温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种半导体装置(1A)，其包括：具有主面(3)的芯片(2)；形成在上述主面的表层部的第一导电型的漏极区域(17)；在上述主面的表层部形成在与上述漏极区域不同的区域的第一导电型的源极区域(22)；以与上述漏极区域和上述源极区域电隔离...
该专利属于罗姆股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过罗姆股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。