一种制备碳化硅材料的方法及碳化硅材料技术

本发明专利技术涉及半导体刻蚀材料技术领域，提供了一种制备碳化硅材料的方法及碳化硅材料。该方法包括：(1)将基底放置于化学气相沉积设备中，抽真空，再通入惰性气体；(2)将碳硅源气体、掺杂元素气体、还原气体和稀释气体的混合气体通入化学气相沉积设备中，采用化学气相沉积工艺在基底表面沉积碳化硅；工艺参数包括：沉积温度为1000℃‑1600℃，沉积压力为9kPa‑60kPa；(3)化学气相沉积完成后，去除基底；掺杂元素气体和碳硅源气体的流量比为(0.3～10):1；碳硅源气体和还原气体的流量比为1:(1‑60)。该制备方法得到的碳化硅材料，兼具低电阻率和高致密度的优良特性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体刻蚀材料，具体涉及一种制备碳化硅材料的方法及碳化硅材料。

技术介绍

1、随着科技的进步，半导体的发展突飞猛进，激发了现代科技技术的革新，第三代半导体开始走入市场，碳化硅作为第三代半导体具有耐高温、抗氧化和化学腐蚀性能优异、耐磨损、抗热震、等特点，是一种重要的结构材料，适合用于高频高压的场合。另外，sic陶瓷还拥有与si相近的热膨胀系数、较高的热导率、更高的临界击穿电压、负电阻温度系数等优势，使其广泛应用于高频、高温、高压环境下服役的半导元器件中。

2、半导体生产中，会涉及到多个程序和部件的共同运作，对各种部件都要求有其独特的性质来保证在半导体生产过程中能够良好的工作。其中刻蚀是极为重要的一个环节，刻蚀程序中需要根据应用的方向不同针对的选用具有不同电阻率的刻蚀环进行辅助刻蚀晶圆。现有技术中，采用烧结方法的本身局限性，制备出的sic致密度较低，很难制备出电阻率较低的sic。

3、因此，研发低电阻率和高致密度的sic具有重要意义。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于克本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种制备碳化硅材料的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掺杂元素气体和所述碳硅源气体的流量比为(1～5):1；

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氮源气体和所述硼源气体的流量比为(2-8):1，优选为(2-5):1；

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述化学气相沉积的工艺参数包括：沉积温度为1200℃-1400℃，沉积压力为20-30kPa。

5.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，所述碳硅源气体包括C1-C10碳硅烷烃；所述C1-C10碳硅烷烃选自甲...

【技术特征摘要】

1.一种制备碳化硅材料的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掺杂元素气体和所述碳硅源气体的流量比为(1～5):1；

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氮源气体和所述硼源气体的流量比为(2-8):1，优选为(2-5):1；

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述化学气相沉积的工艺参数包括：沉积温度为1200℃-1400℃，沉积压力为20-30kpa。

5.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，所述碳硅源气体包括c1-c10碳硅烷烃；所述c1-c10碳硅烷烃选自甲硅烷、乙硅烷、丙硅烷、甲基氯硅烷、二甲基氯硅烷或三氯甲基硅烷中的至少一种；更优选三氯甲基硅烷。

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【专利技术属性】
技术研发人员：余盛杰，廖家豪，柴攀，万强，
申请(专利权)人：湖南德智新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：