衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理系统及记录介质技术方案

技术编号：40791670 阅读：5 留言：0更新日期：2024-03-28 19:21

本申请涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理系统及记录介质。能以高精度在所期望的表面上选择性地形成膜。具有下述工序：(a)向具有第1表面和第2表面的衬底供给第1改性剂从而在第1表面形成第1抑制剂层；(b)向衬底供给被赋予第1能量的第1成膜剂从而在第2表面上形成第1膜；(c)向衬底供给被赋予第2能量的第2成膜剂从而在第1膜上形成第2膜；(d)向衬底供给蚀刻剂从而将在第1表面上形成的包含第1膜及第2膜中的至少任一者的膜除去；(e)向衬底供给第2改性剂从而在除去了膜后的第1表面形成第2抑制剂层；和(f)向衬底供给被赋予第3能量的第3成膜剂从而在第2膜上形成第3膜。

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【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理系统及记录介质。

技术介绍

1、作为半导体器件的制造工序的一个工序，有时进行在衬底的表面露出的材质不同的多种表面之中在特定表面上选择性地生长并形成膜的处理(以下，也将该处理称为选择生长或选择成膜)(例如参见专利文献1～3)。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2021-106242号公报

5、专利文献2：日本特开2020-155452号公报

6、专利文献3：日本特开2020-155607号公报

技术实现思路

1、专利技术所要解决的课题

2、伴随着半导体器件的微细化，在进行选择生长时，强烈要求以高精度选择性地形成膜。

3、本专利技术提供能够以高精度在所期望的表面上选择性地形成膜的技术。

4、用于解决课题的手段

5、根据本专利技术的一个方式，提供一种技术，其包括：

6、(a)通过向具有第1表面和第2表面的衬底供给与前述第1表面反应的第1改性剂，从而在前述第1表面形成第1抑制剂层的工序；

7、(b)通过向前述衬底供给至少对第1成膜剂的一部分赋予了第1能量的该第1成膜剂，从而在前述第2表面上形成第1膜的工序；

8、(c)通过向前述衬底供给至少对第2成膜剂的一部分赋予了第2能量的该第2成膜剂，从而于在前述第2表面上形成的前述第1膜上形成第2膜的工序；

9、(d

10、(e)通过向前述衬底供给与前述第1表面反应的第2改性剂，从而在除去了前述膜后的前述第1表面形成第2抑制剂层的工序；和

11、(f)通过向前述衬底供给至少对第3成膜剂的一部分赋予了第3能量的该第3成膜剂，从而于在前述第2表面上形成的前述第1膜上的前述第2膜上形成第3膜的工序。

12、专利技术效果

13、根据本专利技术，能够以高精度在所期望的表面上选择性地形成膜。

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【技术保护点】

1.衬底处理方法，其具有：

2.如权利要求1所述的衬底处理方法，其中，

3.如权利要求2所述的衬底处理方法，其中，所述第2原料的分子结构与所述第1原料不同。

4.如权利要求3所述的衬底处理方法，其中，所述第2原料的热分解温度低于所述第1原料的热分解温度。

5.如权利要求3所述的衬底处理方法，其中，所述第1膜及所述第2膜的各自包含原子X，所述第1原料不含所述原子X彼此的化学键，所述第2原料含有所述原子X彼此的化学键。

6.如权利要求2所述的衬底处理方法，其中，所述第2原料的分子结构与所述第1原料相同。

7.如权利要求2所述的衬底处理方法，其中，

8.如权利要求2所述的衬底处理方法，其中，

9.如权利要求1～8中任一项所述的衬底处理方法，其中，在进行(b)后、进行(c)前，还具有通过向所述衬底供给蚀刻剂从而将在所述第1表面上形成的所述第1膜除去的工序。

10.如权利要求1～8中任一项所述的衬底处理方法，其中，所述第2能量为所述第1能量以上的能量、或者为比所述第1能量高的能量。</p>

11.如权利要求1～8中任一项所述的衬底处理方法，其中，所述第3能量为所述第2能量以下的能量、或者为比所述第2能量低的能量。

12.如权利要求1～8中任一项所述的衬底处理方法，其中，在第1温度下进行(b)，在所述第1温度以上的第2温度下、或比所述第1温度高的第2温度下进行(c)。

13.如权利要求1～8中任一项所述的衬底处理方法，其中，在第1温度下进行(b)，在第2温度下进行进行(c)，在所述第2温度以下的第3温度下、或比所述第2温度低的第3温度下进行(f)。

14.如权利要求1～8中任一项所述的衬底处理方法，其中，所述第2膜的材质与所述第1膜相同，所述第3膜的材质与所述第1膜及所述第2膜不同。

15.如权利要求1～8中任一项所述的衬底处理方法，其中，所述第2膜的耐氧化性为所述第1膜的耐氧化性以上、或者比所述第1膜的耐氧化性高。

16.如权利要求1～8中任一项所述的衬底处理方法，其中，所述第1膜及所述第2膜为氮化膜，所述第3膜为氧化膜。

17.如权利要求1～8中任一项所述的衬底处理方法，其中，所述第1表面为含氧膜的表面，所述第2表面为非含氧膜的表面。

18.如权利要求17所述的衬底处理方法，其中，所述含氧膜为氧化膜，所述非含氧膜为氮化膜。

19.半导体器件的制造方法，所述制造方法具有：

20.衬底处理系统，其具有第1处理部、第2处理部和第3处理部，

21.计算机可读取的记录介质，其记录有利用计算机使衬底处理系统执行下述步骤的程序：

...

【技术特征摘要】

1.衬底处理方法，其具有：

2.如权利要求1所述的衬底处理方法，其中，

3.如权利要求2所述的衬底处理方法，其中，所述第2原料的分子结构与所述第1原料不同。

4.如权利要求3所述的衬底处理方法，其中，所述第2原料的热分解温度低于所述第1原料的热分解温度。

5.如权利要求3所述的衬底处理方法，其中，所述第1膜及所述第2膜的各自包含原子x，所述第1原料不含所述原子x彼此的化学键，所述第2原料含有所述原子x彼此的化学键。

6.如权利要求2所述的衬底处理方法，其中，所述第2原料的分子结构与所述第1原料相同。

7.如权利要求2所述的衬底处理方法，其中，

8.如权利要求2所述的衬底处理方法，其中，

10.如权利要求1～8中任一项所述的衬底处理方法，其中，所述第2能量为所述第1能量以上的能量、或者为比所述第1能量高的能量。

11.如权利要求1～8中任一项所述的衬底处理方法，其中，所述第3能量为所述第2能量以下的能量、或者为比所述第2能量低的能量。

12.如权利要求1～8中任一项所述的衬底处理...

【专利技术属性】
技术研发人员：中谷公彦，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：

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