【技术实现步骤摘要】
本申请涉及电路板生产，更具体地说，是涉及一种功率半导体用金属基覆金属箔板及其线路蚀刻工艺。
技术介绍
1、近年来功率半导体发展迅速，功率半导体的密度不断提高。功率半导体制成的大功率电子逆变器得到了广泛的应用。绝缘栅双极晶体管(insulate-gate bipolartransistor，igbt)是一种在储能变流器、风电变流器、光伏逆变器和通用变频器中得到广泛应用的功率半导体器件。igbt模块在新能源电动汽车产业中具有重要的地位。igbt模块的基板的主要要求是保证电流的承载能力和使电源稳定。
2、igbt模块的发展趋势是承载更大的电流，并能够将发出的大量热量及时散出，igbt模块的电路层的铜箔厚度越来越厚。igbt模块的大电流特性使得igbt模块的电路层铜厚较大，igbt模块往往具有4oz至10oz的超厚铜箔电路。igbt模块的电路层在生产过程中，在铜厚≥75μm(约2oz)时，其导电铜路的侧蚀会变的十分明显。具体地说，对于铜箔厚度大于4oz的电路层，在进行蚀刻一般采用多次蚀刻的方法进行加工，但是蚀刻的次数越多，将会导致线路的侧蚀越严重，对igbt模块的线路的精度影响也就越大。
技术实现思路
1、本申请的目的是提供一种功率半导体用金属基覆金属箔板及其线路蚀刻工艺，解决了现有的igbt模块的电路层的侧蚀严重的技术问题，达到了改善了igbt模块的电路层结构的生产质量的技术效果。
2、本申请实施例提供的一种功率半导体用金属基覆金属箔板，金属基覆金属箔板包括依次叠
3、在一种可能的实现方式中，第一蚀刻图形和第二蚀刻图形的蚀刻深度为电路层的铜箔厚度的1/3至2/3。
4、在另一种可能的实现方式中，第一蚀刻图形的蚀刻槽侧壁保留有侧蚀凹槽。
5、在另一种可能的实现方式中，金属基板上设有和第一蚀刻图形对应的凸起图形，凸起图形嵌入到第一蚀刻图形的线路之间，树脂组合物介质层填充凸起图形和第一蚀刻图形之间的间隙。
6、在另一种可能的实现方式中，凸起图形通过在金属基板的表面进行快速蚀刻加工制成，在凸起图形的凸起结构顶部边沿通过快速蚀刻形成圆滑结构。
7、在另一种可能的实现方式中，凸起图形的蚀刻深度为第一蚀刻图形的蚀刻深度的1/2至2/3。
8、本申请实施例还提供了一种功率半导体用金属基覆金属箔板的线路蚀刻工艺，用于生产上述的功率半导体用金属基覆金属箔板，本工艺包括：对电路层铜箔进行固定，并在电路层铜箔的一侧蚀刻加工第一蚀刻图形；其中，电路层铜箔的厚度为0.01～1.0mm；依次叠置金属基板、树脂组合物介质层和电路层铜箔并进行压合；其中，电路层铜箔的第一蚀刻图形所在的一侧和树脂组合物介质层接合，树脂组合物介质层的热导率为0.3～30w(m·℃)；在电路层铜箔远离金属基板的一侧蚀刻加工第二蚀刻图形；其中，第一蚀刻图形和第二蚀刻图形相互贯穿形成电路图形。
9、在另一种可能的实现方式中，在电路层铜箔的一侧蚀刻加工第一蚀刻图形，包括：以第一蚀刻图形为参照缩小蚀刻区域的宽度分别进行至少两次快速蚀刻；其中，第一蚀刻图形的蚀刻槽侧壁保留有侧蚀凹槽。
10、在另一种可能的实现方式中，还包括：在金属基板上通过蚀刻加工凸出设于金属基板的表面的凸起图形，凸起图形和第一蚀刻图形对应的凸起图形；依次叠置金属基板、树脂组合物介质层和电路层铜箔并进行压合，包括：压合时凸起图形嵌入到第一蚀刻图形的线路之间，并且树脂组合物介质层填充凸起图形和第一蚀刻图形之间的间隙。
11、在另一种可能的实现方式中，凸起图形的线路宽度相比于第一蚀刻图形线路之间的间隙进行缩小处理。
12、在另一种可能的实现方式中，还包括：在凸起图形的凸起结构顶部边沿通过快速蚀刻形成圆滑结构。
13、在另一种可能的实现方式中，在真空条件下依次叠置金属基板、树脂组合物介质层和电路层铜箔并进行压合。
14、本申请实施例与现有技术相比存在的有益效果是：
15、本申请实施例提供了一种功率半导体用金属基覆金属箔板，金属基覆金属箔板包括依次叠置的金属基板、树脂组合物介质层和电路层，金属基板用于金属基覆金属箔板的散热结构，树脂组合物介质层的热导率为0.3～30w(m·℃)，电路层用于固定igbt芯片，电路层的铜箔厚度为0.01～1.0mm，电路层靠近金属基板的一侧设有第一蚀刻图形，电路层远离金属基板的一侧设有第二蚀刻图形，第一蚀刻图形和第二蚀刻图形分别完成加工后相互贯穿形成电路层的电路图形。本申请实施例能够通过金属基板提高igbt模块是散热效果，并能够通过在电路层两侧分别蚀刻后将电路层结合到金属基板上，有效地减小了电路层的侧蚀量，提高了igbt模块的电路的生产效果。
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1.一种功率半导体用金属基覆金属箔板，其特征在于，金属基覆金属箔板(1)包括依次叠置的金属基板(11)、树脂组合物介质层(12)和电路层(13)，金属基板(11)用于金属基覆金属箔板(1)的散热结构，树脂组合物介质层(12)的热导率为0.3～30W(m·℃)，电路层(13)用于固定IGBT芯片(131)，电路层(13)的铜箔厚度为0.01～1.0mm，电路层(13)靠近金属基板(11)的一侧设有第一蚀刻图形(131)，电路层(13)远离金属基板(11)的一侧设有第二蚀刻图形(132)，第一蚀刻图形(131)和第二蚀刻图形(132)分别完成加工后相互贯穿形成电路层(13)的电路图形(133)。
2.如权利要求1所述的功率半导体用金属基覆金属箔板，其特征在于，第一蚀刻图形(131)和第二蚀刻图形(132)的蚀刻深度为电路层(13)的铜箔厚度的1/3至2/3。
3.如权利要求2所述的功率半导体用金属基覆金属箔板，其特征在于，第一蚀刻图形(131)的蚀刻槽侧壁保留有侧蚀凹槽(131a)。
4.如权利要求3所述的功率半导体用金属基覆金属箔板，其特征在于，
5.如权利要求4所述的功率半导体用金属基覆金属箔板，其特征在于，凸起图形(111)通过在金属基板(11)的表面进行快速蚀刻加工制成，在凸起图形(111)的凸起结构顶部边沿通过快速蚀刻形成圆滑结构。
6.如权利要求5所述的功率半导体用金属基覆金属箔板，其特征在于，凸起图形(111)的蚀刻深度为第一蚀刻图形(131)的蚀刻深度的1/2至2/3。
7.一种功率半导体用金属基覆金属箔板的线路蚀刻工艺，其特征在于，用于生产如权利要求1-6中任一项所述的功率半导体用金属基覆金属箔板，包括：
8.如权利要求7所述的线路蚀刻工艺，其特征在于，在电路层铜箔(13a)的一侧蚀刻加工第一蚀刻图形(131)，包括：
9.如权利要求8所述的线路蚀刻工艺，其特征在于，还包括：
10.如权利要求9所述的线路蚀刻工艺，其特征在于，凸起图形(111)的线路宽度相比于第一蚀刻图形(131)线路之间的间隙进行缩小处理。
...【技术特征摘要】
1.一种功率半导体用金属基覆金属箔板，其特征在于，金属基覆金属箔板(1)包括依次叠置的金属基板(11)、树脂组合物介质层(12)和电路层(13)，金属基板(11)用于金属基覆金属箔板(1)的散热结构，树脂组合物介质层(12)的热导率为0.3～30w(m·℃)，电路层(13)用于固定igbt芯片(131)，电路层(13)的铜箔厚度为0.01～1.0mm，电路层(13)靠近金属基板(11)的一侧设有第一蚀刻图形(131)，电路层(13)远离金属基板(11)的一侧设有第二蚀刻图形(132)，第一蚀刻图形(131)和第二蚀刻图形(132)分别完成加工后相互贯穿形成电路层(13)的电路图形(133)。
2.如权利要求1所述的功率半导体用金属基覆金属箔板，其特征在于，第一蚀刻图形(131)和第二蚀刻图形(132)的蚀刻深度为电路层(13)的铜箔厚度的1/3至2/3。
3.如权利要求2所述的功率半导体用金属基覆金属箔板，其特征在于，第一蚀刻图形(131)的蚀刻槽侧壁保留有侧蚀凹槽(131a)。
4.如权利要求3所述的功率半导体用金属基覆金属箔板，其特征在于，金属基板(11)上设有和第一蚀刻图形(13...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐建华，林晨，李立岳，杨国栋，梁远文，蔡旭峰，
申请(专利权)人：珠海精路电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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