存储器的读取电路制造技术

本发明专利技术提供一种存储器的读取电路，包括：参考电阻；开关模块，该开关模块的一侧与所述参考电阻及所述存储器的可变电阻连接，用于对所述参考电阻及所述存储器的可变电阻与钳位模块之间的通断进行控制；钳位模块，该钳位模块的一侧与所述开关模块的另一侧连接，用于在预充电步骤中对该钳位模块与所述开关模块之间的节点的电压进行钳位；交叉耦合输出模块，该交叉耦合输出模块的一侧与所述钳位模块的另一侧连接，用于通过正反馈将所述预充电步骤中形成的差值电流转化成差值为电源电压的输出信号和反相输出信号；以及预充电模块，该预充电模块与所述交叉耦合输出模块的其他侧连接，用于对所述存储器的读取电路进行预充电。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种存储器的读取电路。

技术介绍

1、阻变随机存储器(rram；resistive random access memory)是一种以非导性材料的电阻在外加电场的作用下在高阻态和低阻态之间实现可逆转换为基础的新兴的非挥发性存储技术。它具有静态随机存储器的高速读写能力、动态随机存储器的高集成度，并且基本上可以实现无限次的数据写入。在施加不同电压条件后，rram能表现出高低两种阻态并且能在断电后永久地保留存储数据。rram当前主要应用于iot设备、神经网络和人工智能等领域。在商业化方面，rram主要有两大应用方向——存储应用和存算应用。存储应用上，目前已经有厂商将rram应用于mcu领域；存算一体化上，目前也已经有公司正在尝试基于rram通过存算一体架构实现ai大算力芯片，并将其应用在中心侧与边缘侧的应用场景中。

2、rram存储信息的读取方式是通过将其阻值信号转变为可供外围电路读取的电流或电压信号。随着工艺不断优化，目前关于rram存储器的读结构面临功耗大、速度变慢与面积过大等问题。现有的一种rram读取电路如图1所示。相同尺寸的晶本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种存储器的读取电路，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器的读取电路，其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的存储器的读取电路，其特征在于，

4.根据权利要求1或2所述的存储器的读取电路，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的存储器的读取电路，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的存储器的读取电路，其特征在于，

7.根据权利要求1或2所述的存储器的读取电路，其特征在于，

8.根据权利要求7所述的存储器的读取电路，其特征在于，

9.根据权利要求7所述的存储器的读取电路，其特征...

【技术特征摘要】

1.一种存储器的读取电路，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器的读取电路，其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的存储器的读取电路，其特征在于，

4.根据权利要求1或2所述的存储器的读取电路，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的存储器的读取电路，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的存储器的...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨建国，杨宏虎，蒋海军，
申请(专利权)人：张江国家实验室，
类型：发明
国别省市：