【技术实现步骤摘要】
本专利技术的各种实施方式涉及对非易失性存储器装置的选择晶体管的编程操作和验证操作。
技术介绍
1、存储器装置可分为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。
2、非易失性存储器装置以比易失性存储器装置相对更低的速度执行读取/写入操作，但是即使当电源被切断时也保留存储的数据。因此，非易失性存储器装置被频繁地用在便携式电子装置中，以用于存储无论是否向装置供电都需要保留的数据。
3、非易失性存储器装置的示例包括只读存储器(rom)、掩模rom(mrom)、可编程rom(prom)、可擦除可编程rom(eprom)、电可擦除可编程rom(eeprom)、闪存存储器、相变随机存取存储器(pram)、磁ram(mram)、电阻ram(rram)、铁电ram(fram)等。
4、近来，为了提高存储器装置的集成度，已经研究了具有3d阵列结构的半导体存储器装置。
技术实现思路
1、本专利技术的实施方式旨在提供一种具有改进的选择晶体管阈值电压分布的存储器装置。
2、...
【技术保护点】
1.一种非易失性存储器装置的操作方法，所述操作方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的操作方法，所述操作方法还包括以下步骤：使用所存储的结果为所述多个组中的每个组设置操作电压。
3.根据权利要求2所述的操作方法，其中，设置所述操作电压的步骤包括以下步骤：将所述多个组中的所存储的结果表示失败的组的操作电压设置为低于所存储的结果表示通过的组的操作电压。
4.根据权利要求1所述的操作方法，所述操作方法还包括以下步骤：当所有所存储的结果都表示失败时，重复同时执行所述编程操作的步骤、顺序地执行所述验证操作的步骤以及顺序地存储所述验证操作的
...【技术特征摘要】
1.一种非易失性存储器装置的操作方法，所述操作方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的操作方法，所述操作方法还包括以下步骤：使用所存储的结果为所述多个组中的每个组设置操作电压。
3.根据权利要求2所述的操作方法，其中，设置所述操作电压的步骤包括以下步骤：将所述多个组中的所存储的结果表示失败的组的操作电压设置为低于所存储的结果表示通过的组的操作电压。
4.根据权利要求1所述的操作方法，所述操作方法还包括以下步骤：当所有所存储的结果都表示失败时，重复同时执行所述编程操作的步骤、顺序地执行所述验证操作的步骤以及顺序地存储所述验证操作的结果的步骤。
5.根据权利要求4所述的操作方法，所述操作方法还包括以下步骤：在进行重复的步骤之前，调整要施加到所述选择晶体管的编程电压的电压电平。
6.根据权利要求1所述的操作方法，其中，所述编程操作通过以下步骤执行：
7.根据权利要求1所述的操作方法，其中，所述验证操作中的每个验证操作通过以下步骤执行：
8.一种非易失性存储器装置，所述非易失性存储器装置包括：
9.根据权利要求8所述的非易失性存储器装置，其中，所述控制逻辑还使用所存储的结果为所述多个组中的每个组设置操作电压。
10.根据权利要求9所述的非易失性存储器装置，...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔亨进，郑赞熙，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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