【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种改善小尺寸光电二极管剥落的方法。
技术介绍
1、在制作小尺寸超深光电二极管器件时，需要进行高深宽比刻蚀。由于深宽比较高，si etch(硅刻蚀)后续过程中photo diode(光电二极管)容易peeling(剥落)，同时会影响附近photo diode造成缺陷。
2、为解决上述问题，需要提出一种新型的改善小尺寸光电二极管剥落的方法。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种改善小尺寸光电二极管剥落的方法，用于解决现有技术中在制作小尺寸超深光电二极管器件时，需要进行高深宽比刻蚀。由于深宽比较高，硅刻蚀后续过程中光电二极管容易剥落，同时会影响附近光电二极管造成缺陷的问题。
2、为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种改善小尺寸光电二极管剥落的方法包括：
3、步骤一、提供衬底，在所述衬底上形成第一外延层，在所述第一外延层上形成硬掩膜层；
4、步骤二、在所述硬掩膜层上形成光刻胶层，光刻打开所述光刻胶层使得其下方的所述硬掩膜层裸露，以定义出光电二极管的形成区域以及所述硬掩膜层的保留区域，保留的所述硬掩膜层作为连接相邻的光电二极管的支撑结构；
5、步骤三、刻蚀裸露的所述硬掩膜层，使得其下方的所述第一外延层裸露，之后去除剩余的所述光刻胶层；
6、步骤四、刻蚀裸露的所述第一外延层形成光电二极管；
7、步骤五、刻蚀去除所述硬掩膜层下方的所
8、步骤六、在所述光电二极管上形成本征外延层，之后去除所述剩余的所述硬掩膜层；
9、步骤七、利用外延、研磨形成覆盖所述光电二极管的第二外延层。
10、优选地，步骤一中的所述衬底为硅衬底。
11、优选地，步骤一中的所述第一外延层为n型外延层。
12、优选地，步骤一中的所述硬掩膜层的材料为氮化硅和二氧化化硅中的至少一种。
13、优选地，步骤一中的所述第一外延层的厚度为3至6微米。
14、优选地，步骤二中的所述支撑结构的形状为条形。
15、优选地，步骤二中的所述支撑结构的宽度小于所述光电二极管的直径。
16、优选地，步骤二中的所述支撑结构为2根，其形状为x型。
17、优选地，步骤二中的所述支撑结构为4根，其形状为口型。
18、优选地，步骤三中的所述刻蚀的方法为各向异性的干法刻蚀。
19、优选地，步骤四中的所述刻蚀的方法为各向异性的干法刻蚀。
20、优选地，步骤四中刻蚀所述第一外延层的深度为3至3.6微米。
21、优选地，步骤五中的所述刻蚀的方法为各向同性的干法刻蚀。
22、优选地，步骤六中利用湿法刻蚀的方法去除剩余的所述硬掩膜层。
23、优选地，步骤六中的所述本征外延层的厚度为100至120纳米。
24、优选地，步骤七中的所述利用外延、研磨形成覆盖所述光电二极管的第二外延层的方法包括：形成覆盖所述光电二极管的所述第二外延层，之后利用化学机械平坦化的方法研磨所述第二外延层至所需高度。
25、优选地，步骤七中的所述第二外延层为p型外延层。
26、优选地，所述方法还包括在衬底上形成cis器件的步骤。
27、如上所述，本专利技术的改善小尺寸光电二极管剥落的方法，具有以下有益效果：
28、本专利技术利用硬掩膜层连接光电二极管，能够防止光电二极管剥落。
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1.一种改善小尺寸光电二极管剥落的方法，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的改善小尺寸光电二极管剥落的方法，其特征在于：步骤一中的所述衬底为硅衬底。
3.根据权利要求1所述的改善小尺寸光电二极管剥落的方法，其特征在于：步骤一中的所述第一外延层为N型外延层。
4.根据权利要求1所述的改善小尺寸光电二极管剥落的方法，其特征在于：步骤一中的所述第一外延层的厚度为3至6微米。
5.根据权利要求1所述的改善小尺寸光电二极管剥落的方法，其特征在于：步骤一中的所述硬掩膜层的材料为氮化硅和二氧化化硅中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的改善小尺寸光电二极管剥落的方法，其特征在于：步骤二中的所述支撑结构的形状为条形。
7.根据权利要求6所述的改善小尺寸光电二极管剥落的方法，其特征在于：步骤二中的所述支撑结构的宽度小于所述光电二极管的直径。
8.根据权利要求6所述的改善小尺寸光电二极管剥落的方法，其特征在于：步骤二中的所述支撑结构为2根，其形状为X型。
9.根据权利要求6所述的改善小尺寸光电
10.根据权利要求1所述的改善小尺寸光电二极管剥落的方法，其特征在于：步骤三中的所述刻蚀的方法为各向异性的干法刻蚀。
11.根据权利要求1所述的改善小尺寸光电二极管剥落的方法，其特征在于：步骤四中的所述刻蚀的方法为各向异性的干法刻蚀。
12.根据权利要求4所述的改善小尺寸光电二极管剥落的方法，其特征在于：步骤四中刻蚀所述第一外延层的深度为3至3.6微米。
13.根据权利要求1所述的改善小尺寸光电二极管剥落的方法，其特征在于：步骤五中的所述刻蚀的方法为各向同性的干法刻蚀。
14.根据权利要求1所述的改善小尺寸光电二极管剥落的方法，其特征在于：步骤六中利用湿法刻蚀的方法去除剩余的所述硬掩膜层。
15.根据权利要求1所述的改善小尺寸光电二极管剥落的方法，其特征在于：步骤六中的所述本征外延层的厚度为100至120纳米。
16.根据权利要求1所述的改善小尺寸光电二极管剥落的方法，其特征在于：步骤七中的所述利用外延、研磨形成覆盖所述光电二极管的第二外延层的方法包括：形成覆盖所述光电二极管的所述第二外延层，之后利用化学机械平坦化的方法研磨所述第二外延层至所需高度。
17.根据权利要求1所述的改善小尺寸光电二极管剥落的方法，其特征在于：步骤七中的所述第二外延层为P型外延层。
18.根据权利要求1所述的改善小尺寸光电二极管剥落的方法，其特征在于：所述方法还包括在衬底上形成CIS器件的步骤。
...【技术特征摘要】
1.一种改善小尺寸光电二极管剥落的方法，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的改善小尺寸光电二极管剥落的方法，其特征在于：步骤一中的所述衬底为硅衬底。
3.根据权利要求1所述的改善小尺寸光电二极管剥落的方法，其特征在于：步骤一中的所述第一外延层为n型外延层。
4.根据权利要求1所述的改善小尺寸光电二极管剥落的方法，其特征在于：步骤一中的所述第一外延层的厚度为3至6微米。
5.根据权利要求1所述的改善小尺寸光电二极管剥落的方法，其特征在于：步骤一中的所述硬掩膜层的材料为氮化硅和二氧化化硅中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的改善小尺寸光电二极管剥落的方法，其特征在于：步骤二中的所述支撑结构的形状为条形。
7.根据权利要求6所述的改善小尺寸光电二极管剥落的方法，其特征在于：步骤二中的所述支撑结构的宽度小于所述光电二极管的直径。
8.根据权利要求6所述的改善小尺寸光电二极管剥落的方法，其特征在于：步骤二中的所述支撑结构为2根，其形状为x型。
9.根据权利要求6所述的改善小尺寸光电二极管剥落的方法，其特征在于：步骤二中的所述支撑结构为4根，其形状为口型。
10.根据权利要求1所述的改善小尺寸光电二极管剥落的方法，其特征在于：步骤三中的所述刻蚀的方法为各向异...
【专利技术属性】
技术研发人员：常富强，范晓，李佳龙，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：
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