【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及磨料领域，具体涉及一种打磨块、打磨块的制备方法及打磨方法。
技术介绍
1、目前用来打磨碳化硅的打磨块使用较多的为金刚石打磨块，金刚石打磨块纯度较低，在打磨过程中易给待打磨部引入杂质，使待打磨部的纯度降低，而达不到高精密设备的打磨需求。
2、金刚石打磨块因硬度大所以具有较好的打磨效果，但是硬度太大也易使打磨块在对待打磨部进行打磨处理的过程中由于摩擦接触而留下打磨印记，对待打磨部造成损伤。
3、金刚石打磨块在打磨过程中会产生大量的热量，过多的热量会影响打磨的精度甚至导致工件或打磨块的损坏，且金刚石打磨块在高温下容易氧化，也会影响其磨削性能。因而亟需提供一种具有较好打磨效果的打磨块。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于克服现有技术存在的上述问题，提供一种打磨块、打磨块的制备方法及打磨方法。本专利技术提供的打磨块包括基座与附着于基座上的碳化硅磨粒层，适用于打磨sic材料，打磨效率高且在打磨过程中基本不会对待打磨部造成不期望的损伤如较大程度的划痕等，同时不会引入杂质元素。
2、为了实现上述目的，本专利技术第一方面提供了一种打磨块，所述打磨块包括基座与附着于基座上的碳化硅磨粒层；
3、所述碳化硅磨粒层的粗糙度为2μm-4.5μm；
4、所述基座的粗糙度为1μm-3μm。
5、优选地，所述基座设置有第一边缘区域及第一中心区域，且所述第一边缘区域的粗糙度大于第一中心区域的粗糙度。
6、本专利技术第
7、本专利技术第三方面提供了一种打磨方法，包括使用第一方面所述的打磨块打磨待打磨部。
8、本专利技术采用上述技术方案具有以下有益效果：
9、本专利技术的打磨块适用于打磨sic材料，使得打磨块在打磨过程中打磨效率更高，且基本不会对待打磨部造成不期望的损伤如较大程度的划痕等，还能避免对待打磨部引入杂质。
10、在本文中所披露的范围的端点和任何值都不限于该精确的范围或值，这些范围或值应当理解为包含接近这些范围或值的值。对于数值范围来说，各个范围的端点值之间、各个范围的端点值和单独的点值之间，以及单独的点值之间可以彼此组合而得到一个或多个新的数值范围，这些数值范围应被视为在本文中具体公开。本文中，在没有特别说明的情况下，数据范围均包括端点。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种打磨块，其特征在于，包括基座与附着于基座上的碳化硅磨粒层；
2.根据权利要求1所述的打磨块，其特征在于，所述碳化硅磨粒层的硬度为25GPA-38GPA，和/或，
3.根据权利要求1所述的打磨块，其特征在于，所述基座设置有第一边缘区域及第一中心区域，且所述第一边缘区域的粗糙度大于第一中心区域的粗糙度，所述第一中心区域与第一边缘区域的面积比为(1-4):1，和/或，
4.根据权利要求3所述的打磨块，其特征在于，所述第一边缘区域的粗糙度为2μm-3μm；和/或，
5.一种制备权利要求1-4中任意一项所述打磨块的方法，其特征在于，该方法包括通过化学气相沉积在基座上沉积碳化硅磨粒层，得到所述打磨块。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，沉积过程中使用的气体包括碳硅烷烃和还原性气体；所述碳硅气源和还原性气体的流量比为1:(2-20)。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述碳硅气源包括碳原子数为C1-C4的碳硅烷和/或氯硅烷；和/或，
8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，沉积的工艺
9.一种打磨方法，其特征在于，包括使用权利要求1-4中任意一项所述的打磨块打磨待打磨部。
10.根据权利要求9所述的打磨方法，其特征在于，所述碳化硅磨粒层的硬度为待打磨部的硬度的1-1.25倍；和/或，
...【技术特征摘要】
1.一种打磨块，其特征在于，包括基座与附着于基座上的碳化硅磨粒层；
2.根据权利要求1所述的打磨块，其特征在于，所述碳化硅磨粒层的硬度为25gpa-38gpa，和/或，
3.根据权利要求1所述的打磨块，其特征在于，所述基座设置有第一边缘区域及第一中心区域，且所述第一边缘区域的粗糙度大于第一中心区域的粗糙度，所述第一中心区域与第一边缘区域的面积比为(1-4):1，和/或，
4.根据权利要求3所述的打磨块，其特征在于，所述第一边缘区域的粗糙度为2μm-3μm；和/或，
5.一种制备权利要求1-4中任意一项所述打磨块的方法，其特征在于，该方法包括通过化学气相沉积在基座上沉积碳化硅磨粒层，得到所述打磨块。
<...【专利技术属性】
技术研发人员：廖家豪，张紫林，柴攀，万强，
申请(专利权)人：湖南德智新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。