温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种改善LDMOS击穿电压的结构，包括第一导电类型的衬底，衬底上具有终端区和原胞区，在终端区和原胞区上形成有第二导电类型的埋层，在衬底上形成有外延层，在外延层上形成有第二导电类型的深掺杂阱；在外延层上形成有浅沟槽隔离以定义出LDM...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。