本发明提供了一种高电子迁移率晶体管及其制备方法。该高电子迁移率晶体管中，势垒层位于非栅极区域的部分中掺杂有硅离子，势垒层位于栅极区域的部分中则未掺杂有硅离子或者仅有扩散的少量硅离子，从而可以在维持器件的较高阈值电压的情况下，大大提高沟道...

本发明提供一种集成电容器及其制备方法，该集成电容器包括衬底、介电层、下极板层、第一介质层、第二介质层、接触孔、焊垫及上极板层，其中，介电层覆盖衬底上表面；下极板层位于介电层上表面，在X方向下极板层的长度小于介电层的长度；第一介质层覆盖下...

本发明提供了一种高电子迁移率晶体管及其制备方法。该制备方法中，在形成P型掺杂层后，利用退火工艺促使P型掺杂层中的P型离子在栅极区域向下扩散至势垒层中，从而可提高器件的阈值电压。此外，还有利于增大势垒层中的铝镓氮层内铝的组份，并可进一步增...

本发明提供一种边发射半导体激光器及其制备方法，该边发射半导体激光器包括半导体层、介电层、第一导热层、第二导热层、顶电极及翼型散热层，其中，半导体层包括衬底、外延层、脊波导及凹槽，外延层位于衬底的上表面，凹槽位于外延层上表层且开口向上，凹...

本发明提供一种多波长半导体激光器及其制备方法，该多波长半导体激光器包括衬底、第一叠层结构、光栅层、第二叠层结构、脊波导及介电层，其中，第一叠层结构位于衬底上表面，包括依次层叠的第一导电类型包层、第一导电类型波导层、量子阱层、第二导电类型...

本发明提供一种半导体器件结构及其制备方法，半导体器件结构包括：衬底层、埋氧层、第一基层、第二基层、第一器件结构和第二器件结构，第一基层上设置三五族化合物半导体层，第一器件结构基于三五族化合物半导体层形成，第一基层材料为金刚石薄膜。本发明...

本发明提供了一种HEMT器件和电容器的集成结构及其集成方法、功率放大器。该集成结构中，将电容器集成设置在HEMT器件的同一衬底上，并可将HEMT器件中用于对器件进行钝化保护的第一钝化层同时用作电容器的电容介质层，使得器件结构得以简化，并...

本发明提供了一种集成电感及其制备方法。该集成电感中，利用不同结构层内的多条第一金属线和多条第二金属线形成三维立体结构的螺旋线圈，大大缩减了占用面积，并能够有效提高Q值。同时，在螺旋线圈内还设置有磁芯，实现了Q值的进一步提升。以及，第二金...

本发明提供了金刚石基外延结构及其制备方法、半导体器件的制备方法。利用缓冲层随形覆盖第一沟槽而限定出散热通道，以及外延层是基于第一衬底进行外延生长，保障了所形成的外延层的晶格质量，从而在制备金刚石衬底时即有利于降低金刚石衬底的制备难度和成...

本发明提供一种赝配高电子迁移率晶体管、外延结构及制备方法，复合缓冲层可以在较短生长时间内充分的阻止衬底的缺陷向沟道延伸，增强器件质量；InGaAs复合沟道层In组分和各层厚度渐变，以最大限度的增加InGaAs沟道内In的含量，形成良好的...

本发明提供一种光电探测器及其制备方法，通过在半导体外延结构的扩散区中先刻蚀形成图形化的沟槽，并在沟槽中选择性生长顶面为凹曲面的曲率型填充扩散层后，结合1次选择性扩散工艺，形成扩散层，避免进行2次或多次选择性扩散的工艺制程，简化工艺流程；...

本发明提供一种GaN管芯的制备方法，包括：对GaN晶圆执行正面工艺以获得多个GaN管芯；于GaN晶圆的正面定义相邻GaN管芯之间的切割道，去除切割道内GaN外延层；使GaN晶圆正面面向临时键合基板且与临时键合基板进行键合；对衬底的背面进...

本发明提供一种化合物半导体晶圆的制作方法，包括：提供一衬底，衬底的正面上依次形成化合物半导体晶圆的外延结构、正面器件结构以及引出金属层；覆盖正面器件结构形成钝化保护层；使化合物半导体晶圆的正面与第一支撑基板进行临时键合；对化合物半导体晶...

本发明提供一种基于SOI和III

本实用新型提供一种氮化镓HEMT器件结构，包括衬底及氮化镓HEMT器件正面结构，衬底具有相对的第一表面和第二表面，氮化镓HEMT器件正面结构设置于衬底的第一表面，衬底上设置有若干贯穿衬底的吸氢孔洞，第二表面除吸氢孔洞外的区域表面形成有背...

本实用新型提供一种氮化镓功率器件封装结构，包括衬底、晶体管、ESD屏蔽层及氢气吸收层；ESD屏蔽层与衬底相接触，形成电连接；晶体管位于衬底表面，且位于ESD屏蔽层和衬底封闭而成的空间内；氢气吸收层位于ESD屏蔽层的内表面，氢气吸收层包括...

本实用新型提供一种半导体器件结构，所述半导体器件结构包括衬底、位于衬底上的晶体管及位于所述晶体管周向上的切割道，所述切割道与所述晶体管相邻的一侧设置有氢气吸收层，所述氢气吸收层包括钛金属层和位于钛金属层表面的能渗透氢的保护层。本实用新型...

本发明提供一种半导体光电器件及其制备方法，通过在半导体衬底中形成凹槽，以及在凹槽中填充金属填充层，从而将半导体衬底划分为具有不同厚度的区域，其中，半导体衬底较厚的区域，可满足半导体衬底良好的支撑作用，同时半导体衬底局部被减薄的区域，以及...

本发明提供一种基于Al离子注入的GaN异质外延缓冲层的制作方法，包括步骤：1)提供一用于GaN异质外延生长的衬底；2)于衬底表层进行Al元素注入，其中，Al元素的注入浓度大于衬底的Al元素固溶度；3)对衬底进行退火工艺以修复衬底的晶格缺...

本发明提供一种用于超薄晶圆解键合的分离装置及分离方法，分离装置包括：分离腔，分离腔的上下两端设置为开口，分离腔内设置有第一插槽以及第二插槽，第一插槽位于第二插槽之上；第一载板，第一载板上具有贯穿第一载板的多个第一通孔，第一载板通过键合材...