【技术实现步骤摘要】
本申请涉及气相沉积，具体涉及一种石墨产品的膜层制备方法。
技术介绍
1、传统的对石墨产品的部分区域进行化学气相沉积(chemical vapor deposition，cvd)的方法一般是利用工装对石墨产品的不需要沉积的区域进行覆盖。然而，在化学气相沉积过程中，较高的温度会导致石墨的晶格结构发生变化，进而导致石墨产品发生变形。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请实施例提供了一种石墨产品的膜层制备方法，解决了在气相沉积过程中，较高的温度会导致石墨的晶格结构发生变化，进而导致石墨产品发生变形的问题。
2、第一方面，本申请的实施例提供了一种石墨产品的膜层制备方法，应用于对石墨基材的部分区域进行膜层沉积的工艺；所述石墨产品的膜层制备方法包括：制备第一石墨产品，所述第一石墨产品具有上表面和下表面；在所述第一石墨产品的上表面制备应力释放槽，得到第二石墨产品，其中，应力释放槽的水平截面形状包括环形和三角形；对所述第二石墨产品进行膜层沉积，得到第三石墨产品；对所述第三石墨产品的上表面进行第二材料去除处理，得到第四石墨产品，其中，所述第四石墨产品的上表面不具有所述应力释放槽。
3、在一实施例中，所述制备第一石墨产品，包括：获取石墨基材；对所述石墨基材进行第一材料去除处理，得到所述第一石墨产品。
4、在一实施例中，所述对所述石墨基材进行第一材料去除处理，得到所述第一石墨产品，包括：基于膜层沉积参数、所述石墨基材的膨胀系数和所述第四石墨产品的尺寸，确定所述第一石墨产品
5、在一实施例中，所述基于膜层沉积参数、所述石墨基材的膨胀系数和所述第四石墨产品的尺寸，确定所述第一石墨产品的尺寸参数之前，还包括：确定至少一组实验数据，所述实验数据包括：石墨基材样品的第一尺寸、对所述石墨基材样品进行膜层沉积前的第一温度、对所述石墨基材样品进行膜层沉积过程中的第二温度、对所述石墨基材样品进行膜层沉积后的第二尺寸；基于预设膨胀系数计算公式和至少一组所述实验数据，确定所述石墨基材的膨胀系数。
6、在一实施例中，所述基于预设膨胀系数计算公式和基于至少一组所述实验数据，确定所述石墨基材的膨胀系数，包括：计算至少一组所述实验数据各自的第一尺寸中的中位数，确定第一中位尺寸；计算至少一组所述实验数据各自的第一温度中的中位数，确定第一中位温度；计算至少一组所述实验数据各自的第二温度中的中位数，确定第二中位温度；计算至少一组所述实验数据各自的第二尺寸中的中位数，确定第二中位尺寸；基于预设膨胀系数计算公式、第一中位尺寸、第一中位温度、第二中位温度和第二中位尺寸，确定所述石墨基材的膨胀系数。
7、在一实施例中，所述预设膨胀系数计算公式，包括：
8、
9、其中，α表示石墨基材的膨胀系数，l0表示第一中位尺寸，l1表示第二中位尺寸，t0表示第一中位温度，t1表示第二中位温度。
10、在一实施例中，所述在所述第一石墨产品的上表面制备应力释放槽，得到第二石墨产品，包括：基于应力释放槽的预设形状和应力释放槽的预设尺寸，在所述第一石墨产品的上表面制备所述应力释放槽，得到所述第二石墨产品，其中，所述第一石墨产品的形状包括圆盘形，所述预设应力释放槽的形状包括螺旋形。
11、在一实施例中，所述应力释放槽的预设尺寸包括：应力释放槽深度、应力释放槽宽度、应力释放槽圈数。
12、在一实施例中，所述应力释放槽深度的数值范围为2至4毫米；所述应力释放槽宽度的数值范围为2至4毫米；所述应力释放槽圈数的数值范围为6至9圈。
13、在一实施例中，所述对所述第二石墨产品进行膜层沉积，得到第三石墨产品，包括：将所述第二石墨产品放置于膜层沉积设备的加工台上，所述加工台相对于所述膜层沉积设备的设备主体可转动设置；向所述应力释放槽吹气，以对所述第二石墨产品施加推力，使所述第二石墨产品相对于所述膜层沉积设备的设备主体转动；在所述第二石墨产品相对于所述膜层沉积设备的设备主体转动的过程中，对所述第二石墨产品进行膜层沉积，得到所述第三石墨产品。
14、本申请实施例提供的一种石墨产品的膜层制备方法，应用于对石墨基材的部分区域进行膜层沉积的工艺。所述石墨产品的膜层制备方法包括：制备第一石墨产品，所述第一石墨产品具有上表面和下表面；在所述第一石墨产品的上表面制备应力释放槽，得到第二石墨产品；对所述第二石墨产品进行膜层沉积，得到第三石墨产品；对所述第三石墨产品的上表面进行第二材料去除处理，得到第四石墨产品，其中，所述第四石墨产品的上表面不具有所述应力释放槽。
15、通过在第一石墨产品的上表面制备应力释放槽，可以在膜层沉积的过程中，减少应力集中，从而减小第二石墨产品在膜层沉积过程的形变。
16、另外，通过对所述第三石墨产品的上表面进行第二材料去除处理，可以将应力释放槽去除，得到不完全涂覆的第四石墨产品，无需利用工装对不需要沉积的区域进行覆盖，避免了绕镀现象。同时，无需利用工装对不需要沉积的区域进行覆盖，也可以减少制造成本。
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1.一种石墨产品的膜层制备方法，其特征在于，应用于对石墨基材的部分区域进行膜层沉积的工艺；所述石墨产品的膜层制备方法包括：
2.根据权利要求1所述的石墨产品的膜层制备方法，其特征在于，所述制备第一石墨产品，包括：
3.根据权利要求2所述的石墨产品的膜层制备方法，其特征在于，所述对所述石墨基材进行第一材料去除处理，得到所述第一石墨产品，包括：
4.根据权利要求3所述的石墨产品的膜层制备方法，其特征在于，所述基于膜层沉积参数、所述石墨基材的膨胀系数和所述第四石墨产品的尺寸，确定所述第一石墨产品的尺寸参数之前，还包括：
5.根据权利要求4所述的石墨产品的膜层制备方法，其特征在于，所述基于预设膨胀系数计算公式和基于至少一组所述实验数据，确定所述石墨基材的膨胀系数，包括：
6.根据权利要求5所述的石墨产品的膜层制备方法，其特征在于，所述预设膨胀系数计算公式，包括：
7.根据权利要求1至6任一项所述的石墨产品的膜层制备方法，其特征在于，所述在所述第一石墨产品的上表面制备应力释放槽，得到第二石墨产品，包括：
8
9.根据权利要求8所述的石墨产品的膜层制备方法，其特征在于，
10.根据权利要求7所述的石墨产品的膜层制备方法，其特征在于，所述对所述第二石墨产品进行膜层沉积，得到第三石墨产品，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种石墨产品的膜层制备方法，其特征在于，应用于对石墨基材的部分区域进行膜层沉积的工艺；所述石墨产品的膜层制备方法包括：
2.根据权利要求1所述的石墨产品的膜层制备方法，其特征在于，所述制备第一石墨产品，包括：
3.根据权利要求2所述的石墨产品的膜层制备方法，其特征在于，所述对所述石墨基材进行第一材料去除处理，得到所述第一石墨产品，包括：
4.根据权利要求3所述的石墨产品的膜层制备方法，其特征在于，所述基于膜层沉积参数、所述石墨基材的膨胀系数和所述第四石墨产品的尺寸，确定所述第一石墨产品的尺寸参数之前，还包括：
5.根据权利要求4所述的石墨产品的膜层制备方法，其特征在于，所述基于预设膨胀系数计算公式和基于至少一组...
【专利技术属性】
技术研发人员：廖家豪，罗辉雄，唐植荔，柴攀，万强，
申请(专利权)人：湖南德智新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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