薄膜晶体管、薄膜晶体管的制造方法以及像素结构技术

薄膜晶体管、薄膜晶体管的制造方法以及像素结构。本发明专利技术有关于一种薄膜晶体管的制造方法，此方法包括提供基板，其中基板上已经形成有栅极、绝缘层以及通道层。在基板上形成导电层以覆盖通道层以及绝缘层。在导电层上形成光阻层。在光阻层上方设置光掩膜，光掩膜具有数据线图案、源极图案以及漏极图案，源极图案与漏极图案之间相距第一宽度（Ｗ１），数据线图案具有第二宽度（Ｗ２），其中第一宽度（Ｗ）１与第二宽度（Ｗ２）满足当Ｗ１－１（ｕｍ），则Ｗ２＋ａ（ｕｍ），其中０．３＜ａ＜０．７。利用光掩膜进行曝光程序及显影程序以图案化该光阻层。以光阻层为蚀刻掩膜图案化导电层以形成源极、漏极以及数据线。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种薄膜晶体管、薄膜晶体管的制造方法以及像素结构。
技术介绍
随着显示科技的日益进步，人们借着显示器的辅助可使生活更加便利，为求显示 器轻、薄的特性，促使平面显示器(flat panel display, FPD)成为目前的主流。在诸多平 面显示器中，液晶显示器(liquid crystal display, IXD)具有高空间利用效率、低消耗功 率、无辐射以及低电磁干扰等优越特性，因此，液晶显示器深受消费者欢迎。在显示器中被 大量使用到的薄膜晶体管，其结构设计会直接影响到产品的性能。一般来说，薄膜晶体管至 少具有栅极、源极、漏极以及通道层等构件，其中可通过控制栅极的电压来改变信道层的导 电性，以使源极与漏极之间形成导通(开)或绝缘(关)的状态。图1是传统薄膜晶体管的俯视示意图。请参照图1，一般薄膜晶体管具有栅极G、 位于栅极G上方的信道CH以及位于信道CH上方的源极S与漏极D。在此薄膜晶体管中，漏 极D是从源极S延伸出。从图1可看出，位于通道CH/栅极G上方的漏极D (如标号10所示 之处)的线宽与延伸至通道CH之外的漏极D(如标号20所示之处)的线宽不相同。这主 要是因为在薄膜晶体管的制造过程中，膜层的高低起伏会影响曝光程序中光阻图案的临界 尺寸(critical dimension，⑶)值。换言之，即使光掩膜的设计为组件图案线宽皆一致，但 是如果光阻层的下方膜层高度不同而使光阻厚度有所不同的话，将会使光阻层在曝光程序 中受到曝光的强度不同。如此，将可能使得图案化之后的光阻图案的CD值与原设计不同。 因而造成如图1所示的漏极D线宽不同的问题。一般来说，倘若光阻图案的⑶值过大，容易导致所形成的组件有干扰 (cross-talk)的问题。倘若光阻图案的⑶值过小，容易导致所形成的组件有阻值过大、断 线或者是短路的问题。因此，如何改善薄膜晶体管的制造过程中的CD值的均勻度将成为研 发的重点之一。
技术实现思路
本专利技术提供一种薄膜晶体管的制造方法，其可以改善薄膜晶体管的制造过程中的 CD值的均勻度。本专利技术提供一种薄膜晶体管以及具有此薄膜晶体管的像素结构，其结构的设计可 以防止薄膜晶体管的构件之间容易产生短路的问题。本专利技术提出一种薄膜晶体管的制造方法，此方法包括提供基板，其中基板上已经 形成有栅极、绝缘层以及通道层。在基板上形成导电层以覆盖通道层以及绝缘层。在导电 层上形成光阻层。在光阻层上方设置光掩膜，光掩膜具有数据线图案、源极图案以及漏极图 案，源极图案与漏极图案之间相距第一宽度(Wl)，数据线图案具有第二宽度(W2)，其中第 一宽度(Wl)与第二宽度(W2)满足当Wl-l(um)，则W2+a(um)，其中0. 3<a<0. 7。利用光 掩膜进行曝光程序及显影程序以图案化该光阻层。以光阻层为蚀刻掩膜图案化导电层以形5成源极、漏极以及数据线。所述的薄膜晶体管的制造方法，其中，该光阻层在对应该光掩膜的数据线图案之 处的厚度大于该光阻层在对应该光掩膜的源极图案与漏极图案之处的厚度。所述的薄膜晶体管的制造方法，其中，该光阻层在对应该光掩膜的数据线图案之 处的厚度与该光阻层在对应该光掩膜的源极图案与漏极图案之处的厚度相差4900 6200埃。所述的薄膜晶体管的制造方法，其中，该曝光程序的能量约为23 26mj/cm2。本专利技术提出一种薄膜晶体管，其与扫描线电性连接。此薄膜晶体管包括栅极、通道 层以及源极与漏极。源极与漏极自扫描线处往扫描线的外部延伸。源极与漏极在对应通道 层的上方具有第一距离，源极与漏极在对应扫描线上方具有第二距离，且第二距离大于第 一距离以使源极与漏极各自具有一转弯部。源极与漏极的转弯部与扫描线重叠0 lum。所述的薄膜晶体管，其中，该源极与该漏极的转弯部与该扫描线重叠0 0. 5um。所述的薄膜晶体管，其中，该源极与该漏极的转弯部的延伸方向与该扫描线的延 伸方向之间有一锐角夹角(α)。所述的薄膜晶体管，其中，0° < α彡45°。本专利技术提出一种薄膜晶体管，其与扫描线电性连接。此薄膜晶体管包括栅极、通道 层以及源极与漏极。源极与漏极自扫描线处往扫描线的外部延伸。源极与漏极在对应通道 层的上方具有第一距离，源极与漏极在对应扫描线上方具有第二距离，且第二距离大于第 一距离以使源极与漏极各自具有转弯部。源极与漏极的转弯部的延伸方向与扫描线的延伸 方向之间有锐角夹角(α)。所述的薄膜晶体管，其中，0° < α彡45°。本专利技术提出一种像素结构，其包括数据线、第一扫描线、第一薄膜晶体管以及第二 薄膜晶体管、第二扫描线、第三薄膜晶体管、主像素电极以及次像素电极。第一扫描线不平 行于数据线设置。第一薄膜晶体管以及第二薄膜晶体管设置在第一扫描线上，且第一薄膜 晶体管以及第二薄膜晶体管与第一扫描线以及数据线电性连接。第一薄膜晶体管具有第一 栅极、一第一通道层、第一源极与第一漏极。第二薄膜晶体管具有第二栅极、一第二通道层、 第二源极与第二漏极。第一源极与数据线电性连接，第二漏极与第一源极连接。第二扫描 线与第一扫描线平行设置。第三薄膜晶体管设置在第二扫描线上且与第二扫描线电性连 接。第三薄膜晶体管具有第三栅极、第三通道层以及第三源极与第三漏极，第三源极与第二 源极连接。主像素电极与第一薄膜晶体管的第一漏极电性连接。次像素电极与第三薄膜晶 体管的第三源极电性连接。特别是，第三源极与第三漏极自第二扫描线处往第二扫描线的 外部延伸。第三源极与第三漏极在对应第三通道层的上方具有第一距离，第三源极与第三 漏极在对应第二扫描线上方具有第二距离，且第二距离大于第一距离以使第三源极与第三 漏极各自具有转弯部。第三源极与第三漏极的转弯部与第二扫描线重叠0 lum。所述的像素结构，其中，该第三源极与该第三漏极的转弯部与该第二扫描线重叠 0 0. 5um。所述的像素结构，其中，该第三源极与该第三漏极的转弯部的延伸方向与该第二 扫描线的延伸方向之间有一锐角夹角(α)。所述的像素结构，其中，0° < α彡45°。6本专利技术提出一种像素结构，其包括数据线、第一扫描线、第一薄膜晶体管以及第二 薄膜晶体管、第二扫描线、第三薄膜晶体管、主像素电极以及次像素电极。第一扫描线不平 行于数据线设置。第一薄膜晶体管以及第二薄膜晶体管设置在第一扫描线上，且第一薄膜 晶体管以及第二薄膜晶体管与第一扫描线以及数据线电性连接。第一薄膜晶体管具有第一 栅极、一第一通道层、第一源极与第一漏极。第二薄膜晶体管具有第二栅极、一第二通道层、 第二源极与第二漏极。第一源极与数据线电性连接，第二漏极与第一源极连接。第二扫描 线与第一扫描线平行设置。第三薄膜晶体管设置在第二扫描线上且与第二扫描线电性连 接。第三薄膜晶体管具有第三栅极、第三通道层以及第三源极与第三漏极，第三源极与第二 源极连接。主像素电极与第一薄膜晶体管的第一漏极电性连接。次像素电极与第三薄膜晶 体管的第三源极电性连接。特别是，第三源极与第三漏极自第二扫描线处往第二扫描线的 外部延伸。第三源极与第三漏极在对应第三通道层的上方具有第一距离，第三源极与第三 漏极在对应第二扫描线上方具有第二距离，且第二距离大于第一距离以使第三源极与第三 漏极各自具有转弯部。第三源极与第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括：提供一基板，该基板上已经形成有一栅极、一绝缘层以及一通道层；在该基板上形成一导电层，其覆盖该通道层以及该绝缘层；在该导电层上形成一光阻层；在该光阻层上方设置一光掩膜，该光掩膜具有一数据线图案、一源极图案以及一漏极图案，该源极图案与该漏极图案之间相距一第一宽度Ｗ１，该数据线图案具有一第二宽度Ｗ２，其中该第一宽度Ｗ１与该第二宽度Ｗ２满足：当Ｗ１－１（ｕｍ），则Ｗ２＋ａ（ｕｍ），其中０．３＜ａ＜０．７；利用该光掩膜进行一曝光程序及一显影程序，以图案化该光阻层；以及以该光阻层为蚀刻掩膜图案化该导电层，以形成一源极、一漏极以及一数据线。

【技术特征摘要】
一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括提供一基板，该基板上已经形成有一栅极、一绝缘层以及一通道层；在该基板上形成一导电层，其覆盖该通道层以及该绝缘层；在该导电层上形成一光阻层；在该光阻层上方设置一光掩膜，该光掩膜具有一数据线图案、一源极图案以及一漏极图案，该源极图案与该漏极图案之间相距一第一宽度W1，该数据线图案具有一第二宽度W2，其中该第一宽度W1与该第二宽度W2满足当W1 1(um)，则W2+a(um)，其中0.3＜a＜0.7；利用该光掩膜进行一曝光程序及一显影程序，以图案化该光阻层；以及以该光阻层为蚀刻掩膜图案化该导电层，以形成一源极、一漏极以及一数据线。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，该光阻层在对应该光 掩膜的数据线图案之处的厚度大于该光阻层在对应该光掩膜的源极图案与漏极图案之处 的厚度。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，该光阻层在对应该光 掩膜的数据线图案之处的厚度与该光阻层在对应该光掩膜的源极图案与漏极图案之处的 厚度相差4900 6200埃。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，该曝光程序的能量约 为 23 26mj/cm2。5.一种薄膜晶体管，其与一扫描线电性连接，其特征在于，该薄膜晶体管包括 一栅极、一通道层以及一源极与一漏极，其中该源极与该漏极自该扫描线处往该扫描线的外部延伸，该源极与该漏极在对应该 通道层的上方具有一第一距离，该源极与该漏极在对应该扫描线上方具有一第二距离，且 该第二距离大于该第一距离以使该源极与该漏极各自具有一转弯部，且 该源极与该漏极的转弯部与该扫描线重叠0 lum。6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，该源极与该漏极的转弯部与该扫 描线重叠0 0. 5um。7.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，该源极与该漏极的转弯部的延伸 方向与该扫描线的延伸方向之间有一锐角夹角α。8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，0°< α <45°。9.一种薄膜晶体管，其与一扫描线电性连接，其特征在于，该薄膜晶体管包括 一栅极、一通道层以及一源极与一漏极，其中该源极与该漏极自该扫描线处往该扫描线的外部延伸，该源极与该漏极在对应该 通道层的上方具有一第一距离，该源极与该漏极在对应该扫描线上方具有一第二距离，且 该第二距离大于该第一距离以使该源极与该漏极各自具有一转弯部，且该源极与该漏极的转弯部的延伸方向与该扫描线的延伸方向之间有一锐角夹角α。10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管，其特征在于，0°< α <45°。11.一种像素结构，其特征在于，包括 一数据线；一第一扫描线，其不平行于该数据线设置；一第一薄膜晶体管以及一第二薄膜晶体管，设置在该第一扫描线上，且与该第一扫描 线以及该数...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴皇君，曾贤楷，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]