上海新微半导体有限公司专利技术

上海新微半导体有限公司共有42项专利

  • 本发明提供了一种半导体器件,包括衬底及位于所述衬底上的外延层,所述外延层包括由下至上依次堆叠的第一接触层、倍增层、电荷层、吸收层及第二接触层;所述外延层中具有第一台阶和第二台阶,所述第一台阶从所述第二接触层延伸至所述吸收层内,所述第二台...
  • 本发明提供一种雪崩光电探测器及其制作方法,该雪崩光电探测器包括衬底、外延结构、上电极层及微纳结构,其中,外延结构位于衬底上方,外延结构包括上电极接触层,上电极层位于上电极接触层上方,微纳结构位于衬底上方,微纳结构还位于上电极层中和/或上...
  • 本发明提供了一种半导体器件,包括基底、堆叠层及钝化层,所述堆叠层位于所述基底的部分表面上,包括电镀金属层及位于所述电镀金属层上的金属粘附层,所述钝化层位于所述基底的剩余表面上,并延伸至覆盖所述堆叠层。本发明中的所述金属粘附层可以增加所述...
  • 本发明提供了一种半导体激光器的外延结构,包括外延衬底及其上的异质结缓冲层、第一接触层、激光器功能叠层及第二接触层;异质结缓冲层至少包括第一刻蚀阻挡层及辅助缓冲层,第一刻蚀阻挡层位于辅助缓冲层上并与辅助缓冲层构成异质结。第一刻蚀阻挡层与辅...
  • 本发明提供一种背入射雪崩光电探测器及其制作方法,该光电探测器包括衬底、外延结构及聚光微透镜,其中,衬底包括相对设置的正面及背面,入射光线经由背面进入背入射雪崩光电探测器内;外延结构位于衬底的正面,包括依次叠置的倍增层、电荷层及吸收层;聚...
  • 本发明提供一种半导体器件及其制作方法,该制作方法包括步骤:提供一半导体层,其上形成有栅介质层;形成与至少一部分栅介质层连接的导电金属层于栅介质层上方;形成源极金属、漏极金属及第一场板于半导体层的上方,源极金属及漏极金属贯穿栅介质层与半导...
  • 本发明提供一种HEMT器件及其制备方法。所述HEMT器件包括衬底、沟道层、势垒层、P型GaN栅极、栅极电极、源极电极及漏极电极;所述沟道层位于衬底上,所述势垒层位于沟道层上,势垒层和沟道层的界面处形成二维电子气;所述P型GaN栅极、源极...
  • 本发明提供一种GaN射频器件及其制备方法,结合牺牲层、刻蚀停止层及钝化层,采用电子束光刻及等离子体刻蚀相结合的方式,可形成具有对称结构的栅极沟槽,可实现套刻自对准工艺,且曝光时间短,制备的栅金属电极的高度不受限,进一步的,在结合栅下介电...
  • 本发明提供了一种半导体激光器的失效样品的制备方法,首先提供已封装的半导体激光器,然后对所述半导体激光器进行固封,以将所述半导体激光器包裹在固封材料内形成固封体,然后对所述固封体进行研磨,直至去除光芯片的背金层的有效区域,并通过湿法刻蚀工...
  • 本发明提供一种GaN器件及其制备方法,通过形成具有不同功函数的第一栅金属电极及第二栅金属电极,且使得第二栅金属电极位于具有较大功函数的第一栅金属电极的外围,从而可使得GaN器件具有不同的微区栅控能力,构成具有不同局部阀值电压的GaN器件...
  • 本实用新型提供一种分子束外延设备中的衬底托板,将晶圆衬底通过卡槽固定,可以缩小晶圆衬底与衬底托板的接触面积,从而扩大了分子束外延工艺过程中晶圆衬底的可利用面积,还可以提升外延生长过程中,晶圆衬底边缘的热均匀性,从而提高晶圆生长良率;此外...
  • 本发明提供一种射频芯片在片测试的去嵌结构、方法、存储介质及终端,包括:基于第一、第二微带线测试结构的T参数得到测试夹具的直通T参数,并转换为测试夹具的直通S参数;测试负载测试结构,分别得到待测件两侧的测试夹具的反射系数;基于待测件两侧的...
  • 本发明提供一种集成电容器及其制备方法,该集成电容器包括衬底、介电层、下极板层、第一介质层、凹槽、第二介质层及上极板层,其中,介电层覆盖衬底上表面;下极板层位于介电层的上表面,下极板层沿X方向的长度小于介电层沿X方向的长度;第一介质层中设...
  • 本发明提供一种半导体器件结构及其制备方法,器件结构包括:衬底层、器件外延层、场板介质层、负电容介质层、栅极层、场板电极;场板介质层设置于器件外延层上,负电容介质层设置于场板介质层上,栅极层设置于场板介质层和负电容介质层的第一侧,且栅极层...
  • 本发明提供一种半导体器件结构及其制备方法,所述半导体器件结构包括:衬底层、生长阻挡层、外延结构;衬底层的材料为(110)单晶硅;衬底层设置多个相间的凹槽,生长阻挡层覆盖凹槽的第一侧壁,外延结构覆盖凹槽的第二侧壁并突出于凹槽形成脊形外延部...
  • 本发明提供一种半导体器件及其制备方法,制备方法包括:于衬底层上设置介质层;于所述介质层形成多个凹槽;于凹槽内设置成核层,成核层和介质层形成复合层;于复合层上生长金刚石层;去除衬底层,以显露出复合层;于复合层的表面设置三五族化合物层。本发...
  • 本发明提供了一种高电子迁移率晶体管及其制备方法。该高电子迁移率晶体管中,势垒层位于非栅极区域的部分中掺杂有硅离子,势垒层位于栅极区域的部分中则未掺杂有硅离子或者仅有扩散的少量硅离子,从而可以在维持器件的较高阈值电压的情况下,大大提高沟道...
  • 本发明提供一种集成电容器及其制备方法,该集成电容器包括衬底、介电层、下极板层、第一介质层、第二介质层、接触孔、焊垫及上极板层,其中,介电层覆盖衬底上表面;下极板层位于介电层上表面,在X方向下极板层的长度小于介电层的长度;第一介质层覆盖下...
  • 本发明提供了一种高电子迁移率晶体管及其制备方法。该制备方法中,在形成P型掺杂层后,利用退火工艺促使P型掺杂层中的P型离子在栅极区域向下扩散至势垒层中,从而可提高器件的阈值电压。此外,还有利于增大势垒层中的铝镓氮层内铝的组份,并可进一步增...
  • 本发明提供一种边发射半导体激光器及其制备方法,该边发射半导体激光器包括半导体层、介电层、第一导热层、第二导热层、顶电极及翼型散热层,其中,半导体层包括衬底、外延层、脊波导及凹槽,外延层位于衬底的上表面,凹槽位于外延层上表层且开口向上,凹...