本发明提供了一种基于预通孔刻蚀的GaN基HEMT器件的制备方法，该制备方法先在衬底中形成深沟槽并填充牺牲介质层，并在GaN基HEMT器件正面结构制作完成后减薄将深沟槽显露出来，去除牺牲介质层后，只需对外延层结构进行刻蚀就能形成引出源极金...

本发明提供一种基于衬底导电孔的GaN基HEMT器件及其制备方法，先在衬底中形成深沟槽并填充导电材料层形成导电孔，同时通过在外延层结构中制备源极深孔将源极金属连接至该导电孔，后续在GaN基HEMT器件正面结构制作完成后减薄将导电孔从衬底背...

本发明提供了一种HEMT器件的栅极、HEMT器件及其制备方法，所述HEMT器件的栅极包括：栅脚，所述栅脚位于HEMT器件的源极与漏极之间，所述栅脚至少是两排；栅帽，所述栅帽位于所述栅脚上方，并与所述栅脚连接。本发明提供的栅极包括至少两排...

本发明提供了一种GaN‑HEMT器件上倾角结构的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：在具有GaN‑HEMT外延结构晶圆的表面依次生长第一SiN层、多晶硅层、二氧化硅层与第二SiN层；光刻开口，然后依次刻蚀第二SiN层、二氧化硅层与多晶硅...