一种基于隧穿场效应晶体管的动态随机存取存储器阵列及其控制方法技术

本发明专利技术提供了一种基于隧穿场效应晶体管的动态随机存取存储器阵列及其控制方法。该存储器阵列由存储单元沿横向、纵向重复排列而成，同一行存储单元共用一条写入字线和一条读出字线，同一列存储单元共用一条写入位线和一条读出位线；存储单元包括一个P型隧穿场效应晶体管作为写入管、一个N型隧穿场效应晶体管作为读出管、一个电容作为放大单元，写入管、读出管和电容相互连接共同构成存储节点SN，写入管栅极接写入字线、漏极接写入位线、源极接存储节点，读出管栅极接存储节点、漏极接读出位线、源极接地，电容一端接存储节点、一端接读出字线。本发明专利技术能延长动态随机存取存储的保持时间、降低功耗、缓解读串扰问题，增大存储窗口和阵列规模。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体，具体涉及一种基于隧穿场效应晶体管的动态随机存取存储器阵列及其控制方法。

技术介绍

1、人工智能物联网(aiot)技术的发展为半导体存储器提出了更高的要求，aiot边缘端和节点端的设备均需要低功耗、低成本、相对大规模的存储器。

2、然而，传统的易失型存储器中，静态随机存取存储器的硬件代价和静态功耗较高，动态随机存取存储器的保持时间较短、刷新功耗较高。为此，专利技术一种低硬件代价的、低功耗的易失型存储器具有重要意义。

技术实现思路

1、为了解决现有技术中存在的问题，本专利技术一种基于隧穿场效应晶体管的动态随机存取存储器阵列及其控制方法，在动态随机存取存储方面，可以延长动态随机存取存储的保持时间，降低刷新频率和刷新功耗；以降低动态随机存取存储中读出位线漏电，缓解读串扰问题，增大存储窗口和阵列规模。

2、本专利技术技术方案如下：

3、一种基于隧穿场效应晶体管的动态随机存取存储器阵列，其特征在于，由存储单元沿横向、纵向重复排列而成，同一行存储单元共用一条写入字线本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于隧穿场效应晶体管的动态随机存取存储器阵列，其特征在于，由存储单元沿横向、纵向重复排列而成，同一行存储单元共用一条写入字线WWL和一条读出字线RWL，同一列存储单元共用一条写入位线WBL和一条读出位线RBL；

2.如权利要求1所述的一种基于隧穿场效应晶体管的动态随机存取存储器阵列，其特征在于，所述作为放大单元的电容器件选源漏相连的MOSFET器件组成的栅控二极管的栅电容时，该MOSFET器件的栅极连接存储节点SN，该MOSFET器件的源漏电极连接读出字线RWL，该MOSFET器件的衬底电极单独引出作为调控电容大小的电极CON。

3.如权利要求1所述的一种...

【技术特征摘要】

1.一种基于隧穿场效应晶体管的动态随机存取存储器阵列，其特征在于，由存储单元沿横向、纵向重复排列而成，同一行存储单元共用一条写入字线wwl和一条读出字线rwl，同一列存储单元共用一条写入位线wbl和一条读出位线rbl；

2.如权利要求1所述的一种基于隧穿场效应晶体管的动态随机存取存储器阵列，其特征在于，所述作为放大单元的电容器件选源漏相连的mosfet器件组成的栅控二极管的栅电容时，该mosfet器件的栅极连接存储节点sn，该mosfet器件的源漏电极连接读出字线rwl，该mosfet器件的衬底电极单独引出作为调控电容大小的电极con。

3.如权利要求1所述的一种基于隧穿场效应晶体管的动态随机存取存储器阵列，其特征在于，所述作为放大单元的电容器件选高介电常数的电...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄芊芊，王凯枫，黄如，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：