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本申请涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理系统及记录介质。能以高精度在所期望的表面上选择性地形成膜。具有下述工序：(a)向具有第1表面和第2表面的衬底供给第1改性剂从而在第1表面形成第1抑制剂层；(b)向衬底供给被赋予第1能量的...
该专利属于株式会社国际电气所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社国际电气授权不得商用。

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