【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于隔离变压器芯片，特别是关于一种隔离变压器芯片的制作方法、采用该方法制作的隔离变压器芯片以及隔离变压器芯片的封装结构。
技术介绍
1、目前隔离电源产品的隔离变压器芯片设计方案有fab工艺以晶圆形式实现和pcb工艺以基板形式实现两种方案。然而，fab工艺成本高且设计难度大，所以目前市场这种工艺很少。主流的pcb工艺是把变压器的线圈设计到基板的相关层面中，做成多层板然后切割成单颗后进行封装成ic成品。这种作业方式封装工序复杂且pcb材质在芯片内部易造成分层导致相关质量问题。
2、公开于该
技术介绍
部分的信息仅仅旨在增加对本专利技术的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种变压器芯片的制作方法、变压器芯片及封装结构，其工艺简单，基板利用率高，能形成更小的电路、更大的电感值以及更灵活的电路层次，且与其他封装结构结合率更好，能有效解决封装分层问题。
2、为实现上述目的，本专利技术的实施例提供了一种变压器芯片的制作方法，包括：提供面板级基板，在所述基板表面形成第一光刻胶层；在所述第一光刻胶层内形成第一金属线圈层；在所述第一光刻胶层和所述第一金属线圈层上形成第二光刻胶层；在所述第二光刻胶层内形成第二金属线圈层，所述第二金属线圈层部分电连接所述第一金属线圈层；至少在所述第二金属线圈层上形成保护层。
3、在本专利技术的一个或多个实施方式中，在所述
4、在所述保护层上形成电连接所述第一金属线圈层和/或第二金属线圈层的焊盘。
5、在本专利技术的一个或多个实施方式中，所述基板选自玻璃基板。
6、在本专利技术的一个或多个实施方式中，在所述第二光刻胶层和所述第二金属线圈层上形成保护层的步骤之前，还包括：根据变压器芯片所需金属线圈层数，在所述第二光刻胶层和所述第二金属线圈层上继续制备光刻胶层和金属线圈层，其中，相邻所述金属线圈层之间部分电连接，所述保护层形成于最顶层的所述金属线圈层上。
7、在本专利技术的一个或多个实施方式中，所述焊盘至少电连接最顶层的所述金属线圈层。
8、在本专利技术的一个或多个实施方式中，在所述第一光刻胶层内形成第一金属线圈层，包括：在所述第一光刻胶层上形成第一线圈槽；沉积金属，以在所述第一线圈槽内形成第一金属线圈层。
9、在本专利技术的一个或多个实施方式中，在所述第一光刻胶层上形成第一线圈槽，包括：采用光刻技术对所述第一光刻胶层进行曝光、显影后，在所述第一光刻胶层上制备出第一线圈槽。
10、在本专利技术的一个或多个实施方式中，在所述第二光刻胶层内形成第二金属线圈层，所述第二金属线圈层部分电连接所述第一金属线圈层，包括：在所述第二光刻胶层上形成第二线圈槽，所述第二线圈槽部分暴露出所述第一金属线圈层；沉积金属，以在所述第二线圈槽内形成第二金属线圈层。
11、在本专利技术的一个或多个实施方式中，沉积金属后去除光刻胶层表面的多余金属，以形成金属线圈层。
12、在本专利技术的一个或多个实施方式中，在所述第二金属线圈层上形成保护层，包括：在所述第二金属线圈层上涂覆光刻胶，显影将部分所述光刻胶去除形成保护层。
13、在本专利技术的一个或多个实施方式中，所述光刻胶层的材质选自聚酰亚胺。
14、在本专利技术的一个或多个实施方式中，所述保护层的材质选自聚酰亚胺。
15、本专利技术的实施例提供了一种变压器芯片，包括：玻璃基板；第一光刻胶层，形成于所述玻璃基板的表面，所述第一光刻胶层内形成有第一金属线圈层；第二光刻胶层，形成于所述第一光刻胶层和所述第一金属线圈层表面，所述第二光刻胶层内形成有第二金属线圈层，所述第二金属线圈层部分电连接所述第一金属线圈层；保护层，至少形成于所述第二金属线圈层上。
16、本专利技术的实施例还提供了一种变压器芯片的封装结构，包括：引线框架，具有引脚；上述的变压器芯片，其中，所述玻璃基板设置于所述引线框架上，所述第二金属线圈层与所述引脚引线键合；以及塑封体，包覆所述变压器芯片及部分所述引线框架设置。
17、与现有技术相比，本专利技术实施方式的变压器芯片的制作方法，采用面板级工艺进行变压器芯片的制作，大大减少了基板边角料的浪费，并且基板面积利用率得到了极大提高，进一步降低了封装成本。
18、本专利技术实施方式的变压器芯片的制作方法，通过再布线层工艺制备金属线圈层，精度更高，可以实现更小的电路，更大的电感值以及更灵活的电路层次。
19、本专利技术实施方式的变压器芯片的制作方法，基板采用玻璃材质，具有更优的表面平整度，不易在封装过程中产生翘曲问题；且，通过在玻璃材质表面采用光刻胶进行金属线圈的制备，能有效改善封装分层问题。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种变压器芯片的制作方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的变压器芯片的制作方法，其特征在于，所述基板选自玻璃基板。
3.如权利要求1所述的变压器芯片的制作方法，其特征在于，在所述第二金属线圈层上形成保护层的步骤之前，还包括：
4.如权利要求1所述的变压器芯片的制作方法，其特征在于，在所述第一光刻胶层内形成第一金属线圈层，包括：
5.如权利要求4所述的变压器芯片的制作方法，其特征在于，在所述第一光刻胶层上形成第一线圈槽，包括：
6.如权利要求1所述的变压器芯片的制作方法，其特征在于，在所述第二光刻胶层内形成第二金属线圈层，所述第二金属线圈层部分电连接所述第一金属线圈层，包括：
7.如权利要求1所述的变压器芯片的制作方法，其特征在于，在所述第二金属线圈层上形成保护层，包括：
8.如权利要求1所述的变压器芯片的制作方法，其特征在于，所述光刻胶层的材质选自聚酰亚胺；和/或，所述保护层的材质选自聚酰亚胺。
9.一种变压器芯片，其特征在于，包括：
10.一种变压器芯片的封
...【技术特征摘要】
1.一种变压器芯片的制作方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的变压器芯片的制作方法，其特征在于，所述基板选自玻璃基板。
3.如权利要求1所述的变压器芯片的制作方法，其特征在于，在所述第二金属线圈层上形成保护层的步骤之前，还包括：
4.如权利要求1所述的变压器芯片的制作方法，其特征在于，在所述第一光刻胶层内形成第一金属线圈层，包括：
5.如权利要求4所述的变压器芯片的制作方法，其特征在于，在所述第一光刻胶层上形成第一线圈槽，包括：
6.如...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，沈彦旭，吴佳峰，田鹏，
申请(专利权)人：思瑞浦微电子技术苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：
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