【技术实现步骤摘要】
本公开涉及显示，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置。
技术介绍
1、薄膜晶体管(thin film transistor，tft)作为开关控制元件或周边驱动电路的集成元件，是平板显示技术中的核心器件。然而根据目前的阵列基板制造工艺，存在薄膜晶体管的开态电流偏低的问题，无法满足日益增长的高质量显示要求。
技术实现思路
1、鉴于上述问题，本公开提供了一种阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置，能够减少像素电极与薄膜晶体管有源层之间的接触阻抗，从而提升薄膜晶体管的开态电流。
2、第一方面，本公开通过一实施例提供如下的技术方案：
3、一种阵列基板，包括：
4、衬底基板；
5、设置在所述衬底基板上的晶体管，所述晶体管包括层叠设置的有源层、栅介质层和栅极，所述栅介质层位于所述栅极和所述有源层之间，所述有源层包括沟道区以及位于沟道区两侧的源极区和漏极区；
6、依次层叠在所述漏极区的远离所述衬底基板一侧的金属导电层和像素电极层...
【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括依次层叠在所述晶体管上的第一钝化层、平坦层、公共电极层和第二钝化层；所述第一钝化层至少覆盖所述栅极设置；
3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，在所述像素电极开口处，所述有源层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述金属导电层在所述衬底基板上的正投影。
4.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，在所述像素电极开口处，所述金属导电层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述第一钝化层和所述第二钝化层的开口在所述衬底基板上的正投影。
5.如权利要求...
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括依次层叠在所述晶体管上的第一钝化层、平坦层、公共电极层和第二钝化层；所述第一钝化层至少覆盖所述栅极设置；
3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，在所述像素电极开口处，所述有源层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述金属导电层在所述衬底基板上的正投影。
4.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，在所述像素电极开口处，所述金属导电层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述第一钝化层和所述第二钝化层的开口在所述衬底基板上的正投影。
5.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述金属导电层和所述栅极为同层金属。
【专利技术属性】
技术研发人员：张有为，李燕龙，杨帆，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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