【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种半导体芯片，并且更具体地涉及一种能够校准写入时钟缓冲器的偏置电压而不受工艺变动和温度变动影响的半导体芯片以及包括半导体芯片的装置。也就是说，半导体芯片能够补偿写入时钟缓冲器的偏置电压以应对工艺变化和温度变化。
技术介绍
1、术语“pvt变化(pvt variations)”是工艺变化、电压变化和温度变化的缩写。
2、工艺变化是指pmos晶体管的速度和nmos晶体管的速度由于工艺特性而不同的现象。pmos晶体管的速度由“快速(fast)”、“典型(typical)”和“慢速(slow)”中的一种来表示，并且nmos晶体管的速度由“快速”、“典型”和“慢速”中的一种来表示。这种情况下，nmos晶体管-pmos晶体管组合主要由快速-快速(ff)、快速-慢速(fs)、典型-典型(tt)、慢速-快速(sf)或慢速-慢速(ss)来表示。
3、温度变化是指pmos晶体管的速度和nmos晶体管的速度依据温度改变的现象。电压变化是指pmos晶体管的速度和nmos晶体管的速度依据电源电压改变的现象。结果，形成于同一半导...
【技术保护点】
1.一种半导体芯片，所述半导体芯片包括：
2.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中，所述工艺校准电路包括副本写入时钟缓冲器，所述副本写入时钟缓冲器包括偏置晶体管，并且所述工艺校准电路进一步被配置为：使用数字信号输出所述多个调节电压中的所述一个调节电压，使得所述偏置晶体管的阈值电压被校准，所述阈值电压依据所述工艺变化而改变，并且
3.根据权利要求2所述的半导体芯片，所述半导体芯片还包括：
4.根据权利要求2所述的半导体芯片，其中，所述写入时钟缓冲器的结构与所述副本写入时钟缓冲器的结构相同，并且
5.根据权利要求2所述的半导...
【技术特征摘要】
1.一种半导体芯片，所述半导体芯片包括：
2.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中，所述工艺校准电路包括副本写入时钟缓冲器，所述副本写入时钟缓冲器包括偏置晶体管，并且所述工艺校准电路进一步被配置为：使用数字信号输出所述多个调节电压中的所述一个调节电压，使得所述偏置晶体管的阈值电压被校准，所述阈值电压依据所述工艺变化而改变，并且
3.根据权利要求2所述的半导体芯片，所述半导体芯片还包括：
4.根据权利要求2所述的半导体芯片，其中，所述写入时钟缓冲器的结构与所述副本写入时钟缓冲器的结构相同，并且
5.根据权利要求2所述的半导体芯片，其中，所述温度校准电路连接在所述电压调节器的电流输出节点与接地之间，并且所述温度校准电路包括：
6.根据权利要求5所述的半导体芯片，其中，所述至少一个二极管连接式晶体管的阈值电压低于所述偏置晶体管的所述阈值电压。
7.根据权利要求5所述的半导体芯片，其中，所述至少一个二极管连接式晶体管具有负温度系数特性。
8.根据权利要求2所述的半导体芯片，其中，所述工艺校准电路还包括：
9.根据权利要求8所述的半导体芯片，其中，所述控制逻辑电路被配置为：在所述温度校准电路基于所述第一控制信号被启用时，生成所述第二控制信号，并且
10.一种存储器装置，所述存储器装置包括：
11.根据权利要求10所述的存储器装置，其中，所述存储器装置是lpddr dram。
12.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔佳滥，金用勋，李财雨，金基汉，张豪埈，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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