【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种改善ldmos击穿电压的结构及其制造方法。
技术介绍
1、dmos(double-diffused mos)由于具有耐高压，大电流驱动能力和极低功耗等特点，目前在电源管理电路中被广泛采用。在平面型ldmos(lateral dmos)器件中，随着应用电压不断增加，器件的终端隔离区ldmos和原胞区ldmos的bv(击穿电压)相差很大，使得器件的整体击穿电压偏低。
2、现有的ldmos结构(如图7所示)，其中，以n-ldmos为例，各标号对应结构为：100—p型衬底，101—n型埋层(n-type buried layer,nbl)，102—p型外延层，103—深n型阱(deepn-type well,dnw)，104—场板介质层/浅沟槽隔离(shallow trench isolation，sti)，105—深沟槽隔离(deep trench isolation，dti)，106—n型阱注入，107—p型阱注入，108—n型漂移区注入，109—栅极多晶硅，110—n型重掺杂注入，111—p型重掺杂注入，201—栅绝缘介质层。
3、终端的区的ldmos部分的漂移区和原胞区ldmos的漂移区采用的是同样的设计，无法将终端区ldmos的漂移区和原胞区ldmos的漂移区分开优化。为使得终端隔离区和原胞区的击穿电压分别达到最佳的设计，以提高器件的整体击穿电压，现有的器件结构仍需要优化。
4、为解决上述问题，需要提出一种新型的改善ldmos击穿电压的结构及其制造方法。<...
【技术保护点】
1.一种改善LDMOS击穿电压的结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的改善LDMOS击穿电压的结构，其特征在于：所述衬底为硅衬底。
3.根据权利要求1所述的改善LDMOS击穿电压的结构，其特征在于：所述衬底上形成有NLDMOS器件，所述NLDMOS器件中的所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型。
4.根据权利要求1所述的改善LDMOS击穿电压的结构，其特征在于：所述衬底上形成有PLDMOS器件，所述PLDMOS器件中的所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。
5.根据权利要求1所述的改善LDMOS击穿电压的结构，其特征在于：所述终端区中形成有一个所述LDMOS器件。
6.根据权利要求1所述的改善LDMOS击穿电压的结构，其特征在于：所述终端区、所述原胞区上相邻的两个所述LDMOS器件共用同一所述体区。
7.根据权利要求1所述的改善LDMOS击穿电压的结构，其特征在于：所述栅介质层的材料为二氧化硅。
8.根据权利要求1所述的改善LDMOS击穿电压的结构，其特征在于：所述侧
9.根据权利要求1所述的改善LDMOS击穿电压的结构，其特征在于：所述结构还包括利用第一导电类型的离子注入形成的位于所述体区上的体区引出区。
10.根据权利要求1至9仍一项所述的改善LDMOS击穿电压的结构的制造方法，其特征在于，至少包括：
11.根据权利要求1所述的改善LDMOS击穿电压的结构的制造方法，其特征在于：步骤一中的所述衬底为硅衬底。
12.根据权利要求1所述的改善LDMOS击穿电压的结构的制造方法，其特征在于：步骤一中的所述衬底上形成有NLDMOS器件，所述NLDMOS器件中的所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型。
13.根据权利要求1所述的改善LDMOS击穿电压的结构的制造方法，其特征在于：步骤一中的所述衬底上形成有PLDMOS器件，所述PLDMOS器件中的所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。
14.根据权利要求1所述的改善LDMOS击穿电压的结构的制造方法，其特征在于：步骤一中的所述终端区中形成有一个所述LDMOS器件。
15.根据权利要求1所述的改善LDMOS击穿电压的结构的制造方法，其特征在于：步骤一中的所述终端区、所述原胞区上相邻的两个所述LDMOS器件共用同一所述体区。
16.根据权利要求1所述的改善LDMOS击穿电压的结构的制造方法，其特征在于：步骤四中的所述栅介质层的材料为二氧化硅。
17.根据权利要求7所述的改善LDMOS击穿电压的结构的制造方法，其特征在于：步骤四中利用热氧化的方法形成所述栅极介质层。
18.根据权利要求1所述的改善LDMOS击穿电压的结构的制造方法，其特征在于：步骤四中所述形成位于所述栅极多晶硅层两侧的侧墙的方法包括：形成覆盖所述栅极多晶硅侧墙的侧墙材料层；回刻蚀所述侧墙材料层形成位于所述栅极多晶硅层两侧的侧墙。
19.根据权利要求1所述的改善LDMOS击穿电压的结构的制造方法，其特征在于：步骤四中的所述侧墙的材料为氧化硅。
20.根据权利要求1所述的改善LDMOS击穿电压的结构的制造方法，其特征在于：步骤五中还包括利用第一导电类型的离子注入形成位于所述体区上的体区引出区。
...【技术特征摘要】
1.一种改善ldmos击穿电压的结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的改善ldmos击穿电压的结构，其特征在于：所述衬底为硅衬底。
3.根据权利要求1所述的改善ldmos击穿电压的结构，其特征在于：所述衬底上形成有nldmos器件，所述nldmos器件中的所述第一导电类型为p型，所述第二导电类型为n型。
4.根据权利要求1所述的改善ldmos击穿电压的结构，其特征在于：所述衬底上形成有pldmos器件，所述pldmos器件中的所述第一导电类型为n型，所述第二导电类型为p型。
5.根据权利要求1所述的改善ldmos击穿电压的结构，其特征在于：所述终端区中形成有一个所述ldmos器件。
6.根据权利要求1所述的改善ldmos击穿电压的结构，其特征在于：所述终端区、所述原胞区上相邻的两个所述ldmos器件共用同一所述体区。
7.根据权利要求1所述的改善ldmos击穿电压的结构，其特征在于：所述栅介质层的材料为二氧化硅。
8.根据权利要求1所述的改善ldmos击穿电压的结构，其特征在于：所述侧墙的材料为氧化硅。
9.根据权利要求1所述的改善ldmos击穿电压的结构，其特征在于：所述结构还包括利用第一导电类型的离子注入形成的位于所述体区上的体区引出区。
10.根据权利要求1至9仍一项所述的改善ldmos击穿电压的结构的制造方法，其特征在于，至少包括：
11.根据权利要求1所述的改善ldmos击穿电压的结构的制造方法，其特征在于：步骤一中的所述衬底为硅衬底。
12.根据权利要求1所述的改善ldmos击穿电压的结构的...
【专利技术属性】
技术研发人员：许昭昭，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：
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