System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种温度控制装置及半导体工艺设备制造方法及图纸_技高网

一种温度控制装置及半导体工艺设备制造方法及图纸

技术编号:40912754 阅读:6 留言:0更新日期:2024-04-18 14:40
本发明专利技术涉及半导体技术领域,尤其涉及一种温度控制装置及半导体工艺设备,该温度控制装置包括罩壳、冷却盘、升降顶针组件;罩壳为环状壳体结构,其上端敞口固设有真空吸盘,下端敞口固设有隔热板,内部固设有加热盘,加热盘固接于真空吸盘;隔热板具有隔热层;冷却盘固设于隔热板的下端面,且具有冷却通道;升降顶针组件包括升降臂,升降臂具有多个且沿真空吸盘的周向间隔设置。该半导体工艺设备包括该温度控制装置。该温度控制装置及半导体设备能够降低热功率损耗,并实现精确且稳定地控制基板温度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体,具体而言,涉及一种温度控制装置及半导体工艺设备


技术介绍

1、随着经济社会的发展与进步,人们对精密电子仪器的需求日益增长,集成电路的发展尤为迅速,基板(即,wafer)作为集成电路的一种基础材料,在现代生产过程中也越来越重要,其中,在基板的生产过程中,激光辅助键合为后道封装领域的一项技术,现在已经越来越受到国内外芯片生产的重视,而对于激光辅助前道工序,即键合前对基板的装卸工艺,该工艺过程中,对基板的温度控制也至关重要。现有技术中,通常采用的温度控制手段为:通过加热盘对真空吸盘进行加热,通过直接与加热盘紧密接触的水冷盘来对加热盘进行降温,能够快速冷却加热盘,使真空吸盘及其上的基板快速降温,此种方式虽然能够使基板快速降温,但是同样造成了加热盘的电加热功率损失,无法保证生产工艺中基板的温度均匀性及稳定性。


技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种温度控制装置及半导体工艺设备,至少解决在键合前的基板装卸过程中加热盘的热功率损失的问题。

2、本专利技术提供了一种温度控制装置,用于半导体工艺中对基板进行温度控制,所述温度控制装置包括:

3、罩壳,为环状壳体结构,其上端敞口固设有用于吸附所述基板的真空吸盘,下端敞口固设有隔热板,内部固设有加热盘,所述加热盘固接于所述真空吸盘,用于对所述真空吸盘加热;所述隔热板具有隔热层;

4、冷却盘,固设于所述隔热板的下端面,且具有用于流通冷却流体的冷却通道;

5、升降顶针组件,包括升降臂,所述升降臂具有多个且沿所述真空吸盘的周向间隔设置,所述升降臂被配置为:升降时装卸所述基板;

6、安装座,所述冷却盘和所述升降顶针组件均安装于所述安装座。

7、可选地,所述真空吸盘的上表面具有sic层。

8、可选地,其特征在于,所述罩壳内设有温度传感器,所述温度传感器具有多个且相互独立且间隔固设于所述真空吸盘的下端面;所述加热盘包括多个相互独立的加热区域,每个所述加热区域至少对应一个所述温度传感器。

9、可选地,所述冷却盘的冷却通道具有多个且相互独立,所述冷却通道沿所述冷却盘的周向呈弧形延伸,多个所述冷却通道沿所述冷却盘的径向依次间隔设置。

10、可选地,所述冷却盘包括盘状的冷却本体和固定且密封盖设于其上端面的冷却盖板;所述冷却本体具有凹陷于其上端面的凹槽,所述凹槽与所述冷却盖板形成所述冷却通道。

11、可选地,所述冷却盘的下端面安装有多个间隔设置的立柱,所述立柱可伸缩。

12、可选地,所述立柱固设于所述冷却盘的边角部位。

13、可选地,所述温度控制装置还包括环绕于所述真空吸盘外周侧的冷却环,所述冷却环与所述真空吸盘之间具有间隙;所述冷却环具有冷却流道,且沿所述冷却环的周向呈弧形延伸,所述冷却环通过多个间隔设置的支腿固接于所述安装座。

14、可选地,所述升降顶针组件还包括位于所述冷却盘下方的升降支座,所述升降臂安装于所述升降支座;所述升降支座传动连接有主升降驱动件,所述主升降驱动件安装于所述安装座,所述主升降驱动件被配置为:驱动所述升降支座升降。

15、可选地,所述升降臂传动连接有辅升降驱动件,所述辅升降驱动件安装于所述升降支座且传动连接于所述升降臂,所述辅升降驱动件被配置为;驱动所述升降臂升降。

16、可选地,所述主升降驱动件为气缸或直线电缸;

17、和/或,所述升降支座具有镂空结构;

18、和/或,所述冷却盘、所述隔热板、所述加热盘和真空吸盘均对应具有多个周向间隔设置的通孔,所述升降臂贯穿所述通孔,且所述升降臂的外周壁与所述通孔的内周壁之间具有间隙;

19、和/或,所述升降臂的顶端具有顶头,所述顶头用于支撑所述基板;

20、和/或,所述安装座为板状结构。

21、可选地,所述升降顶针组件还包括平衡块,所述平衡块固设于所述升降支座的上端面,所述冷却盘具有让位孔,所述让位孔用于容纳所述平衡块,所述平衡块被配置为:在所述升降支座升降过程中平衡所述升降支座的受力。

22、本专利技术实施例还提供了一种半导体工艺设备,包括上述温度控制装置。

23、可选地,还包括水平位移组件,所述水平位移组件包括底座和固设于所述底座的导轨,所述导轨滑动连接有滑块,所述滑块固设于所述安装座,且传动连接有水平移动驱动件,所述水平移动驱动件安装于所述底座;所述水平移动驱动件被配置为:用于驱动所述安装座沿所述导轨运动。

24、可选地,所述半导体设备还包括精密滑台组件、相机和同轴光源;

25、所述精密滑台组件包括上滑台、下滑台和滑台驱动件,所述下滑台固设于所述安装座且位于所述冷却盘的旁侧,所述上滑台滑动连接于所述下滑台且位于所述下滑台的上方,所述滑台驱动件安装于所述下滑台且传动连接于所述上滑台;

26、所述相机安装于所述上滑台;所述同轴光源安装于所述下滑台且位于所述相机的镜头正前方;

27、所述滑台驱动件被配置为:用于驱动所述上滑台相对于所述下滑台滑动,以带动所述相机靠近或远离所述同轴光源。

28、本专利技术实施例所提供的温度控制装置及半导体工艺设备具有如下有益效果:

29、工艺过程中,通过加热盘对真空吸盘进行加热,依此对基板加热,在此过程中,通过冷却盘对加热盘进行降温,依此来控制加热盘对于基板的释放热功率。由于该温度控制装置中,加热盘与冷却盘之间设置有隔热板,从而能够阻止加热盘过多的热量传递给冷却盘,减少热功率损失;同时,在此装卸过程中,由于加热盘的热损失较小,即,能够对加热盘逐渐降温,从而减少甚至避免使真空吸盘快速降温至正常温度范围之外的情况的发生,进而保证基本不会出现对基板的快速升温及快速降温情况的发生,依此来控制基板温度,实现精确且稳定地控制基板温度。

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【技术保护点】

1.一种温度控制装置,其特征在于,用于半导体工艺中对基板(010)进行温度控制,所述温度控制装置(100)包括:

2.根据权利要求1所述的温度控制装置,其特征在于,所述真空吸盘(120)的上表面具有SiC层。

3.根据权利要求1或2所述的温度控制装置,其特征在于,所述罩壳(110)内设有温度传感器(111),所述温度传感器具有多个且相互独立且间隔固设于所述真空吸盘(120)的下端面;所述加热盘(140)包括多个相互独立的加热区域,每个所述加热区域至少对应一个所述温度传感器(111)。

4.根据权利要求1或2所述的温度控制装置,其特征在于,所述冷却盘(150)的冷却通道(151)具有多个且相互独立,所述冷却通道(151)沿所述冷却盘(150)的周向呈弧形延伸,多个所述冷却通道(151)沿所述冷却盘(150)的径向依次间隔设置。

5.根据权利要求4所述的温度控制装置,其特征在于,所述冷却盘(150)包括盘状的冷却本体(152)和固定且密封盖设于其上端面的冷却盖板;所述冷却本体(152)具有凹陷于其上端面的凹槽(154),所述凹槽(154)与所述冷却盖板形成所述冷却通道(151)。

6.根据权利要求4所述的温度控制装置,其特征在于,所述冷却盘(150)的下端面安装有多个间隔设置的立柱(155),所述立柱(155)可伸缩。

7.根据权利要求6所述的温度控制装置,其特征在于,所述立柱(155)固设于所述冷却盘(150)的边角部位。

8.根据权利要求1或2所述的温度控制装置,其特征在于,所述温度控制装置还包括环绕于所述真空吸盘(120)外周侧的冷却环(180),所述冷却环(180)与所述真空吸盘(120)之间具有间隙;所述冷却环(180)具有冷却流道(181),且沿所述冷却环(180)的周向呈弧形延伸,所述冷却环(180)通过多个间隔设置的支腿(182)固接于所述安装座(170)。

9.根据权利要求1或2所述的温度控制装置,其特征在于,所述升降顶针组件(160)还包括位于所述冷却盘(150)下方的升降支座(162),所述升降臂(161)安装于所述升降支座(162);所述升降支座(162)传动连接有主升降驱动件(163),所述主升降驱动件(163)安装于所述安装座(170),所述主升降驱动件(163)被配置为:驱动所述升降支座(162)升降。

10.根据权利要求9所述的温度控制装置,其特征在于,所述升降臂(161)传动连接有辅升降驱动件(164),所述辅升降驱动件(164)安装于所述升降支座(161)且传动连接于所述升降臂(161),所述辅升降驱动件(164)被配置为;驱动所述升降臂(161)升降。

11.根据权利要求9所述的温度控制装置,其特征在于,

12.根据权利要求9所述的温度控制装置,其特征在于,所述升降顶针组件(160)还包括平衡块(166),所述平衡块(166)固设于所述升降支座(162)的上端面,所述冷却盘(150)具有让位孔,所述让位孔用于容纳所述平衡块(166),所述平衡块(166)被配置为:在所述升降支座(162)升降过程中平衡所述升降支座(162)的受力。

13.一种半导体工艺设备,其特征在,包括权利要求1-12任一项所述的温度控制装置(100)。

14.根据权利要求13所述的半导体工艺设备,其特征在于,还包括水平位移组件(200),所述水平位移组件(200)包括底座(210)和固设于所述底座(210)的导轨(220),所述导轨(220)滑动连接有滑块(230);所述滑块(230)固设于所述安装座(170),且传动连接有水平移动驱动件(240),所述水平移动驱动件(240)安装于所述底座(210);所述水平移动驱动件(240)被配置为:用于驱动所述安装座(170)沿所述导轨(220)运动。

15.根据权利要求13或14所述的半导体工艺设备,其特征在于,所述半导体设备还包括精密滑台组件(300)、相机(400)和同轴光源(500);

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【技术特征摘要】

1.一种温度控制装置,其特征在于,用于半导体工艺中对基板(010)进行温度控制,所述温度控制装置(100)包括:

2.根据权利要求1所述的温度控制装置,其特征在于,所述真空吸盘(120)的上表面具有sic层。

3.根据权利要求1或2所述的温度控制装置,其特征在于,所述罩壳(110)内设有温度传感器(111),所述温度传感器具有多个且相互独立且间隔固设于所述真空吸盘(120)的下端面;所述加热盘(140)包括多个相互独立的加热区域,每个所述加热区域至少对应一个所述温度传感器(111)。

4.根据权利要求1或2所述的温度控制装置,其特征在于,所述冷却盘(150)的冷却通道(151)具有多个且相互独立,所述冷却通道(151)沿所述冷却盘(150)的周向呈弧形延伸,多个所述冷却通道(151)沿所述冷却盘(150)的径向依次间隔设置。

5.根据权利要求4所述的温度控制装置,其特征在于,所述冷却盘(150)包括盘状的冷却本体(152)和固定且密封盖设于其上端面的冷却盖板;所述冷却本体(152)具有凹陷于其上端面的凹槽(154),所述凹槽(154)与所述冷却盖板形成所述冷却通道(151)。

6.根据权利要求4所述的温度控制装置,其特征在于,所述冷却盘(150)的下端面安装有多个间隔设置的立柱(155),所述立柱(155)可伸缩。

7.根据权利要求6所述的温度控制装置,其特征在于,所述立柱(155)固设于所述冷却盘(150)的边角部位。

8.根据权利要求1或2所述的温度控制装置,其特征在于,所述温度控制装置还包括环绕于所述真空吸盘(120)外周侧的冷却环(180),所述冷却环(180)与所述真空吸盘(120)之间具有间隙;所述冷却环(180)具有冷却流道(181),且沿所述冷却环(180)的周向呈弧形延伸,所述冷却环(180)通过多个间隔设置的支腿(182)固接于所述安装座(170)。

9.根据权利要求1或2所述的温度控制装置...

【专利技术属性】
技术研发人员:高亮张豹华国杰盛越朱翼先
申请(专利权)人:北京华卓精科科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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