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本申请提供一种CIS器件及其制备方法，其中制备方法包括：提供一衬底，衬底上形成有第一外延层和硬掩膜层；形成浅沟槽；在浅沟槽侧壁上形成衬垫氧化层；形成深沟槽；对当前结构进行预处理；对当前结构执行高温烘烤工艺；在深沟槽的底壁和剩余侧壁上形成缓冲...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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