CIS器件及其制备方法技术

本申请提供一种CIS器件及其制备方法，其中制备方法包括：提供一衬底，衬底上形成有第一外延层和硬掩膜层；形成浅沟槽；在浅沟槽侧壁上形成衬垫氧化层；形成深沟槽；对当前结构进行预处理；对当前结构执行高温烘烤工艺；在深沟槽的底壁和剩余侧壁上形成缓冲外延层；形成填充深沟槽的第二外延层。本申请先形成浅沟槽，再形成衬垫氧化层，接着形成深沟槽，本申请通过在靠近深沟槽顶端的深沟槽的部分侧壁上形成衬垫氧化层，可以在后续高温烘烤时确保深沟槽底壁、侧壁上的自然氧化层彻底去除的同时，保护与硬掩膜层连接的第一外延层(硅柱)的形貌不被破坏，保证了足够大的高温烘烤窗口，避免了后续第二外延层的填充出现缺陷的情况。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体制造，具体涉及一种cis器件及其制备方法。

技术介绍

1、在大规模集成电路制造中，外延工艺技术因其质量好，掺杂浓度易控制，已得到越来越广泛的应用。对于一些特殊工艺的需求，常使用到选择性外延生长工艺(seg epi)。尤其在高深宽比的沟槽(trench)和孔洞(hole)外延填充工艺中，极易发生缺陷问题，如void(空洞缺陷)、dislocate(晶格错位缺陷)等，这大大影响了器件电性参数。

2、cis(cmos image sensor，cmos图像传感器)产品super cap外延特殊工艺需要在特殊结构的深沟槽里填充质量良好的外延层，但由于其填充结构主体为圆柱体，结构尺寸非常小，外延高温h2烘烤会在外延生长前对硅柱结构造成一定的影响，使硅柱结构发生一定的变化，导致当前结构外延烘烤窗口严重不足，从而导致后续填充出现缺陷，烘烤温度过高产生外延缺陷的原因主要是因为高温烘烤改变顶部硅柱形貌，使硬掩膜层的直径大于硅柱的直径导致缺陷向下延伸，影响良率，影响电性参数；而如果采用较低的温度烘烤，该结构的高深宽比常常导致深沟槽中的自然氧化层无法本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种CIS器件的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的CIS器件的制备方法，其特征在于，所述衬垫氧化层的厚度不超过

3.根据权利要求1所述的CIS器件的制备方法，其特征在于，覆盖所述浅沟槽侧壁的所述衬垫氧化层的高度为所述深沟槽总深度的1/20～1/2。

4.根据权利要求1所述的CIS器件的制备方法，其特征在于，对形成所述深沟槽之后的半导体结构进行预处理包括：

5.根据权利要求1所述的CIS器件的制备方法，其特征在于，在对预处理之后的半导体结构执行高温烘烤工艺的过程中，烘烤温度为900℃～1100℃；烘烤时间为15s～12...

【技术特征摘要】

1.一种cis器件的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的cis器件的制备方法，其特征在于，所述衬垫氧化层的厚度不超过

3.根据权利要求1所述的cis器件的制备方法，其特征在于，覆盖所述浅沟槽侧壁的所述衬垫氧化层的高度为所述深沟槽总深度的1/20～1/2。

4.根据权利要求1所述的cis器件的制备方法，其特征在于，对形成所述深沟槽之后的半导体结构进行预处理包括：

5.根据权利要求1所述的cis器件的制备方法，其特征在于，在对预处理之后的半导体结构执行高温烘烤工艺的过程中，烘烤温度为900℃～1100℃；烘烤时间为15s～1...

【专利技术属性】
技术研发人员：李睿，曹志伟，张召，余文达，黄萌辉，范永胜，刘悦，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：