【技术实现步骤摘要】
本文所描述的专利技术构思的实施方案涉及基板处理装置和基板处理方法，更具体地，涉及用于加热基板以处理基板的基板处理装置和基板处理方法。
技术介绍
1、本文所描述的专利技术构思的实施方案涉及基板处理装置和基板处理方法，更具体地，涉及用于加热基板以处理基板的基板处理装置和基板处理方法。
2、用于在晶圆上形成图案的光刻工艺包括曝光工艺。曝光工艺是用于将附接到晶圆的半导体集成材料切割成期望图案的初步操作。曝光工艺可以具有各种目的，诸如形成用于蚀刻的图案和形成用于离子注入的图案。曝光工艺使用掩模(其是一种“框架”)，以在晶圆上用光来绘制图案。如果光暴露于晶圆上的半导体集成材料(例如，晶圆上的光刻胶)，那么光刻胶的化学特性根据光和掩模的图案而改变。如果将显影剂供应至根据图案改变了化学性质的光刻胶，则在晶圆上形成图案。
3、为了准确地执行曝光工艺，必须精确地制造形成在掩模上的图案。应检查图案是否形成为满足所需的工艺条件。大量图案形成在一个掩模中。因此，为了检查一个掩模，操作者需要大量时间来检查所有大量图案。因此，在掩模上形成能够表示包括多个图案的一个图案组的监测图案。此外，在掩模上形成能够表示多个图案组的锚定图案(anchorpattern)。操作者可以通过监测图案的检查来估计包括在一个图案组中的图案的量。此外，操作者可以通过检查锚定图案来估计在掩模上形成的图案的量。
4、此外，为了提高掩模的检测精度，优选地，监测图案和锚定图案的关键尺寸相同。另外执行用于精确校形成在掩模上的图案的临界尺寸的临界尺寸校正工艺。
5、图1示出在掩模制造工艺期间执行临界尺寸校正工艺之前、掩模的监测图案的第一临界尺寸cdp1和锚定图案的第二临界尺寸cdp2的正态分布。此外，第一临界尺寸cdp1与第二临界尺寸cdp2的尺寸小于目标临界尺寸。在执行临界尺寸校正工艺之前，有意地偏离监视图案和锚点图案的临界尺寸cd。并且，通过在临界尺寸校正工艺中另外蚀刻锚定图案，使两个图案的临界尺寸相同。如果在另外蚀刻锚定图案的工艺中锚定图案被蚀刻得比监测图案更多，则由于监测图案与锚定图案之间的差异，形成在掩模上的图案的临界尺寸不能被准确地校正。当另外蚀刻锚定图案时，必须伴随锚定图案的精确蚀刻。
6、为了精确地蚀刻锚定图案，假设异物(诸如，颗粒)不附着至掩模。因此，在蚀刻锚定图案之前，必须从掩模去除附着到掩模的异物。此外，在靶向和蚀刻锚定图案的工艺中产生大量的工艺杂质。所产生的工艺杂质等可以附着至掩模并在后续工艺中引起缺陷。
技术实现思路
1、本专利技术构思的实施方案提供了用于精确蚀刻基板的基板处理装置和方法。
2、本专利技术构思的实施方案提供了一种用于通过首先从基板去除基板上的异物等来精确地蚀刻基板的特定区域的基板处理装置和方法。
3、本专利技术构思的实施方案提供了一种用于在基板的特定区域被蚀刻之后、使后续工艺中的基板处理缺陷最小化的基板处理装置和方法。
4、本专利技术构思的技术目的不限于上述技术目的，并且其他未提及的技术目的将从以下描述中对本领域技术人员变得显而易见。
5、本专利技术构思提供了一种基板处理方法。所述基板处理方法包括：通过清洁基板来预处理基板；通过供应蚀刻剂并加热供应有蚀刻剂的基板来蚀刻基板；以及在蚀刻基板之后后处理基板，并且其中在不同的腔室中执行预处理基板、蚀刻基板和后处理基板中的每一者，在其上完成了预处理基板的基板以干燥状态传送至在其中执行蚀刻基板的腔室，并且在其上完成了蚀刻基板的基板以用液体的润湿状态传送至在其中执行后处理基板的腔室。
6、在实施方案中，蚀刻基板包括在蚀刻剂保留在基板上的状态下，将激光局部照射至基板的特定区域以蚀刻基板的特定区域，并且然后通过将冲洗液供应至基板来替换保留在基板上的蚀刻剂。
7、在实施方式中，预处理基板包括：通过将第一处理液供应至基板来亲水化基板；通过将第二处理液供应至基板来去除在亲水化基板时从基板产生的处理残留物；以及。
8、干燥基板，并且其中在不同的腔室中执行亲水化基板、去除处理残留物和干燥基板中的每一者。
9、在实施方案中，后处理基板包括：将第二处理液供应至基板，向在其上保留有第二处理液的基板施加超声、以去除冲洗液和在蚀刻基板时由基板产生的蚀刻残留物。
10、在实施方案中，后处理基板包括：在将第二处理液供应至基板之后供应冲洗液以用冲洗液替换第二处理液，以及在供应冲洗液之后，将有机溶剂供应至基板以干燥基板。
11、在实施方案中，在亲水化基板时，在将第一处理液供应至基板之后，供应冲洗液以用冲洗液替换第一处理液；在去除处理残留物时，在将第二处理液供应至基板之后，供应冲洗液以用冲洗液替换第二处理液，以及将用冲洗液润湿的基板从在其中执行亲水化基板的腔室传送至在其中执行去除处理残留物的腔室。
12、在实施方案中，将用冲洗液润湿的基板从在其中执行去除处理残留物的腔室处传送至在其中执行干燥基板的腔室处。
13、在实施方案中，去除处理残留物包括向在将第二处理液供应至基板之后，向在其中保留有第二处理液的基板施加超声。
14、在实施方案中，蚀刻基板包括：将第二处理液供应至基板，并且向在其中保留有第二处理液的基板施加超声，并且在将冲洗液供应至基板之后，重新供应冲洗液以替换第二处理液；并且后处理基板包括：将有机溶剂供应至在其中保留有冲洗液的基板，以干燥基板。
15、在实施方案中，将第一处理液、第二处理液以及冲洗液中的每一者供应至旋转基板，并且第一处理液包括酸，第二处理液包括过氧化氢(h2o2)，并且冲洗液包括去离子水或去离子二氧化碳水。
16、本专利技术构思提供了一种基板处理方法。该基板处理方法包括：检查形成在基板上的多个图案的位置信息；向基板供应蚀刻剂；在蚀刻剂保留在基板上的状态下加热多个图案中的特定图案；向基板供应冲洗液；以及通过将在其上已经供应了冲洗液的基板传送至单独腔室以在基板上供应液体、且向在其上保留有液体的基板施加超声来进行后处理。
17、在实施方案中，检查位置信息包括检查形成在基板上的特定图案的位置信息。
18、在实施方案中，所述基板处理方法还包括在执行检查位置信息之前执行预处理，并且其中预处理包括：通过将第一液体供应至基板来亲水化基板，以及通过供应第二处理液来去除在供应第一处理液的工艺期间产生的处理残留物。
19、在实施方案中，预处理包括：向保留有第二处理液的基板施加超声，以及通过将有机溶剂供应至旋转基板来干燥基板。
20、在实施方案中，不同的腔室中执行预处理的供应第一处理液、供应第二处理液和供应有机溶剂中的每一者，并且在同一腔室中执行检查位置信息、供应蚀刻剂、加热特定图案、供应冲洗液。
21、在实施方案中，加热特定图案包括将激光照射至特定图案。
22、在实施方案中，基板是掩模，并且掩模具有第一图案和与第一图案不同的第二图案，并且第一图案形成在掩模本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种基板处理方法，所述基板处理方法包括：
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，蚀刻所述基板包括：在所述蚀刻剂保留在所述基板上的状态下，将激光局部照射至所述基板的特定区域以蚀刻所述基板的所述特定区域，并且然后通过将冲洗液供应至所述基板来替换保留在所述基板上的蚀刻剂。
3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，预处理所述基板包括：
4.根据权利要求3所述的基板处理方法，其中，后处理所述基板包括：
5.根据权利要求4所述的基板处理方法，其中，后处理所述基板包括：
6.根据权利要求3所述的基板处理方法，其中，在亲水化所述基板时，在将所述第一处理液供应至所述基板之后，供应所述冲洗液以用所述冲洗液替换所述第一处理液，
7.根据权利要求6所述的基板处理方法，其中，将用所述冲洗液润湿的基板从在其中执行去除所述处理残留物的腔室传送至在其中执行干燥所述基板的腔室。
8.根据权利要求3所述的基板处理方法，其中，去除所述处理残留物包括在将所述第二处理液供应到所述基板之后，向保留有所述第二处理液的基板施加超声
9.根据权利要求3所述的基板处理方法，其中，蚀刻所述基板的步骤包括：将所述第二处理液供应至所述基板，并向保留有所述第二处理液的所述基板施加超声；以及在将所述冲洗液供应至所述基板之后，重新供应所述冲洗液以替换所述第二处理液，并且
10.根据权利要求3所述的基板处理方法，其中，将所述第一处理液、所述第二处理液和所述冲洗液中的每一者供应至旋转基板，并且
11.一种基板处理方法，所述基板处理方法包括：
12.根据权利要求11所述的基板处理方法，其中，检查所述位置信息包括检查形成在所述基板上的所述特定图案的位置信息。
13.根据权利要求12所述的基板处理方法，所述基板处理方法还包括在执行检查所述位置信息之前执行预处理，并且
14.根据权利要求13所述的基板处理方法，其中，所述预处理包括：
15.根据权利要求14所述的基板处理方法，其中，在不同的腔室中执行所述预处理的供应所述第一处理液、供应所述第二处理液以及供应所述有机溶剂中的每一者，并且
16.根据权利要求11所述的基板处理方法，其中，加热所述特定图案包括将激光照射至所述特定图案。
17.根据权利要求11所述的基板处理方法，其中，所述基板为掩模，且所述掩模具有第一图案以及与所述第一图案不同的第二图案，并且
18.根据权利要求17所述的基板处理方法，其中，所述掩模还包括形成在所述掩模的边缘处的参考标记，并且
19.根据权利要求11所述的基板处理方法，其中，所述后处理向保留有所述液体的所述基板施加超声，并且将所述冲洗液和所述有机溶剂顺序地供应到所述基板。
20.一种基板处理装置，所述基板处理装置包括：
...【技术特征摘要】
1.一种基板处理方法，所述基板处理方法包括：
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，蚀刻所述基板包括：在所述蚀刻剂保留在所述基板上的状态下，将激光局部照射至所述基板的特定区域以蚀刻所述基板的所述特定区域，并且然后通过将冲洗液供应至所述基板来替换保留在所述基板上的蚀刻剂。
3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，预处理所述基板包括：
4.根据权利要求3所述的基板处理方法，其中，后处理所述基板包括：
5.根据权利要求4所述的基板处理方法，其中，后处理所述基板包括：
6.根据权利要求3所述的基板处理方法，其中，在亲水化所述基板时，在将所述第一处理液供应至所述基板之后，供应所述冲洗液以用所述冲洗液替换所述第一处理液，
7.根据权利要求6所述的基板处理方法，其中，将用所述冲洗液润湿的基板从在其中执行去除所述处理残留物的腔室传送至在其中执行干燥所述基板的腔室。
8.根据权利要求3所述的基板处理方法，其中，去除所述处理残留物包括在将所述第二处理液供应到所述基板之后，向保留有所述第二处理液的基板施加超声。
9.根据权利要求3所述的基板处理方法，其中，蚀刻所述基板的步骤包括：将所述第二处理液供应至所述基板，并向保留有所述第二处理液的所述基板施加超声；以及在将所述冲洗液供应至所述基板之后，重新供应所述冲洗液以替换所述第二处理液，并且
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【专利技术属性】
技术研发人员：尹铉，崔基熏，吴承彦，朴永镐，柳相铉，金泰熙，李相建，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：
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