本发明专利技术公开了低局放高功率薄膜电容器，包括壳体、设置在壳体内部的电芯、与壳体配合安装密封胶盖，所述电芯上的引线贯穿密封胶盖，所述密封胶盖上设置有注胶孔、抽气孔；还包括填充在壳体、电芯、密封胶盖之间的绝缘介质。本低局放高功率薄膜电容器的技术方案中，电芯在高真空状态下卷制，使电芯处于接近没有尘粒状态，大大提高了电容电极间的畸变场强分布可能。电芯在高真空状态下卷制，使得电芯介质膜料间接近分子接触，电芯介质膜料间无气隙残留而导致的电场畸变和空气电离、电晕现象，从而大大降低了局部放电的因子。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电容器，尤其涉及低局放高功率薄膜电容器，及低局放高功率薄膜电容器的制备方法。
技术介绍
1、局部放电是仅发生在绝缘体中的一部分区域的放电，这些放电也可能发生在电极上，但也可能是“无电极”发生在电场空间。局部放电是指在电极之间但并未贯穿电极的放电，它是由于设备绝缘内部存在弱点或生产过程中造成的缺陷，在高电场强度作用下发生重复击穿和熄灭的现象。在发生局部放电时，不但会产生损耗，其产生的高能电子和uv辐射会对周围的绝缘造成损伤。
2、如果电力系统中的电场强度变化到高值并且超过电力电容器表面的电介质所承受的电场强度时，此时电介质的绝缘能力将被破坏，于是被击穿放电，在薄膜电容器中，会由于局部放电使电容膨胀，早期损坏以及发生爆炸的现象早已引起制造部门和运行部门的重视。例如，在全膜电容器中，介质损耗大大降低，热击穿可能性下降了，更加突出了电击穿的可能性。因此，在设计制造全膜电容器时，首先应考虑的就是局部放电问题。
3、针对上述问题，设计一种低局放高功率薄膜电容器，及低局放高功率薄膜电容器的制备方法。
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【技术保护点】
1.低局放高功率薄膜电容器，包括壳体(10)、设置在壳体(10)内部的电芯(20)、与壳体(10)配合安装密封胶盖(30)，所述电芯(20)上的引线(21)贯穿密封胶盖(30)，其特征在于，所述密封胶盖(30)上设置有注胶孔(31)、抽气孔(32)；
2.根据权利要求1所述的低局放高功率薄膜电容器，其特征在于，所述环氧树脂、聚氨酯以及聚酯的重量比为2:1:1。
3.根据权利要求1所述的低局放高功率薄膜电容器，其特征在于，所述聚氨酯与凹凸棒土的重量比为10:1。
4.根据权利要求1所述的低局放高功率薄膜电容器，其特征在于，所述固化剂采用甲基四氢苯酐或者甲...
【技术特征摘要】
1.低局放高功率薄膜电容器，包括壳体(10)、设置在壳体(10)内部的电芯(20)、与壳体(10)配合安装密封胶盖(30)，所述电芯(20)上的引线(21)贯穿密封胶盖(30)，其特征在于，所述密封胶盖(30)上设置有注胶孔(31)、抽气孔(32)；
2.根据权利要求1所述的低局放高功率薄膜电容器，其特征在于，所述环氧树脂、聚氨酯以及聚酯的重量比为2:1:1。
3.根据权利要求1所述的低局放高功率薄膜电容器，其特征在于，所述聚氨酯与凹凸棒土的重量比为10:1。
4.根据权利要求1所述的低局放高功率薄膜电容器，其特征在于，所述固化剂采用甲基四氢苯酐或者甲基六氢苯酐。
5.根据权利要求1所述的低局放高功率薄膜电容器，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：李先俊，
申请(专利权)人：黄山申格电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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