【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及热熔型固化性聚有机硅氧烷组合物、以及使用该组合物的半导体等的密封和粘接技术。
技术介绍
1、固化性有机硅组合物进行固化而形成具有优异的耐热性、耐寒性、电
2、绝缘性、耐候性、防水性、透明性的固化物，因此被用于广泛的产业领域。
3、这样的固化性有机硅组合物的固化物与其他有机材料相比不易变色，此外，
4、物理上的物性的降低小，因此也适合作为光学材料和半导体装置的密封剂。
5、例如，本申请人在专利文献1中，公开了加热固化型热熔有机硅组合
6、物。具体地，专利文献1公开了一种固化性热熔组合物，其包含具有高苯
7、基含量的含烯基聚有机硅氧烷作为主要组分，并通过氢化硅烷化反应固
8、化。在此，专利文献1中公开的固化剂是需要超过150℃的高温的加热固
9、化反应的氢化硅烷化反应催化剂。
10、另一方面，近年来，由于轻量化和功能上的要求，使用耐热性低的树脂构件的光学装置、光半导体装置的需求正在扩大。此外，在近年来的制造工艺中，低能量化的意愿增强，在工艺上要求通过不需要高温化的紫
11、外线等高能量射线照射而固化的光固化性材料的情况增加。然而，如上所
12、述，以往的热熔有机硅组合物在密封工艺等中可实用的固化温度高，有时
13、会引起耐热性低的有机树脂的变形、劣化，且在包含室温的低温下难以实
14、现充分的固化反应速度和固化物。
15、另一方面，为了应对低温固化的要求
16、使用硫醇-烯反应的活性能量射线固化型热熔有机硅组合物。动态组合物在即使在室温(低温)下也能够迅速固化的方面优异，但固化物的耐黄变性低，在要求透明性的用途中难以应用，对基材的粘合力也留有改善的余地。
17、需要说明的是，为了解决上述课题，本申请人在专利文献3中提出了含有具有(甲基)丙烯酸官能团的含有树脂-线性结构的聚有机硅氧烷嵌段共聚物和自由基聚合引发剂的固化性热熔有机硅组合物，但在该文献中没有公开以具有烯基的链状聚有机硅氧烷为主剂的组合物。
18、现有技术文献
19、专利文献
20、专利文献1：国际公开(wo)第2015/194158号小册子
21、专利文献2：国际公开(wo)第2017/068762号小册子
22、专利文献3：日本特愿2021-131772(申请时未公开)
技术实现思路
1、专利技术所要解决的问题
2、本专利技术的目的在于提供热熔型的有机硅组合物及其使用，所述热熔型的有机硅组合物能够根据密封和粘接工艺、树脂构件的耐热性而在低温～高温下的广泛的温度范围内固化，特别是即使在室温等低温下也能够实现良好的固化性，能够在广泛的范围内设计所得的固化产物对基材的密合性和粘合力，耐久性等物理强度、透明性优异，并且二次成型等操作作业性优异。
3、用于解决问题的方案
4、深入研究的结果发现，通过热熔型固化性聚有机硅氧烷组合物能够解决上述课题，从而完成了本专利技术，所述热熔型固化性聚有机硅氧烷组合物含有：(a)在分子内具有2个以上烯基的链状聚有机硅氧烷1～50质量份、(b)在分子内含有r3sio1/2(式中，r相互独立地表示一价有机基团)所示的m单元和sio4/2所示的硅氧烷单元(q单元)且m单元相对于q单元1摩尔的物质量比在0.5～2.0的范围内的聚有机硅氧烷树脂50～99质量份、和(c)自由基聚合引发剂0.1～10质量份，所述热熔型固化性聚有机硅氧烷组合物任意地含有(d)选自(d1)单官能团或多官能团的乙烯基系单体和(d2)在分子内具有至少1个丙烯酰基或包含甲基丙烯酰基的有机基团的聚有机硅氧烷化合物中的1种以上的自由基反应性成分0～50质量份，相对于组合物的固体成分的总质量，(b)成分的含量为50质量％以上。
5、特别是在(c)成分的至少一部分为(c1)光自由基聚合引发剂的情况下，由于具有基于高能量射线的照射的光固化性，因此能够实现在室温下具有良好的固化性的热熔型固化性聚有机硅氧烷组合物。
6、进而，上述课题可通过成型为片或膜状的上述热熔型固化性聚有机硅氧烷组合物、包含其的剥离性层叠体以及它们的制造方法而适宜地解决。同样地，上述课题可通过使本专利技术涉及的热熔型固化性聚有机硅氧烷组合物固化而成的固化产物、具有该固化产物的半导体装置或光半导体装置、及其密封或粘接方法而适当地解决。
7、专利技术的效果
8、本专利技术的热熔型固化性聚有机硅氧烷组合物具有良好的热熔性，根据密封工艺、树脂构件的耐热性，通过高温下的加热固化和/或紫外线等高能量射线照射，能够在室温等低温～高温下的广泛的温度范围内固化，特别是即使在室温等低温下也能够实现良好的固化性，得到的固化产物能够在广泛的范围内设计对基材的密合性和粘合力，耐久性等物理强度和透明性优异，并且二次成型等操作作业性优异，因此通过固化体系的选择，能够适合用作各种密封/粘接工艺、保护基板材料、特别是耐热性低的树脂基板的密封剂或基板等粘接构件。
9、此外，根据本专利技术，热熔型固化性聚有机硅氧烷组合物可以以不包含空隙等的厚度为10μm～1000μm的片或膜状形式提供，或者可以以包含该固化性有机硅组合物片或膜和剥离片或膜的剥离性层叠体的形式提供。此外，由本专利技术的热熔型固化性聚有机硅氧烷组合物形成的片或膜、或者包含其的剥离性层叠体可以在电子构件、例如半导体装置的制造工序等中根据需要裁切成所期望的大小来使用，可以应用于对大面积基材的一次性密封、一次性粘接等工业生产工序，特别是通过固化剂和固化体系的选择，通过高能量射线照射，可以在室温等低温下实现良好的密封工艺。
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1.一种热熔型固化性聚有机硅氧烷组合物，包括：(A)分子内具有2个以上烯基的链状聚有机硅氧烷1～50质量份；
2.根据权利要求1所述的热熔型固化性聚有机硅氧烷组合物，(D)成分的至少一部分为(D1-1)碳原子数8～30的单官能团或多官能团的乙烯基系单体。
3.根据权利要求1所述的热熔型固化性聚有机硅氧烷组合物，(D)成分的至少一部分为在(D2-1)分子链的末端或侧链具有至少1个以上的通式(1)：
4.根据权利要求1～3中任一项所述的热熔型固化性聚有机硅氧烷组合物，其特征在于：(C)成分的至少一部分为(C1)光自由基聚合引发剂，具有基于高能量射线的照射的光固化性。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的热熔型固化性聚有机硅氧烷组合物，其特征在于：(C)成分的至少一部分为(C2)热自由基聚合引发剂，具有加热固化性。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的热熔型固化性聚有机硅氧烷组合物，其特征在于：80℃下的固化前组合物的复数粘度为500000Pa·s以下。
7.一种固化产物，其通过使根据权利要求1～6中任一项所述的热
8.根据权利要求1～6中任一项所述的热熔型固化性聚有机硅氧烷组合物，其成型为片状或膜状。
9.一种剥离性层叠体，其具有：权利要求8所述的热熔型固化性聚有机硅氧烷组合物的片或膜；以及贴附于所述组合物的片或膜的单面或两面的、具备与所述组合物的片或膜相对的剥离面的片或膜状基材，所述组合物的片或膜能够从具备剥离面的片或膜状基材剥离。
10.一种半导体装置或光半导体装置，所述装置具有权利要求7所述的固化产物。
11.根据权利要求8所述的固化性热熔有机硅组合物的片材或膜的制造方法，工序(I)：以任意分散于有机溶剂的形式，将权利要求1～6中任一项所述的热熔型固化性聚有机硅氧烷组合物涂布于基材上的工序；和
12.一种半导体装置或光半导体装置的密封方法或粘接方法，包括：工序(E-I)：使权利要求1～6中任一项所述的热熔型固化性聚有机硅氧烷组合物与半导体装置、光半导体装置或作为其前体的基材的一部分或全部密合的工序；以及
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种热熔型固化性聚有机硅氧烷组合物，包括：(a)分子内具有2个以上烯基的链状聚有机硅氧烷1～50质量份；
2.根据权利要求1所述的热熔型固化性聚有机硅氧烷组合物，(d)成分的至少一部分为(d1-1)碳原子数8～30的单官能团或多官能团的乙烯基系单体。
3.根据权利要求1所述的热熔型固化性聚有机硅氧烷组合物，(d)成分的至少一部分为在(d2-1)分子链的末端或侧链具有至少1个以上的通式(1)：
4.根据权利要求1～3中任一项所述的热熔型固化性聚有机硅氧烷组合物，其特征在于：(c)成分的至少一部分为(c1)光自由基聚合引发剂，具有基于高能量射线的照射的光固化性。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的热熔型固化性聚有机硅氧烷组合物，其特征在于：(c)成分的至少一部分为(c2)热自由基聚合引发剂，具有加热固化性。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的热熔型固化性聚有机硅氧烷组合物，其特征在于：80℃下的固化前组合物的复数粘度为500000pa·s以下。
7.一种固化产物，其通过...
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