【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体集成电路制造，具体涉及一种cis的制作方法。
技术介绍
1、图像传感器中，互补金属氧化物半导体图像传感器(complementary metal oxidesemiconductor contact image sensor，cis)是采用cmos器件制作的图像传感器，由于其具有功耗低、集成度高、成本低、可随机读取以及与标准cmos工艺相兼容等优势，被广泛应用于摄影摄像、安防系统、智能便携电话以及医疗电子等领域。
2、在cis的制作过程中，由于会受到金属污染、工艺波动、原材料变化等因素的影响，像素(pixel)单元会在没有光照时产生电荷，而电荷的积累将产生暗电流(dark current)。对于一个像素单元来说，如果其暗电流值超过通过捕获光电子产生的光电流后，该像素单元就会被认为是白噪点(white pixel，wp)，即wp就是暗电流过大的像素单元。
3、金属污染是产生wp的最为重要的因素之一。鉴于此，相关技术中，降低金属污染方法主要通过以下方式：(1)超高纯的药剂和气体；(2)设备采用超高纯净的反应装置；(3)降低退火工艺的温度减少金属杂质的扩散，但是热预算的缺失会对可靠性带来影响。
4、对于方法(1)、(2)，存在成本较高的问题；对于方法(3)，存在热预算的缺失会对可靠性带来影响的问题。因此，亟待提供一种cis的制作方法，具有成本较低且无需降低退火，较为容易地实现降低cis产品的金属污染，降低wp的产生。
技术实现思路
1、
2、提供一晶圆，所述晶圆的两个相对的底面分别为正面和背面，所述背面形成有lto层，所述正面用于形成cis的相关器件结构；
3、去除所述lto层；
4、在所述正面形成氧化层；
5、在所述氧化层上形成第一多晶硅层；
6、在所述背面形成第二多晶硅层，所述第二多晶硅层用于吸收后续的制作工艺中产生的金属离子杂质；
7、去除所述氧化层和所述第一多晶硅层。
8、在一些实施例中，所述去除所述lto层，包括：
9、通过湿法刻蚀工艺去除所述lto层。
10、在一些实施例中，所述在所述氧化层上形成第一多晶硅层，包括：
11、通过炉管中的沉积工艺在所述氧化层上形成所述第一多晶硅层；
12、所述在所述背面形成第二多晶硅层，包括：
13、通过炉管中的沉积工艺在所述背面形成所述第二多晶硅层。
14、在一些实施例中，所述去除所述氧化层和所述第一多晶硅层，包括：
15、通过湿法刻蚀工艺去除所述第一多晶硅层；
16、进行平坦化，去除所述氧化层。
17、在一些实施例中，所述在所述正面形成氧化层，包括：
18、通过炉管氧化工艺形成所述氧化层。
19、在一些实施例中，所述在所述正面形成氧化层，包括：
20、通过issg工艺沉积形成所述氧化层。
21、本申请技术方案，至少包括如下优点：
22、通过在cis的制作工艺中，在晶圆正面制作cis的相关器件结构之前，在晶圆背面形成第二多晶硅层，由于多晶硅能够促进硅衬底内的氧沉淀，产生了内吸杂作用，且在后续的制作过程中，高温过程氧化会使得多晶硅层减薄至耗尽，但是氧化到达衬底底部时，将诱生高密度氧化层错和位错，而这些位错和层错继续产生吸杂作用，从而实现了低成本且无需降低退火地降低cis的金属污染。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种CIS的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除所述LTO层，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述氧化层上形成第一多晶硅层，包括：
4.根据权利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，所述去除所述氧化层和所述第一多晶硅层，包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在所述正面形成氧化层，包括：
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在所述正面形成氧化层，包括：
【技术特征摘要】
1.一种cis的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除所述lto层，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述氧化层上形成第一多晶硅层，包括：
4.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：李金鹏，郑晓辉，张栋，范晓，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：
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