【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及固化性热熔有机硅组合物以及使用该组合物的光学构件的密封技术。
技术介绍
1、固化性有机硅组合物进行固化而形成具有优异的耐热性、耐寒性、电绝缘性、耐候性、防水性、透明性的固化物，因此被用于广泛的产业领域。
2、这样的固化性有机硅组合物的固化物与其他有机材料相比不易变色，另外，物理上的物性的降低小，因此也适合作为光学材料和半导体装置的密封剂。
3、本案的申请人等例如在专利文献1和专利文献2中公开了加热固化型热熔有机硅组合物。具体而言，专利文献1中公开了包含具有氢化硅烷化反应性基团和/或自由基反应性基团的热熔性有机硅的加热固化型的组合物，专利文献2中公开了一种反应性有机硅组合物，其为氢化硅烷化反应
4、固化性，具有烯基，提供在高温下流动化的反应性热塑体。然而，在这些文献中，没有具体公开包含具有树脂状有机硅氧烷嵌段的含有树脂-线性结构的有机聚硅氧烷嵌段共聚物的热熔有机硅组合物，所述树脂状有机硅氧烷嵌段具有丙烯酰基或甲基丙烯酰基，进一步地，专利文献1或2中公开
5、的固化剂是需要超过150℃的高温的加热固化反应的氢化硅烷化反应催化剂或有机过氧化物，低温下的固化反应或光固化反应没有任何记载和启示。
6、另一方面，近年来，由于轻量化和功能上的要求，使用耐热性低的树脂构件的光学装置、光半导体装置的需求正在扩大。然而，如上所述，
7、以往的热熔有机硅组合物在密封工艺等中可实用的固化温度高，有时引起耐热性低的有机树脂的变形、劣化。
8、另一方面，为了应
9、(申请时未公开)中提出了一种固化性热熔有机硅组合物，其包含具有乙
10、烯基等氢化硅烷化反应固化反应性的官能团的有机聚硅氧烷树脂和紫外线活性型的氢化硅烷化反应催化剂，能够进行100℃以下的低温固化，但即使在进行降低固化延迟剂的含量等组成上的最优化的情况下，由于固化速度与伴随密封工艺的工业生产率的关系，在通过高能量射线照射经过催化剂的活化后，有时也需要120℃左右的高温固化，在应对室温/低温下的快速固化密封工艺方面对耐热性低的有机树脂留有进一步改善的余地。需要说明的是，专利文献3中，对于具有丙烯酰基或甲基丙烯酰基的含有树脂-线性结构的有机聚硅氧烷嵌段共聚物的使用以及氢化硅烷化反应催化剂以外的固化剂，没有任何记载和启示。
11、对此，专利文献4等中提出了使用硫醇-烯反应的活性能量射线固化型热熔有机硅组合物。这些在即使在室温(低温)下也能够迅速固化的方面优异，但具有固化物的耐黄变性低、难以应用于要求透明性的用途的课题。
12、现有技术文献
13、专利文献
14、专利文献1：国际公开(wo)第2016/136243号小册子
15、专利文献2：日本特开2014-009322号公报
16、专利文献3：国际专利申请pct/jp2021/12840(申请时未公开)
17、专利文献4：国际公开(wo)第2017/068762号小册子
技术实现思路
1、专利技术所要解决的问题
2、本专利技术的目的在于提供热熔型的有机硅组合物及其使用，该热熔型的有机硅组合物能够根据密封工艺、树脂构件的耐热性而在低温至高温下的广泛的温度范围使其固化，特别是即使在室温等低温下也能够实现良好的固化性，得到的固化生成物的耐久性等物理强度、透明性以及耐黄变性优异，且包覆成型等操作作业性优异。
3、用于解决问题的方案
4、作为深入研究的结果，本专利技术人等发现，上述问题可以通过含有具有作为硅原子键合官能团(ra)的丙烯酰基或甲基丙烯酰基的树脂状有机硅氧烷嵌段x以及由二有机硅氧烷单元组成的链状有机硅氧烷嵌段y且在分子中具有至少两个上述ra的含有树脂-线性结构的有机聚硅氧烷嵌段共聚物、以及(b)自由基聚合引发剂的固化性热熔有机硅组合物来解决，从而完成了本专利技术。本组合物具有如下优点：热熔特性优异，根据自由基聚合引发剂的选择，能够实现基于高温下的加热固化或高能量射线的照射的室温至低温固化特性，且所得固化生成物的耐久性、透明性以及对紫外线、高温、湿气等的耐黄变性优异。
5、具体而言，本专利技术的固化性热熔有机硅组合物含有：(a)具有树脂状有机硅氧烷嵌段x以及链状有机硅氧烷嵌段y且在分子内具有至少两个上述的硅原子键合官能团(ra)的、含有树脂-线性结构的有机聚硅氧烷嵌段共聚物100质量份；(b)自由基聚合引发剂0.1至10质量份，所述树脂状有机硅氧烷嵌段x具有包含由raarb(3-a)sio1/2(ra为包含丙烯酰基或甲基丙烯酰基的硅原子键合官能团，rb为除ra以外的一价有机基团，a为1至3的范围的数)所示的硅氧烷单元(mra单元)以及由sio4/2所示的硅氧烷单元(q单元)的丙烯酰基或甲基丙烯酰基，所述链状有机硅氧烷嵌段y具有由{rc2sio2/2}β(rc为一价有机基团，β为2以上的数)所示的硅氧烷单元。在此，(b)成分可以为光自由基聚合引发剂、热自由基聚合引发剂以及这些的组合，可以配合使用本专利技术的热熔有机硅组合物的密封工艺及密封对象的耐热性等而适当选择(b)成分的种类以及固化方法、固化温度。
6、特别是在(b)成分的至少一部分为(b1)光自由基聚合引发剂的情况下，由于具有基于高能量射线的照射的光固化性，因此能够实现在室温下具有良好的固化性的活性能量射线固化型的热熔有机硅组合物。
7、进一步地，上述课题可以通过成型为片材或膜状的上述固化性热熔有机硅组合物、包含其的剥离性层叠体以及这些的制造方法来适宜地解决。同样地，上述课题可以通过使本专利技术的固化性热熔有机硅组合物固化而成的固化生成物、具有该固化生成物的半导体装置或光半导体装置、以及这些的密封方法而适宜地解决。
8、专利技术的效果
9、本专利技术的固化性有机硅组合物具有良好的热熔性，根据密封工艺、树脂构件的耐热性，通过基于高温的加热固化和/或紫外线等高能量射线照射，能够在室温等低温至高温下的广泛的温度范围内固化，特别是即使在室温等低温下也能够实现良好的固化性，所得固化生成物的耐久性等物理强度、透明性以及耐黄变性优异，且包覆成型等操作作业性优异，因此通过固化体系的选择，能够适合用作保护各种密封工艺、基板材料、特别是耐热性低的树脂基板的密封剂。
10、另外，根据本专利技术，能够以不含空隙的、厚度为10至1000μm的片材或膜状的形态；或者以包含该固化性有机硅组合物的片材或膜与剥离片或膜的剥离性层叠体的形态提供这样的固化性热熔有机硅组合物。此外，由本专利技术的固化性有机硅组合物组成的片材或膜、或者包含其的剥离性层叠体可以在电子部件、例如半导体装置的制造工序等中根据需要裁切成所期望的大小来使用，可以应用于对大面积基材的一次性密封、一次性粘接等工业生产工序，特别是通过固化剂和固化体系的选择，通过高能量射线照射，可以在室温等低温下实现良好的密封工艺。
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1.一种固化性热熔有机硅组合物，其特征在于，含有：
2.根据权利要求1所述的固化性热熔有机硅组合物，其特征在于，
3.根据权利要求1或2所述的固化性热熔有机硅组合物，其特征在于，(A)成分包含树脂状有机硅氧烷嵌段X，所述树脂状有机硅氧烷嵌段X含有由RB3SiO1/2(RB为除上述RA以外的一价有机基团)所示的硅氧烷单元(M单元)、所述MRA单元以及Q单元而成，M单元和MRA单元的物质量之和相对于Q单元1摩尔在0.5至2.0摩尔的范围内。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的固化性热熔有机硅组合物，其特征在于，(A)成分由树脂状有机硅氧烷嵌段X以及具有由{RC2SiO2/2}β1(RC为一价有机基团，β1为5至5000的范围的数)所示的硅氧烷单元的链状有机硅氧烷嵌段Y组成，且具有嵌段X和嵌段Y通过硅原子间的硅氧烷键连结的结构。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的固化性热熔有机硅组合物，其特征在于，(A)成分包含MRA单元的物质量相对于Q单元1摩尔在0.02至0.50摩尔范围内的树脂状有机硅氧烷嵌段X。
6.根据权利要求1
7.根据权利要求1至6中任一项所述的固化性热熔有机硅组合物，其特征在于，(B)成分的至少一部分为(B1)光自由基聚合引发剂，具有基于高能量射线的照射的光固化性。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的固化性热熔有机硅组合物，其特征在于，还包含(C)在分子内以M单元的物质量相对于Q单元的比在0.5至2.0的范围内包含由RB3SiO1/2及RAaRB(3-a)SiO1/2(式中，a表示1至3的整数，RB相互独立地表示除了RA以外的一价有机基团)所示的M单元和Q单元的有机聚硅氧烷树脂0.1至50质量份。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的固化性热熔有机硅组合物，其特征在于，还含有(D)在分子内以M单元相对于Q单元的比在0.5至2.0的范围内包含RB3SiO1/2(式中，R相互独立地表示除了RA以外的一价有机基团)所示的M单元和Q单元的有机聚硅氧烷树脂0.1至200质量份。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的固化性热熔有机硅组合物，其特征在于，还含有(E)选自任选具有烯基的聚二甲基硅氧烷和(F)有机溶剂中的一种以上。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的固化性热熔有机硅组合物，其特征在于，80℃下的固化前组合物的复数粘度为10,000Pa·s以下。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的固化性热熔有机硅组合物，其特征在于，所述固化性热熔有机硅组合物成型为片材或膜状。
13.一种剥离性层叠体，其特征在于，具有：权利要求12所述的固化性热熔有机硅组合物的片材或膜；以及
14.一种固化生成物，其特征在于，通过使根据权利要求1至12中任一项所述的固化性热熔有机硅组合物固化而成。
15.一种固化生成物，其特征在于，通过对权利要求7所述的光固化性热熔有机硅组合物照射高能射线使其固化而成。
16.一种半导体装置或光半导体装置，其特征在于，所述装置具有权利要求14或15所述的固化生成物。
17.根据权利要求12所述的固化性热熔有机硅组合物的片材或膜的制造方法，其特征在于，包括：工序(I)：将权利要求1至12中任一项所述的固化性热熔有机硅组合物涂布在基材上的工序；以及
18.一种半导体装置或光半导体装置的密封方法，其特征在于，包括：工序(E-I)：使权利要求1至12中任一项所述的固化性热熔有机硅组合物与作为半导体装置、光半导体装置或这些的前体的基材的一部分或全部密接的工序；以及
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种固化性热熔有机硅组合物，其特征在于，含有：
2.根据权利要求1所述的固化性热熔有机硅组合物，其特征在于，
3.根据权利要求1或2所述的固化性热熔有机硅组合物，其特征在于，(a)成分包含树脂状有机硅氧烷嵌段x，所述树脂状有机硅氧烷嵌段x含有由rb3sio1/2(rb为除上述ra以外的一价有机基团)所示的硅氧烷单元(m单元)、所述mra单元以及q单元而成，m单元和mra单元的物质量之和相对于q单元1摩尔在0.5至2.0摩尔的范围内。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的固化性热熔有机硅组合物，其特征在于，(a)成分由树脂状有机硅氧烷嵌段x以及具有由{rc2sio2/2}β1(rc为一价有机基团，β1为5至5000的范围的数)所示的硅氧烷单元的链状有机硅氧烷嵌段y组成，且具有嵌段x和嵌段y通过硅原子间的硅氧烷键连结的结构。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的固化性热熔有机硅组合物，其特征在于，(a)成分包含mra单元的物质量相对于q单元1摩尔在0.02至0.50摩尔范围内的树脂状有机硅氧烷嵌段x。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的固化性热熔有机硅组合物，其特征在于，(a)成分中的硅原子键合官能团ra为由下述通式(1)所示的官能团。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的固化性热熔有机硅组合物，其特征在于，(b)成分的至少一部分为(b1)光自由基聚合引发剂，具有基于高能量射线的照射的光固化性。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的固化性热熔有机硅组合物，其特征在于，还包含(c)在分子内以m单元的物质量相对于q单元的比在0.5至2.0的范围内包含由rb3sio1/2及raarb(3-a)sio1/2(式中，a表示1至3的整数，rb相互独立地表示除了ra以外的一价有机基团)所示的m单元和q单元的有机聚硅氧烷树脂0.1至...
【专利技术属性】
技术研发人员：横内优来，饭村智浩，古川晴彦，
申请(专利权)人：陶氏东丽株式会社，
类型：发明
国别省市：
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