一种半导体器件及制作方法技术

本发明专利技术提供一种半导体器件及制作方法，包括衬底、介质层和第一场板，衬底上设有层叠的沟道层和势垒层；介质层位于势垒层上方，介质层中设置有栅金属层和漏金属层，栅金属层包括栅纵向部及位于栅纵向部顶端侧面的栅横向部，栅横向部的至少一部分朝向漏金属层；第一场板位于栅纵向部与源金属层之间，且第一场板位于栅横向部的下方，在沿栅金属层的延伸方向上，栅横向部非连续设置，第一场板非连续设置。本发明专利技术中栅横向部下方设置有第一场板，能够调节栅端的电场，并且栅横向部非连续设置，第一场板非连续设置，能够降低栅横向部和第一场板的交叠面积，降低寄生电容，实现更好的表面电场调节有效性和寄生电容之间的折中。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体，涉及一种半导体器件及制作方法。

技术介绍

1、第三代半导体材料氮化镓(gan)因其具有较宽的禁带宽度和较高的电子饱和速度，成为高压和高频应用的理想候选材料。氮化镓半导体具有超高的临界击穿电场，可实现更高的功率密度，十分适合制作高电子迁移率晶体管(hemt)，具有耐高电压、高频、高速、低导通电阻等优势。

2、如图1所示，显示为一种hemt器件的示意图，衬底01上形成有gan沟道层02和algan势垒层03，源极金属层05位于介质层04中与algan势垒层03连接，栅极金属层06位于介质层04中与algan势垒层03连接，其中，栅极金属层06位于介质层04上方的部分可以看作栅场板。如图2所示，显示为图1所示的hemt器件的电势分布图，栅极端电场07集中在栅极金属层06靠近源极金属层05的一端，使得栅极端电场07较大，通常需要场板来调节，传统结构是场板和栅极集成在一起，寄生电容和电场调节有效性之间存在矛盾，影响器件性能。

3、因此，如何提供一种半导体器件及制作方法，以均衡寄生电容和电场调节有效性，提高器件性能，成为本本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述第一场板的横截面包括相接的矩形部和梯形部，所述栅横向部的横截面包括相接的矩形部和梯形部，所述第一场板中矩形部指向梯形部的方向与所述栅横向部中矩形部指向梯形部的方向相反。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述第一场板的横截面呈梯形，所述栅横向部的横截面呈梯形，所述第一场板中长边指向短边的方向与所述栅横向部中长边指向短边的方向相反。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述第一场板的横截面呈矩形，所述栅横向部的横截面呈矩形。

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【技术特征摘要】

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述第一场板的横截面包括相接的矩形部和梯形部，所述栅横向部的横截面包括相接的矩形部和梯形部，所述第一场板中矩形部指向梯形部的方向与所述栅横向部中矩形部指向梯形部的方向相反。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述第一场板的横截面呈梯形，所述栅横向部的横截面呈梯形，所述第一场板中长边指向短边的方向与所述栅横向部中长边指向短边的方向相反。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述第一场板的横截面呈矩形，所述栅横向部的横截面呈矩形。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述栅金属层的纵截面呈“t”型或“γ”型。...

【专利技术属性】
技术研发人员：张安邦，
申请(专利权)人：上海新微半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：