。

3、在一实施例中,可以是,所述连接层包括所述第二电容器电极和所述导电图案之间的第一部分以及所述导电图案和所述晶体管之间的第二部分,所述第一部分的氢含量大于所述第二部分的氢含量。

4、在一实施例中,可以是,所述第二电容器电极、所述连接层以及所述有源层设置为一体。

5、在一实施例中,可以是,所述显示装置还包括:绝缘图案,位于所述连接层和所述导电图案之间。

6、在一实施例中,可以是,所述绝缘图案包括在所述存储电容器和所述晶体管之间暴露所述连接层的至少一部分的开口部,所述导电图案与通过所述开口部暴露的所述连接层的至少一部分接触。

7、在一实施例中,可以是,所述导电图案的至少一部分配置在所述开口部内。

8、在一实施例中,可以是,与所述导电图案接触的所述连接层的所述至少一部分具有比所述第二电容器电极的垂直厚度小的垂直厚度。

9、在一实施例中,可以是,所述导电图案的至少一部分配置在比所述栅极电极低的垂直水平。

10、在一实施例中,可以是,所述导电图案通过所述绝缘图案与所述连接层隔开。

11、在一实施例中,可以是,所述导电图案的至少一部分配置在与所述栅极电极相同的垂直水平。

12、在一实施例中,可以是,所述导电图案具有与所述栅极电极相同的叠层结构。

13、在一实施例中,可以是,所述栅极电极包括第一栅极电极层、所述第一栅极电极层上的第二栅极电极层以及所述第二栅极电极层上的第三栅极电极层。

14、在一实施例中,可以是,所述导电图案包括第一层、所述第一层上的第二层以及所述第二层上的第三层,所述导电图案的所述第一层包含与所述第一栅极电极层相同的物质。

15、在一实施例中,可以是,所述第二栅极电极层包含与所述导电图案的所述第二层相同的物质,所述第三栅极电极层包含与所述导电图案的所述第三层相同的物质。

16、在一实施例中,可以是,所述导电图案包含钛(ti)。

17、在一实施例中,可以是,所述显示装置还包括:钝化层,配置在所述栅极电极以及所述导电图案上,并包含硅氮化物或者硅氮氧化物。

18、在一实施例中,可以是,所述栅极电极接收扫描信号。

19、可以是,本专利技术的一实施例提供一种显示装置,具备:晶体管,包括有源层以及与所述有源层的沟道区域重叠的栅极电极;存储电容器,与所述晶体管电连接,并包括配置于比所述有源层靠下方处的第一电容器电极以及所述第一电容器电极上的第二电容器电极;连接层,与所述第二电容器电极以及所述有源层设置为一体,并连接所述第二电容器电极和所述有源层;导电图案,配置在所述存储电容器和所述晶体管之间,并具有与所述栅极电极相同的叠层结构;以及钝化层,配置在所述栅极电极以及所述导电图案上。

20、在一实施例中,可以是,所述连接层包括所述第二电容器电极和所述导电图案之间的第一部分以及所述导电图案和所述晶体管之间的第二部分,所述第一部分的氢含量大于所述第二部分的氢含量。

21、可以是,本专利技术的一实施例提供一种显示装置,包括:第一驱动电压线以及第一公共电压线,在基板上沿第一方向延伸;扫描线,沿与所述第一驱动电压线以及所述第一公共电压线交叉的第二方向延伸;开关晶体管,包括有源层以及与所述有源层的沟道区域重叠且与所述扫描线连接的栅极电极;存储电容器,与所述开关晶体管电连接,并包括第一电容器电极以及第二电容器电极;以及导电图案,配置在所述开关晶体管和所述存储电容器之间。

22、根据本专利技术的一实施例的显示装置还包括位于存储电容器和薄膜晶体管之间的导电图案,从而可以提高显示装置的电可靠性。当然,本专利技术的范围不限于这种效果。

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【技术保护点】

1.一种显示装置,其中,具备:

2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,

3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,

4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,

5.根据权利要求4所述的显示装置,其中,

6.根据权利要求5所述的显示装置,其中,

7.根据权利要求5所述的显示装置,其中,

8.根据权利要求1所述的显示装置,其中,

9.根据权利要求4所述的显示装置,其中,

10.根据权利要求1所述的显示装置,其中,

11.根据权利要求1所述的显示装置,其中,

12.根据权利要求1所述的显示装置,其中,

13.根据权利要求12所述的显示装置,其中,

14.根据权利要求13所述的显示装置,其中,

15.根据权利要求1所述的显示装置,其中,

16.根据权利要求1所述的显示装置,其中,

17.根据权利要求1所述的显示装置,其中,

18.一种显示装置,其中,具备:

19.根据权利要求18所述的显示装置,其中,

20.一种显示装置,其中,包括:

...

【技术特征摘要】

1.一种显示装置,其中,具备:

2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,

3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,

4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,

5.根据权利要求4所述的显示装置,其中,

6.根据权利要求5所述的显示装置,其中,

7.根据权利要求5所述的显示装置,其中,

8.根据权利要求1所述的显示装置,其中,

9.根据权利要求4所述的显示装置,其中,

10.根据权利要求1所述的显示装置,其中,

...

【专利技术属性】
技术研发人员:金善光金昭娟宋炯真李在贤
申请(专利权)人:三星显示有限公司
类型:发明
国别省市:

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