【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术对应于2021年9月8日提交给日本国特许厅的日本特愿2021-146137号，该申请的全部公开内容通过引用编入本专利技术。本专利技术涉及半导体装置。
技术介绍
1、专利文献1公开了包含半导体层、第一电极、第二电极、横向型元件、locos氧化膜电阻性场板的半导体装置。第一电极形成在半导体层的表面上。第二电极与第一电极隔开间隔地形成在半导体层的表面上。横向型元件在半导体层的表面的表层部形成于第一电极和第二电极之间的区域，并与第一电极和第二电极电连接。locos氧化膜在半导体层的表面将构成横向型元件的各部分离。电阻性场板形成在locos氧化膜上。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：美国专利申请公开第2013/075877号说明书
技术实现思路
1、专利技术要解决的技术问题
2、一个实施方式提供具有新的结构的半导体装置。
3、用于解决课题的技术方案
4、一个实施方式提供一种半导体装置，其包括：具有主面的芯片(基片)；形成于所述主面的表层部的第一导电型的漏极区域；在所述主面的表层部中形成于与所述漏极区域不同的区域的第一导电型的源极区域，以与所述漏极区域和所述源极区域电隔离的方式，在所述主面的表层部中形成于与所述漏极区域和所述源极区域不同的区域中的第二导电型的背栅区域；在所述主面上覆盖所述源极区域的栅极绝缘膜；和形成在所述栅极绝缘膜上的栅极电极。
5、一个实施方式提供一种半导体装置，包括
6、上述的或者其他目的、特征和效果通过参照附图说明的实施方式能够明确。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，进一步包括：
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：
4.根据权利要求2或3所述的半导体装置，其特征在于：
5.根据权利要求2～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于：
6.根据权利要求2～5中任一项所述的半导体装置，其特征在于：
7.根据权利要求2～6中任一项所述的半导体装置，其特征在于：
8.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体装置，其特征在于：
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于：
10.根据权利要求8或9所述的半导体装置，其特征在于：
11.根据权利要求8～10中任一项所述的半导体装置，其特征在于：
12.根据权利要求1～11中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，进一步包括：
13.根据权利要求12所述的半导体装置，其特征在于：
14.根据权利要求12或13所述的半导体装置，其特征在于：
15.
16.根据权利要求1～15中任一项所述的半导体装置，其特征在于：
17.根据权利要求1～16中任一项所述的半导体装置，其特征在于：
18.根据权利要求1至17中任一项所述的半导体装置，其特征在于：
19.根据权利要求1至17中任一项所述的半导体装置，其特征在于：
20.一种半导体装置，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，进一步包括：
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：
4.根据权利要求2或3所述的半导体装置，其特征在于：
5.根据权利要求2～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于：
6.根据权利要求2～5中任一项所述的半导体装置，其特征在于：
7.根据权利要求2～6中任一项所述的半导体装置，其特征在于：
8.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体装置，其特征在于：
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于：
10.根据权利要求8或9所述的半导体装置，其特征在于：
11.根据权利要求8～10中任...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。