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本发明涉及半导体刻蚀材料技术领域，提供了一种制备碳化硅材料的方法及碳化硅材料。该方法包括：(1)将基底放置于化学气相沉积设备中，抽真空，再通入惰性气体；(2)将碳硅源气体、掺杂元素气体、还原气体和稀释气体的混合气体通入化学气相沉积设备中，采...
该专利属于湖南德智新材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖南德智新材料有限公司授权不得商用。

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