【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电路通断控制领域，具体而言，涉及一种28v电源通断控制电路。
技术介绍
1、现有方案只有常规的滤波电路未设计28v电源通断控制电路，采用28v长时间通电的设计方案或采用较复杂的28v电源通断控制电路，现有方案会因电动机构干扰、误操作等导致电机驱动器、电机长时间处于工作状态，无法有效降低电机驱动器、电机损耗，不利于电机驱动器、电机长时间工作及延长其工作寿命。
技术实现思路
1、为解决28v电源通断控制的问题，本专利技术提供了一种28v电源通断控制电路，包括：
2、开关控制模块和放电模块；
3、所述开关控制模块包括光耦合器、pmos管、限流电阻、第一限压电阻和第二限压电阻；
4、所述光耦合器与所述pmos管电连接；
5、所述pmos管与电源正极电连接；
6、所述限流电阻与pmos管并联；
7、所述第一限压电阻与所述光耦合器电连接；
8、所述第二限压电阻与所述光耦合器电连接；
9、所述放电模块包括极性电容，所述极性电容正极与电源正极电连接，负极与共模电感电连接。
10、在上述描述中，pmos管是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的mos管，mos管可分为n沟道与p沟道两大类，p沟道硅mos场效应晶体管在n型硅衬底上有两个p+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，源极上加有足够的正电压(栅极接地)时，栅极下的n型硅表面呈现p型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。改
11、在一些实施例中，光耦合器第一引脚与所述第一限压电阻电连接；
12、光耦合器第二引脚接地；
13、光耦合器第三引脚与所述第二限压电阻电连接；
14、光耦合器第四引脚与pmos管的栅极电连接。
15、在一些实施例中，pmos管源极与所述极性电容正极和电源正极电连接；
16、pmos管栅极与所述光耦合器第三引脚电连接；
17、pmos管漏极连接输出信号。
18、在一些实施例中，所述28v电源通断控制电路还包括第一滤波模块和第二滤波模块。
19、在一些实施例中，所述第一滤波模块是包括共模电感、tvs二极管；
20、共模电感第一引脚接电源正极；
21、共模电感第二引脚接地；
22、共模电感第三引脚与所述tvs二极管负极电连接；
23、共模电感第四引脚与所述tvs二极管正极电连接；
24、tvs二极管正极与所述共模电感第三引脚电连接，负极与所述tvs二极管和电源正极电连接。
25、在上述描述中，tvs二极管全称是瞬态电压抑制二极管(transient voltagesuppression diode)，是一种保护用的电子零件，可以保护电器设备不受导线引入的电压尖峰破坏。tvs二极管会和要保护的电路并联。当其电压超过突崩溃准位时，直接分流过多的电流。tvs二极管是箝位器，会抑制超过其崩溃电压的过高电压。当过电压消失时，tvs二极管会自动复归，而其吸收的能量比类似额定的撬棒电路要大很多。
26、在一些实施例中，所述第二滤波模块是包括差模电感、第一瓷介电容和第二瓷介电容；
27、所述第一瓷介电容一端与所述差模电感电连接，另一端与所述共模电感第三引脚电连接；
28、所述第二瓷介电容一端与所述差模电感另一端电连接，另一端与所述共模电感第三引脚电连接。
29、在一些实施例中，所述限流电阻一端与所述pmos管源极和所述差模电感电连接，另一端与所述光耦合器第四引脚和pmos管栅极电连接；
30、所述第一限压电阻一端与所述光耦合器第一引脚电连接，另一端连接输入信号；
31、所述第二限压电阻一端与所述光耦合器第三引脚电连接，另一端接地。
32、为解决28v电源通断控制的问题，本专利技术有以下优点：
33、1用较少的器件用量，比较简单的电路形式，解决了28v电源通断的控制问题，还兼容了emc滤波问题。
34、2滤波电路不仅可对电机产生的电压、电流过冲进行抑制，减小28v电源线电磁干扰，还可在瞬断状态进行正常工作，避免因电源瞬断造成电动机构不受控。
35、3通过对28v电源通断控制电路的控制，可确保电动机构待机状态电机处于不工作状态，降低电机驱动器、电机损耗，以此保证电机驱动器、电机的寿命满足电动机构的整个寿命周期要求。
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1.一种28V电源通断控制电路，其特征在于，所述28V电源通断控制电路包括：
2.根据权利要求1所述的一种28V电源通断控制电路，其特征在于，光耦合器第一引脚与所述第一限压电阻电连接；
3.根据权利要求2所述的一种28V电源通断控制电路，其特征在于，PMOS管源极与所述极性电容正极和电源正极电连接；
4.根据权利要求3所述的一种28V电源通断控制电路，其特征在于，所述28V电源通断控制电路还包括第一滤波模块和第二滤波模块。
5.根据权利要求4所述的一种28V电源通断控制电路，其特征在于，所述第一滤波模块是包括共模电感、TVS二极管；
6.根据权利要求4所述的一种28V电源通断控制电路，其特征在于，所述第二滤波模块是包括差模电感、第一瓷介电容和第二瓷介电容；
7.根据权利要求6所述的一种28V电源通断控制电路，其特征在于，所述限流电阻一端与所述PMOS管源极和所述差模电感电连接，另一端与所述光耦合器第四引脚和PMOS管栅极电连接；
【技术特征摘要】
1.一种28v电源通断控制电路，其特征在于，所述28v电源通断控制电路包括：
2.根据权利要求1所述的一种28v电源通断控制电路，其特征在于，光耦合器第一引脚与所述第一限压电阻电连接；
3.根据权利要求2所述的一种28v电源通断控制电路，其特征在于，pmos管源极与所述极性电容正极和电源正极电连接；
4.根据权利要求3所述的一种28v电源通断控制电路，其特征在于，所述28v电源通断控制电路还包括第一滤波模块和第二滤波...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐德浩，李正喜，杨志伏，冯明军，范玉浪，
申请(专利权)人：贵州航天控制技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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