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本发明提供一种半导体器件及制作方法，包括衬底、介质层和第一场板，衬底上设有层叠的沟道层和势垒层；介质层位于势垒层上方，介质层中设置有栅金属层和漏金属层，栅金属层包括栅纵向部及位于栅纵向部顶端侧面的栅横向部，栅横向部的至少一部分朝向漏金属层；...
该专利属于上海新微半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海新微半导体有限公司授权不得商用。

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