【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体制造，尤其涉及一种承载传输模组、半导体处理设备及晶圆处理方法。
技术介绍
1、在制造半导体器件时，对半导体晶圆(以下简称为晶圆)实施成膜、刻蚀、氧化、扩散等各种处理。为了提高半导体器件的生产率，可以采用多室系统的半导体处理设备。
2、多室系统的半导体处理设备，一般包括：承载台，用于承载收纳多个晶圆并可搬运晶圆；装载模块(loader module，lm)，处于大气常压环境中，具有搬运晶圆的机械臂；多个处理模块(process module，pm)，配置在装载模块的周围，并在真空环境下对晶圆进行预定的处理；装载锁定模块(load lock module，llm)，配置在处理模块和装载模块之间，并能够在真空环境与常压环境之间进行切换。其中，承载台上未经处理的晶圆可以依次经装载模块和装载锁定模块送入处理模块中进行处理，处理完的晶圆再依次经过装载锁定模块和装载模块后被送入下一处理模块。
3、装载锁定模块与装载模块之间通常还设置有净化存储仓(purge storage，pst)，净化存储仓处于负压环境中。晶圆在制程结束后，从装载锁定模块传入净化存储仓中进行净化，以清除晶圆在制程结束后残留的气体分子。晶圆经净化后，再经装载模块传入下一处理模块。
4、然而，处理后的晶圆在装载锁定模块中接触大气环境后，晶圆表面残留的气体分子会与空气反应，容易在晶圆表面凝结形成净化存储仓难以清除的副产物，这将直接影响晶圆的良率。
技术实现思路
1、为了解决
技术介绍
2、第一方面，本公开提供一种承载传输模组，包括传送腔室和设置于传送腔室内的支承座；
3、传送腔室内具有相连通的暂存区和控温区，暂存区位于控温区上方；
4、支承座包括支撑架、承载台和支撑柱；支撑架安装于承载台上方，支撑架用于在暂存区承载晶圆；承载台安装于支撑柱的顶部，用于在控温区内承载晶圆；支撑柱从底部伸入传送腔室内，用于控制承载台和支撑架沿传送腔室的高度方向移动；
5、其中，承载台内设置有控温盘，控温盘用于控制位于承载台上的晶圆的温度。
6、在一种可能的实施方式中，传送腔室内设置有抽气管和至少一个进气管。
7、在一种可能的实施方式中，进气管包括第一进气管，第一进气管位于暂存区的上方。
8、在一种可能的实施方式中，进气管还包括第二进气管，第二进气管位于控温区的下方。
9、在一种可能的实施方式中，第二进气管与第一进气管分别位于传送腔室的两侧，第二进气管的出风范围与第一进气管的出风范围分别覆盖晶圆的两侧。
10、在一种可能的实施方式中，支撑柱内安装有电机，电机与承载台连接，电机驱动承载台旋转。
11、在一种可能的实施方式中，支承座内设置有顶出组件，顶出组件包括多个间隔设置的顶杆，顶杆回缩在承载台内或伸出在承载台的顶面的上方。
12、在一种可能的实施方式中，顶出组件还包括驱动杆，驱动杆位于支撑柱内，且驱动杆沿支撑柱的轴向移动，顶杆连接于驱动杆。
13、在一种可能的实施方式中，承载台内设置有贯穿控温盘的通孔，顶杆在通孔内升降，包括：上升时伸出通孔以高出承载台的顶面，下降时回缩至通孔内以低于承载台的顶面。
14、在一种可能的实施方式中，支撑架包括至少两组支撑部，支撑部沿承载台的周向间隔设置，支撑部围成的区域内用于放置晶圆，且不同支撑部用于支撑晶圆的相应的不同部位。
15、在一种可能的实施方式中，支撑部包括安装板和支撑板；
16、安装板的底端连接于承载台的侧壁，安装板的顶端向传送腔室的顶部伸出，支撑板连接于安装板的朝向传送腔室的中心的一侧板面，晶圆搭接在支撑板的表面上。
17、第二方面，本公开提供一种半导体处理设备，包括装载模块、处理模块和如前所述的承载传输模组；
18、装载模块和处理模块分别位于承载传输模组周侧的不同方位，装载模块和承载传输模组之间及处理模块和承载传输模组之间均设有通道，通道设有可开合的门板。
19、在一种可能的实施方式中，装载模块中设有第一机械臂，第一机械臂可伸入承载传输模组的传送腔室内；
20、处理模块中设有第二机械臂，第二机械臂可伸入承载传输模组的传送腔室内。
21、第三方面，本公开提供一种晶圆处理方法，应用于如前所述的半导体处理设备，包括：
22、将待处理晶圆由装载模块送入承载传输模组的传送腔室内的支撑架上；
23、支撑架沿传送腔室的高度方向上移，至待处理晶圆位于传送腔室的暂存区内；
24、降低传送腔室内的气体压力，使传送腔室内由大气环境转变为真空环境；
25、支撑架沿传送腔室的高度方向下移至待处理晶圆到达预定位置；
26、将待处理晶圆由传送腔室移送至处理模块，进行处理；
27、将已处理晶圆由处理模块移送至传送腔室内的预定位置；
28、将已处理晶圆放置在位于传送腔室的控温区内的承载台上；
29、升高传送腔室内的气体压力，并通过位于承载台内的控温盘逐渐调节已处理晶圆的温度，直至已处理晶圆的温度达到室温。
30、在一种可能的实施方式中，降低传送腔室内的气体压力，包括：通过传送腔室内设置的抽气管抽走传送腔室内的气体；
31、升高传送腔室内的气体压力，包括：通过传送腔室内设置的进气管向传送腔室内送入气体。
32、在一种可能的实施方式中，将已处理晶圆放置在承载台上之后，包括：
33、控制承载台旋转，以带动位于承载台上的已处理晶圆同步旋转。
34、本公开提供的承载传输模组及半导体处理设备，承载传输模组通过在其传送腔室内设置暂存区和控温区，暂存区和控温区相连通，通过在传送腔室内设置支承座，支承座依靠支撑柱带动承载台和安装在承载台上方的支撑架沿传送腔室的高度方向移动。未处理的晶圆可传入暂存区并放置在支撑架上，通过抽出传送腔室内的空气，使未处理的晶圆在暂存区内经过由大气压到负压的转变后，再传入处理模块中进行处理；处理结束后的晶圆可传入控温区，并支撑在承载台的顶面上，通过向传送腔室内通入惰性气体，可防止承载台上的晶圆表面残留的气体分子与空气反应而生成副产物，并且，通过承载台内设置的控温盘控制晶圆的温度，使晶圆的温度逐渐转变到常温状态，即使生成副产物，也可避免副产物凝结在晶圆表面。从而，提升半导体器件的良率，降低半导体器件的制造成本。
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1.一种承载传输模组，其特征在于，包括传送腔室和设置于所述传送腔室内的支承座；
2.根据权利要求1所述的承载传输模组，其特征在于，所述传送腔室内设置有抽气管和至少一个进气管。
3.根据权利要求2所述的承载传输模组，其特征在于，所述进气管包括第一进气管，所述第一进气管位于所述暂存区的上方。
4.根据权利要求3所述的承载传输模组，其特征在于，所述进气管还包括第二进气管，所述第二进气管位于所述控温区的下方。
5.根据权利要求4所述的承载传输模组，其特征在于，所述第二进气管与所述第一进气管分别位于所述传送腔室的两侧，所述第二进气管的出风范围与所述第一进气管的出风范围分别覆盖所述晶圆的两侧。
6.根据权利要求1-5任一项所述的承载传输模组，其特征在于，所述支撑柱内安装有电机，所述电机与所述承载台连接，所述电机驱动所述承载台旋转。
7.根据权利要求1-5任一项所述的承载传输模组，其特征在于，所述支承座内设置有顶出组件，所述顶出组件包括多个间隔设置的顶杆，所述顶杆回缩在所述承载台内或伸出在所述承载台的顶面的上方。
<...【技术特征摘要】
1.一种承载传输模组，其特征在于，包括传送腔室和设置于所述传送腔室内的支承座；
2.根据权利要求1所述的承载传输模组，其特征在于，所述传送腔室内设置有抽气管和至少一个进气管。
3.根据权利要求2所述的承载传输模组，其特征在于，所述进气管包括第一进气管，所述第一进气管位于所述暂存区的上方。
4.根据权利要求3所述的承载传输模组，其特征在于，所述进气管还包括第二进气管，所述第二进气管位于所述控温区的下方。
5.根据权利要求4所述的承载传输模组，其特征在于，所述第二进气管与所述第一进气管分别位于所述传送腔室的两侧，所述第二进气管的出风范围与所述第一进气管的出风范围分别覆盖所述晶圆的两侧。
6.根据权利要求1-5任一项所述的承载传输模组，其特征在于，所述支撑柱内安装有电机，所述电机与所述承载台连接，所述电机驱动所述承载台旋转。
7.根据权利要求1-5任一项所述的承载传输模组，其特征在于，所述支承座内设置有顶出组件，所述顶出组件包括多个间隔设置的顶杆，所述顶杆回缩在所述承载台内或伸出在所述承载台的顶面的上方。
8.根据权利要求7所述的承载传输模组，其特征在于，所述顶出组件还包括驱动杆，所述驱动杆位于所述支撑柱内，且所述驱动杆沿所述支撑柱的轴向移动，所述顶杆连接于所述驱动杆。
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【专利技术属性】
技术研发人员：齐博岳，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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