本发明提供了一种光电探测器，外延衬底的上表面上设置有外延层，所述外延层上设置有第一电极和第二电极，外延衬底的下表面为光入射面；所述外延衬底的上表面与散热衬底的上表面相对设置，所述散热衬底的上表面上具有第一金属层和第二金属层，通过第一导电...

本发明提供一种空气桥的制备方法及半导体器件的制备方法。其中，所述空气桥的制备方法是采用金属蒸镀工艺来形成空气桥，有效避免电镀工艺制备的弊端，精简工艺流程，提高制备效率。且在制备过程中，第一光刻胶层和第二光刻胶层之间形成有水洗胶层，且水洗...

本发明提供一种赝配高电子迁移率晶体管及其制备方法。其中，所述方法是先在所述栅槽内形成第一图案化光刻胶层以限定栅极结构的栅长，规避了蒸镀工艺的蒸发角度对栅长的影响，提高栅长限定的灵活度和精准度。然后，采用第一介质层覆盖所述衬底和所述栅槽暴...

本发明提供一种半导体边发射器件及其制作方法，该半导体边发射器件包括衬底及位于衬底上方的波导层，其中，波导层包括主波导及分列于主波导两侧并与之间隔预设距离的第一辅助波导及第二辅助波导，第一辅助波导及第二辅助波导用于抑制不同波长下的高阶横模...

本发明提供一种雪崩光电二极管的外延结构及其制作方法，包括在衬底之上生长吸收层、电荷层及倍增层，形成倍增层的步骤包括；依次生长本征或非故意掺杂的半导体层及N型调控层，N型调控层中设置自倍增层的表面向内部延伸的P型扩散区。本发明通过引入具有...

本发明提供一种半导体结构及其制作方法，该制作方法包括以下步骤：提供一衬底并将衬底置于反应腔室中，形成外延结构层于衬底上，外延结构层包括缓冲层及掺杂氮化镓外延层，其中，形成掺杂氮化镓外延层时向反应腔室中通入掺杂源以进行掺杂，掺杂源的通入过...

本发明提供一种漏极结构及制作方法，该漏极结构包括：衬底、N型掺杂欧姆接触层、介质层和漏极金属层，其中，衬底上设置有自下而上层叠的沟道层和势垒层；N型掺杂欧姆接触层由势垒层的上表面向下延伸至沟道层中；介质层位于势垒层上方，介质层中设置有开...

本发明提供一种半导体器件及制作方法，包括衬底、介质层和第一场板，衬底上设有层叠的沟道层和势垒层；介质层位于势垒层上方，介质层中设置有栅金属层和漏金属层，栅金属层包括栅纵向部及位于栅纵向部顶端侧面的栅横向部，栅横向部的至少一部分朝向漏金属...

本发明提供了一种半导体器件，包括衬底及位于所述衬底上的外延层，所述外延层包括由下至上依次堆叠的第一接触层、倍增层、电荷层、吸收层及第二接触层；所述外延层中具有第一台阶和第二台阶，所述第一台阶从所述第二接触层延伸至所述吸收层内，所述第二台...

本发明提供一种雪崩光电探测器及其制作方法，该雪崩光电探测器包括衬底、外延结构、上电极层及微纳结构，其中，外延结构位于衬底上方，外延结构包括上电极接触层，上电极层位于上电极接触层上方，微纳结构位于衬底上方，微纳结构还位于上电极层中和/或上...

本发明提供了一种半导体器件，包括基底、堆叠层及钝化层，所述堆叠层位于所述基底的部分表面上，包括电镀金属层及位于所述电镀金属层上的金属粘附层，所述钝化层位于所述基底的剩余表面上，并延伸至覆盖所述堆叠层。本发明中的所述金属粘附层可以增加所述...

本发明提供了一种半导体激光器的外延结构，包括外延衬底及其上的异质结缓冲层、第一接触层、激光器功能叠层及第二接触层；异质结缓冲层至少包括第一刻蚀阻挡层及辅助缓冲层，第一刻蚀阻挡层位于辅助缓冲层上并与辅助缓冲层构成异质结。第一刻蚀阻挡层与辅...

本发明提供一种背入射雪崩光电探测器及其制作方法，该光电探测器包括衬底、外延结构及聚光微透镜，其中，衬底包括相对设置的正面及背面，入射光线经由背面进入背入射雪崩光电探测器内；外延结构位于衬底的正面，包括依次叠置的倍增层、电荷层及吸收层；聚...

本发明提供一种半导体器件及其制作方法，该制作方法包括步骤：提供一半导体层，其上形成有栅介质层；形成与至少一部分栅介质层连接的导电金属层于栅介质层上方；形成源极金属、漏极金属及第一场板于半导体层的上方，源极金属及漏极金属贯穿栅介质层与半导...

本发明提供一种HEMT器件及其制备方法。所述HEMT器件包括衬底、沟道层、势垒层、P型GaN栅极、栅极电极、源极电极及漏极电极；所述沟道层位于衬底上，所述势垒层位于沟道层上，势垒层和沟道层的界面处形成二维电子气；所述P型GaN栅极、源极...

本发明提供一种GaN射频器件及其制备方法，结合牺牲层、刻蚀停止层及钝化层，采用电子束光刻及等离子体刻蚀相结合的方式，可形成具有对称结构的栅极沟槽，可实现套刻自对准工艺，且曝光时间短，制备的栅金属电极的高度不受限，进一步的，在结合栅下介电...

本发明提供了一种半导体激光器的失效样品的制备方法，首先提供已封装的半导体激光器，然后对所述半导体激光器进行固封，以将所述半导体激光器包裹在固封材料内形成固封体，然后对所述固封体进行研磨，直至去除光芯片的背金层的有效区域，并通过湿法刻蚀工...

本发明提供一种GaN器件及其制备方法，通过形成具有不同功函数的第一栅金属电极及第二栅金属电极，且使得第二栅金属电极位于具有较大功函数的第一栅金属电极的外围，从而可使得GaN器件具有不同的微区栅控能力，构成具有不同局部阀值电压的GaN器件...

本实用新型提供一种分子束外延设备中的衬底托板，将晶圆衬底通过卡槽固定，可以缩小晶圆衬底与衬底托板的接触面积，从而扩大了分子束外延工艺过程中晶圆衬底的可利用面积，还可以提升外延生长过程中，晶圆衬底边缘的热均匀性，从而提高晶圆生长良率；此外...

本发明提供一种射频芯片在片测试的去嵌结构、方法、存储介质及终端，包括：基于第一、第二微带线测试结构的T参数得到测试夹具的直通T参数，并转换为测试夹具的直通S参数；测试负载测试结构，分别得到待测件两侧的测试夹具的反射系数；基于待测件两侧的...