数组基板及其制作方法技术

本发明专利技术涉及一种数组基板，包含：一基板，基板上设有一薄膜晶体管包含一一汲极电极，一有机材料层覆盖基板和薄膜晶体管，一开口贯穿有机材料层并且汲极电极经由开口暴露出来，一无机材料层至少覆盖开口的侧壁与部分的有机材料层，并且汲极电极经由开口暴露出来以及一图案化透明画素电极层位于前述无机材料层上以及开口中并且接触汲极电极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于一种数组基板的制作方法及其结构，特别是关于一种可避免透明电 极发生裂缝的数组基板的制作方法及其结构。
技术介绍
在现今各项影像显示技术中，液晶面板由于具有重量轻、体积小、耗电量低、无辐 射等优点，已广泛的被使用在各种电子装置中。一般而言，液晶面板的一数组基板上，设有复数条扫描线与复数条资料线。扫描线 与数据线交错排列，将基板划分为复数个画素单元。每一画素单元皆具有一画素电极以及 一薄膜晶体管。薄膜晶体管与扫描线与数据线耦接，作为画素电极的开关组件。在穿透式 的液晶面板的基板以及半反射半穿透式的液晶面板的穿透区域，其画素电极是使用透明导 电材料例如铟锡氧化物来制作。通常在扫描线、数据线和薄膜晶体管上会覆盖一平坦层，然后再于平坦层上形成 透明导电材料作为画素电极，但由于一般所使用的平坦层的材料的热膨胀系数和透明导电 材料相差太大，导致基板经过热处理，例如退火后，透明导电材料机械结构较弱的地方会产 生裂缝。
技术实现思路
因此本专利技术提供一种以解决上透明导电材料产生裂缝的 问题。为了实现上述目的，本专利技术采用一下技术特征，一种数组基板的制作方法，包含 首先，提供一基板，基板上设有一薄膜晶体管包含一间极、一间介电层、一源极电极和一汲极电极，然后，形成一有机材料层覆盖基板和薄膜晶体管，接着，形成一开口于有机材 料层并且曝露出汲极电极，之后，形成一第一无机材料层覆盖开口的侧壁及至少部分有机 材料层，且第一无机材料层至少曝露出汲极电极，最后，形成一图案化透明画素电极层于第 一无机材料层上并且经由开口接触汲极电极。—种数组基板，包含一基板，基板上设有一薄膜晶体管包含一间极、一间极介电 层、一源极电极和一汲极电极，一有机材料层覆盖基板和薄膜晶体管，一开口贯穿有机材料 层并且汲极电极经由开口曝露出来，一第一无机材料层至少覆盖开口的侧壁与部分的有机 材料层，并且汲极电极经由开口曝露出来以及一图案化透明画素电极层位于第一无机材料 层上以及开口中并且接触汲极电极。本专利技术将图案化透明画素电极层设置于无机材料层上，由于图案化透明画素电极 层和无机材料层的热膨胀系数相近，使得在无机材料层上的图案化透明画素电极层不会因 为温度变化而产生裂痕。附图说明图1为根据本专利技术的较佳实施例所绘示的数组基板的上视图。图2为根据本专利技术的第一较佳实施例沿AA’剖线方向以及BB’剖线方向的侧视图。图3为根据本专利技术的第二较佳实施例沿AA’剖线方向以及BB’剖线方向的侧视图。图4为根据本专利技术的第三较佳实施例沿AA’剖线方向以及BB’剖线方向的侧视图。图5为根据本专利技术的第四较佳实施例沿AA’剖线方向以及BB’剖线方向的侧视图。图6至图10为本专利技术的数组基板的制作方法示意图。主要组件符号说明10数组基板12基板14组件区16画素区18薄膜晶体管20闸极22闸极介电层24半导体层26源极电极28汲极电极30有机材料层32开口34第一无机材料层36图案化透明画素电极层38主画素电极40架桥电极134第二无机材料层。具体实施例方式在说明书及权利要求书当中使用了某些词汇来指称特定的组件。所属领域中具有 通常知识者应可理解，制造商可能会用不同的名词来称呼同样的组件。本说明书及后续的 申请专利范围并不以名称的差异来作为区别组件的方式，而是以组件在功能上的差异来作 为区别的基准。在通篇说明书及后续的请求项当中所提及的「包含」是为一开放式的用语， 故应解释成「包含但不限定于」。图1为根据本专利技术的较佳实施例所绘示的数组基板的上视图。图2为根据本专利技术的 第一较佳实施例沿图ι中的M’剖线方向的侧视图以及沿图1中的BB’剖线方向的侧视图。请同时参阅图1、图2，一数组基板10，包含一基板12其划分为一组件区14和一画 素区16，一薄膜晶体管18设于组件区14，其中薄膜晶体管18包含一闸极20、一闸极介电 层22覆盖闸极20及基板12的组件区14和画素区16、一半导体层24设置于闸极介电层上 22、一源极电极26和一汲极电极28位于间极介电层22与半导体层24上并且分别在闸极 20的两侧。一有机材料层30，例如有机光阻，覆盖基板12的组件区14和画素区16上的闸极 介电层22，一开口 32贯穿有机材料层30并且使得汲极电极28经由开口 32曝露出来，开口 32可以为一汲极电极接触洞。一第一无机材料层34，例如氮化硅或氧化硅，全面覆盖基板 12的组件区14和画素区16上的有机材料层30，且覆盖并接触开口 32的侧壁，而汲极电极 28经由开口 32曝露出来，第一无机材料层34的厚度较佳为3000埃，一图案化透明画素电 极层36位于部分的第一无机材料层34上以及开口 32中并且接触汲极电极28，图案化透明 画素电极层36包含至少二主画素电极38以及一架桥电极40设置于两主画素电极38之间4并连接两主画素电极38，且架桥电极40的宽度小于两主画素电极38的宽度。另外，图案化 透明画素电极层36可以为铟锡氧化物或是其它的透明导电材料。图3为根据本专利技术的第二较佳实施例沿图1中的AA’剖线方向的侧视图以及沿图 1中的BB’剖线方向的侧视图。根据本专利技术的第二较佳实施例，第一无机材料层34可仅覆 盖部分的组件区14和部分的画素区16上的有机材料层30，如图3所示，第一无机材料层 34仅位于开口 32的侧壁上、开口 32周围的有机材料层30上和架桥电极40正下方和其正 下方周围的有机材料层30上，其余组件位置皆和第一较佳实施例中的数组基板相同，在此 不再赘述。图4为根据本专利技术的第三较佳实施例沿图1中的AA’剖线方向的侧视图以及沿图 1中的BB’剖线方向的侧视图，其中相同组件将以相同标号表示。如图4所示，数组基板10 可另包含一第二无机材料层134设于基板12的组件区14和画素区16中的闸极介电层22 和有机材料层30之间，并且第二无机材料层134顺应地覆盖薄膜晶体管18，第三实施例和 第一实施例相同，皆具有一第一无机材料层34全面覆盖基板12的组件区14和画素区16 上的有机材料层30，并且覆盖并接触开口 32的侧壁。然而，第三较佳实施例和第一较佳实施例中的第一无机材料层的较佳厚度不同。 于第三较佳实施例中，第一无机材料层34和第二无机材料层134的厚度较佳皆为1500埃， 但不限于此。另外，第一无机材料层34和第二无机材料层134可以为氮化硅或氧化硅，其 余组件位置皆和第一较佳实施例中的数组基板相同，在此不再赘述。图5为根据本专利技术的第四较佳实施例沿图1中的AA’剖线方向的侧视图以及沿图 1中的BB’剖线方向的侧视图。根据本专利技术的第四较佳实施例，第一无机材料层34可仅覆 盖部分的组件区14和部分的画素区上16的有机材料层30，如图5所示，第一无机材料层 34仅位于开口 32的侧壁上、开口 32周围的有机材料层30上和架桥电极40正下方和其正 下方周围的有机材料层30上，其余组件位置皆和第三较佳实施例中的数组基板相同。以下将以图6至图7说明上述本专利技术的第一较佳实施例和第二较佳实施例的数组 基板的制作方法，其中相同的组件将以相同的组件符号表示。如图6所示，首先，提供一基 板12其划分为一组件区14和一画素区16，一薄膜晶体管18设于组件区14，其中薄膜晶体 管18包含一闸极20、一闸极介电层2本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种数组基板的制作方法，其特征在于，包含：提供一基板，该基板上设有一薄膜晶体管，该薄膜晶体管包含一闸极、一闸极介电层、一源极电极和一汲极电极；形成一有机材料层覆盖该基板和该薄膜晶体管；形成一开口于该有机材料层并且曝露出该汲极电极；形成一第一无机材料层覆盖该开口的侧壁及至少部分该有机材料层，且该第一无机材料层至少曝露出该汲极电极；以及形成一图案化透明画素电极层于该第一无机材料层上并且经由该开口接触该汲极电极。

【技术特征摘要】
一种数组基板的制作方法，其特征在于，包含提供一基板，该基板上设有一薄膜晶体管，该薄膜晶体管包含一闸极、一闸极介电层、一源极电极和一汲极电极；形成一有机材料层覆盖该基板和该薄膜晶体管；形成一开口于该有机材料层并且曝露出该汲极电极；形成一第一无机材料层覆盖该开口的侧壁及至少部分该有机材料层，且该第一无机材料层至少曝露出该汲极电极；以及形成一图案化透明画素电极层于该第一无机材料层上并且经由该开口接触该汲极电极。2.根据权利要求1所述的数组基板的制作方法，其特征在于其中该图案化透明画素 电极层包含至少二主画素电极以及一架桥电极设置于该两主画素电极之间并连接该两主 画素电极，且该架桥电极的宽度小于该两主画素电极的宽度。3.根据权利要求2所述的数组基板的制作方法，其特征在于其中该第一无机材料层 位于该开口周围的该有机材料层上、该架桥电极正下方和该架桥电极正下方周围的该有机 材料层上。4.根据权利要求1所述的数组基板的制作方法，其特征在于，另包含形成该有机材 料层之前，形成一第二无机材料层覆盖该基板和该薄膜晶体管，在形成曝露出该汲极电极的该第一无机材料层的步骤时，亦使得该汲极电极经由该第 二无机材料层曝露出来。5.根据权利要求1所述的数组基板的制作方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：张锡明，
申请(专利权)人：华映光电股份有限公司，中华映管股份有限公司，
类型：发明
国别省市：35[中国|福建]