【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种颗粒状固化性有机硅组合物，其提供具有热熔性、且在高温下具有高流动性、间隙填充性和均匀性优异的固化物。进一步地，本专利技术涉及由该颗粒状固化性有机硅组合物组成的固化物、该固化物的成型方法、具备该固化物的半导体装置等的用途。需要说明的是，本专利技术中，将在25℃下为固体、但在180℃下显示粘度的特性称为“热熔性”。
技术介绍
1、固化性有机硅组合物进行固化而形成具有优异的耐热性、耐寒性、电绝缘性、耐候性、防水性、透明性的固化物，因此被用于广泛的产业领域。这样的固化性有机硅组合物的固化物通常与其他有机材料相比不易变色，另外，物理上的物性的降低小，因此也适合作为光学材料和半导体装置的密封剂。另一方面，近年来，从操作作业性等观点出发，热熔性的固化性有机硅组合物被广泛用作光学材料和半导体装置的密封剂。
2、本申请人在专利文献1、专利文献2中提出了一种成型用的热熔性粒状固化性有机硅组合物，所述成型用的热熔性粒状固化性有机硅组合物以可用于如上所述的用途的树脂状有机硅为主成分，但这些专利技术中所提出的粒状组合物为其粒径为100μm以下的细粒状，并未公开通过熔融混炼等而事先组成上均匀化的颗粒状组合物。因此，已知如果以粒状直接使用，则存在产生粉尘的风险，难以处理。进一步地，该粒状有机硅组合物是各成分以机械力混合的形态，不是组成上均匀且均质化的粒状的组合物，因此难以用于例如压缩成型、冲压成型这样的不伴随材料的移动而不施加剪切压力的成型工序，因此在该文献中推荐转移成型。
3、另一方面，在专利文献3中，公开了使用树
4、进一步地，在这些文献中，没有具体公开包含比较大量的无机填料、具有良好的热熔性、且经过加热熔融工序而均质化的平均粒径比较大的颗粒状固化性有机硅组合物。
5、现有技术文献
6、专利文献
7、专利文献1：国际公开第2018/030288号小册子
8、专利文献2：国际公开第2018/235491号小册子
9、专利文献3：日本特表2016-522978号公报
技术实现思路
1、专利技术所要解决的问题
2、本专利技术的目的在于，提供一种固化性有机硅组合物、其生产效率和均质性优异的制造方法，该固化性有机硅组合物能够大量含有功能性无机填料，提供一种通过高温下的高流动性而表征的热熔性、间隙填充性以及均匀性优异的固化物，该固化物能够适合用于转移成型、压缩成型、冲压成型等成型或密封工艺，不易产生粉尘，操作作业性优异。进一步地，本专利技术提供将该固化性有机硅组合物固化而成的固化物、由该固化物组成的半导体装置用部件、具有该固化物的半导体装置以及固化物的成型方法。
3、用于解决问题的方案
4、本专利技术人等进行了深入研究，结果发现，通过如下颗粒状固化性有机硅组合物能够解决上述课题，从而完成了本专利技术，该颗粒状固化性有机硅组合物含有：(a)含有全部硅氧烷单元的至少20摩尔％以上的由rsio3/2(式中，r为一价烃基)表示的硅氧烷单元的有机聚硅氧烷树脂、(b)固化剂以及(c)功能性无机填料，相对于(a)成分和(b)成分的合计100质量份，(c)成分的含量为400～3000质量份，在25℃下为固体，180℃下通过流动试验仪测定的熔融粘度为200pa·s以下，平均粒径处于0.1～10.0mm的范围。
5、该颗粒状固化性有机硅组合物优选通过在50℃～150℃的温度范围内进行熔融混炼而组成上均匀化后，成型为颗粒状。另外，本专利技术的该颗粒状成型物可以进一步作为粒料状成型物或料片状成型物进行压片成型。
6、另外，上述课题通过上述颗粒状成型物等固化物、作为其半导体装置用部件使用、以及该固化物的成型方法来解决。
7、专利技术的效果
8、本专利技术的颗粒状固化性有机硅组合物的特征在于，具有热熔性，即使大量含有功能性无机填料，高温下的高流动性所表征的熔融特性以及固化特性也优异，为不易产生粉尘的颗粒状，操作作业性优异，并且各成分的均匀性优异，因此其固化物的硬度高，线膨胀系数低，特别适合用作半导体装置用的密封、成型以及保护部件。进一步地，本专利技术的颗粒状成型物的制造方法仅通过简便的混合工序便可效率良好地生产，且通过使用本专利技术的颗粒状成型物等的固化物的成型方法，可以效率良好地制造由该固化物组成的半导体装置用部件、具有该固化物的半导体装置等。
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1.一种颗粒状固化性有机硅组合物，其特征在于，含有：(A)含有全部硅氧烷单元的至少20摩尔％以上的由RSiO3/2(式中，R为一价烃基)表示的硅氧烷单元的有机聚硅氧烷树脂；
2.根据权利要求1所述的颗粒状固化性有机硅组合物，其特征在于，通过在50℃～150℃的温度范围内对固化性有机硅组合物进行熔融混炼而使组成上均匀化后，成型为颗粒状。
3.根据权利要求1或2所述的颗粒状固化性有机硅组合物，其特征在于，(B)成分为包含固化反应催化剂的固化剂，所述固化反应催化剂在室温下不溶解于本组合物中的其他成分，通过80℃以上的热能刺激而在组合物中显示活性。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的颗粒状固化性有机硅组合物，其特征在于，(B)成分包含选自
5.根据权利要求1～4中任一项所述的颗粒状固化性有机硅组合物，其特征在于，(A)成分的重均分子量(Mw)为20,000以下。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的颗粒状固化性有机硅组合物，其特征在于，(A)成分的至少一部分或全部为：
7.根据权利要求1～6中任一项所述的颗粒状固化
8.根据权利要求1～7中任一项所述的颗粒状固化性有机硅组合物，其特征在于，(C)成分为增强性填料、白色颜料、导热性填料、导电性填料、荧光体或这些的至少两种的混合物。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的颗粒状固化性有机硅组合物，其特征在于，通过固化提供通过JIS K 6911-1995“热固化性塑料一般试验方法”中规定的方法测定出的固化物的弯曲强度为15MPa以上的固化物。
10.一种粒料状成型物或料片状成型物，其是将权利要求1～9中任一项所述的颗粒状固化性有机硅组合物进行压片成型而成的。
11.一种固化物，其是使权利要求1～9中任一项所述的颗粒状固化性有机硅组合物、或权利要求10所述的粒料状成型物或料片状成型物固化而成的。
12.一种半导体装置用部件，其由权利要求11的固化物组成。
13.一种半导体装置，其具有权利要求11所述的固化物。
14.一种权利要求1～9中任一项所述的颗粒状固化性有机硅组合物的制造方法，其特征在于，包括将固化性有机硅组合物在50～150℃的温度范围内熔融混炼后，成型为平均粒径处于0.1～10.0mm的范围的颗粒状的工序，其中，所述固化性有机硅组合物包含：(A)含有全部硅氧烷单元的至少20摩尔％以上的由RSiO3/2(式中，R为一价烃基)表示的硅氧烷单元的有机聚硅氧烷树脂；
15.一种固化物的成型方法，其特征在于，至少具有下述工序(I)～(III)：
16.根据权利要求15所述的固化物的成型方法，其特征在于，包括覆盖工序，所述覆盖工序通过权利要求1～9中任一项所述的颗粒状固化性有机硅组合物、或使权利要求10所述的粒料状成型物或料片状成型物固化而成的固化物，一次性进行半导体元件的包覆成型和底部填充。
17.根据权利要求15所述的固化物的成型方法，其特征在于，包括覆盖工序，所述覆盖工序通过权利要求1～9中任一项所述的颗粒状固化性有机硅组合物、或使权利要求10所述的粒料状成型物或料片状成型物固化而成的固化物，覆盖搭载有单独或多个半导体元件的半导体基板的表面，且以半导体元件的间隙由所述固化物填充的方式进行包覆成型。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种颗粒状固化性有机硅组合物，其特征在于，含有：(a)含有全部硅氧烷单元的至少20摩尔％以上的由rsio3/2(式中，r为一价烃基)表示的硅氧烷单元的有机聚硅氧烷树脂；
2.根据权利要求1所述的颗粒状固化性有机硅组合物，其特征在于，通过在50℃～150℃的温度范围内对固化性有机硅组合物进行熔融混炼而使组成上均匀化后，成型为颗粒状。
3.根据权利要求1或2所述的颗粒状固化性有机硅组合物，其特征在于，(b)成分为包含固化反应催化剂的固化剂，所述固化反应催化剂在室温下不溶解于本组合物中的其他成分，通过80℃以上的热能刺激而在组合物中显示活性。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的颗粒状固化性有机硅组合物，其特征在于，(b)成分包含选自
5.根据权利要求1～4中任一项所述的颗粒状固化性有机硅组合物，其特征在于，(a)成分的重均分子量(mw)为20,000以下。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的颗粒状固化性有机硅组合物，其特征在于，(a)成分的至少一部分或全部为：
7.根据权利要求1～6中任一项所述的颗粒状固化性有机硅组合物，其特征在于，(a)成分的至少一部分或全部为：
8.根据权利要求1～7中任一项所述的颗粒状固化性有机硅组合物，其特征在于，(c)成分为增强性填料、白色颜料、导热性填料、导电性填料、荧光体或这些的至少两种的混合物。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的颗粒状固化性有机硅组合物，其特征在于，通过固化提供通过jis k 6911-1995“热固化性塑料一般试验方法”中规定的方法测定出的固化物的弯曲强度为15mpa以上的固化物。
【专利技术属性】
技术研发人员：山崎亮介，松嶋秀典，尾崎弘一，今泉彻，
申请(专利权)人：陶氏东丽株式会社，
类型：发明
国别省市：
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