【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体器件。
技术介绍
1、近年来，随着半导体元件由于电子技术的发展而缩小尺寸的快速发展，存在对半导体芯片的更高集成度和更低功耗的需求。诸如布线的电路部件之间的间隔在逐渐地减小，这会增大布线(wiring)与通路(via)之间的电阻。为了提高半导体器件的可靠性，正在进行用于限制布线与通路之间的电阻的增大的研究。
技术实现思路
1、本公开的各方面提供了一种半导体器件，在该半导体器件中通路中包括的插塞导电膜与布线直接接触，以减小通路与布线之间的电阻。
2、然而，本公开的各方面不局限于本文阐述的各方面。通过参考下面给出的本公开的详细描述，本公开的上述及其他方面对于本公开所属领域的普通技术人员而言将变得更清楚。
3、根据本公开的示例实施例，一种半导体器件可以包括：第一膜，所述第一膜包括彼此相对的第一侧和第二侧；第二膜，所述第二膜包括彼此相对的第三侧和第四侧，所述第二膜的所述第三侧与所述第一膜的所述第二侧接触，所述第二膜和所述第一膜限定沟槽的各部分，所述沟槽包括第一子沟槽和位于所述第一子沟槽下方的第二子沟槽，所述第一子沟槽具有第一宽度并且从所述第二膜的所述第四侧朝向所述第一膜延伸，位于所述第一子沟槽下方的所述第二子沟槽具有第二宽度，所述第二宽度小于所述第一宽度；插塞导电膜，所述插塞导电膜从所述第一膜的所述第一侧延伸以穿透所述沟槽的底面，所述插塞导电膜的最上面位于所述沟槽内部；通路，所述通路包括位于所述插塞导电膜与所述第一膜之间的绝缘衬里；以及布线，所述布线位
4、根据本公开的示例实施例，一种半导体器件可以包括：第一膜，所述第一膜包括彼此相对的第一侧和第二侧；第二膜，所述第二膜包括彼此相对的第三侧和第四侧，所述第二膜的所述第三侧与所述第一膜的所述第二侧接触；布线，所述布线包括第一部分和第二部分，所述第一部分具有第一宽度并且从所述第二膜的所述第四侧朝向所述第一膜延伸，所述第二部分位于所述第一部分下方并且具有第二宽度，并且所述第二宽度小于所述第一宽度；以及插塞导电膜，所述插塞导电膜从所述第一膜的所述第一侧延伸以穿透所述布线的底面，所述插塞导电膜的最上面和所述插塞导电膜的侧壁的一部分与所述布线接触；以及通路，所述通路包括位于所述插塞导电膜与所述第一膜之间的绝缘衬里。
5、根据本公开的示例实施例，一种半导体器件可以包括：衬底，所述衬底包括彼此相对的第一侧和第二侧；有源图案，所述有源图案位于所述衬底的所述第一侧上；源极/漏极区，所述源极/漏极区与所述有源图案接触；前侧布线结构，所述前侧布线结构位于所述衬底的所述第一侧上，所述前侧布线结构在第一方向上延伸并且电连接到所述源极/漏极区；贯通接触通路，所述贯通接触通路电连接到所述源极/漏极区，所述贯通接触通路与所述源极/漏极区的一侧间隔开；掩埋布线，所述掩埋布线位于所述衬底中并且电连接到所述贯通接触通路；以及背侧布线结构，所述背侧布线结构电连接到所述掩埋布线，所述背侧布线结构位于所述衬底的所述第二侧上。所述掩埋布线可以包括第一部分和位于所述第一部分下方的第二部分。所述第一部分可以从所述衬底的所述第二侧朝向所述第一侧延伸，并且所述第一部分可以具有第一宽度。所述第二部分可以具有第二宽度。所述第二宽度可以小于所述第一宽度。所述贯通接触通路可以包括插塞导电膜和绝缘衬里。所述插塞导电膜可以穿透所述第二部分的上面。所述插塞导电膜的最下面和所述插塞导电膜的侧壁的一部分可以与所述掩埋布线接触。所述绝缘衬里可以沿着所述插塞导电膜的所述侧壁延伸。
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1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，
4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，
8.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，
9.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，
10.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，
11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
13.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
14.根据权利要求13所述的半导体器件，其中，
15.根据权利要求13所述的半导体器件，其中，
16.根据权利要求13所述的半导体器件，其中，
17.根据权利要求13所述的半导体器件，其中，
18.一种半导体器件，
19.根据权利要求18所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
20.根据权利要求18所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，
4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，
8.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，
9.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，
10.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，
11.根据权利要求1所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：任廷爀，金完敦，李贤培，崔孝锡，金仅祐，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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