【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种隧道磁电阻传感器及其使用的irmn合金薄膜。
技术介绍
1、信息化智能化的时代,微机电系统(mems)传感器作为获取信息的关键器件,对各种传感装置的微型化起着巨大的推动作用,已在太空卫星、运载火箭、航空航天、各种车辆、生物医学及消费电子产品等领域中得到了广泛的应用。据统计一辆汽车需要50至120颗mems磁传感器芯片,且汽车越高级,安全等级的要求越高,所需要的磁传感器芯片数量就越多。mems传感器芯片的设计、制造以及集成是产业中的重要环节。其中磁传感器占据了物联网各类智能传感器约10%的份额,从检测地磁场用于导航交通,到检测神经元活动产生的极微弱磁场用于医疗诊断,磁传感器的应用无处不在。广义地说,磁传感器就是把磁场、电流、应力应变、温度、光等外界因素引起敏感元件磁性能变化转换成电信号的器件。狭义地讲,磁传感器仅指磁场传感器,即将各种磁场及其变化的量转变成电信号输出的器件。利用磁传感器对目标物体产生的磁场信号进行探测和识别可对目标物体的物理特征、运动状态甚至电流传输状态进行确定。相对于如雷达、声纳等其它探测方法,磁特征探
...【技术保护点】
1.一种隧道磁电阻传感器使用的IrMn合金薄膜,其特征在于,所述的IrMn合金薄膜中的Ir与Mn的原子比在膜的厚度方向上是变化的。
2.如权利要求1所述的隧道磁电阻传感器使用的IrMn合金薄膜,其特征在于,所述的IrMn合金薄膜中的Ir与Mn的原子比在膜的厚度方向上的变化是连续的。
3.如权利要求2所述的隧道磁电阻传感器使用的IrMn合金薄膜,其特征在于,所述的IrMn合金薄膜中的Ir与Mn的原子比在膜的厚度方向上从10:90变化到40:60;或者从40:60变化到10:90。
4.如权利要求1所述的隧道磁电阻传感器使用的IrMn合
...【技术特征摘要】
1.一种隧道磁电阻传感器使用的irmn合金薄膜,其特征在于,所述的irmn合金薄膜中的ir与mn的原子比在膜的厚度方向上是变化的。
2.如权利要求1所述的隧道磁电阻传感器使用的irmn合金薄膜,其特征在于,所述的irmn合金薄膜中的ir与mn的原子比在膜的厚度方向上的变化是连续的。
3.如权利要求2所述的隧道磁电阻传感器使用的irmn合金薄膜,其特征在于,所述的irmn合金薄膜中的ir与mn的原子比在膜的厚度方向上从10:90变化到40:60;或者从40:60变化到10:90。
4.如权利要求1所述的隧道磁电阻传感器使用的irmn合金薄膜,其特征在于,所述的irmn合金薄膜在膜的厚度方向上是厚度范围为0.1nm至2nm的、具有不同的ir与mn的原子比的irmn精细膜的堆叠,所述的irmn精细膜的不同的ir与mn的原子比的范围为10:90至40:60。
5.如权利要求4所述的隧道磁电阻传感器使用的irmn合金薄膜,其特征在于,所述的irmn合金薄膜包括交替堆叠的至少2种以上具有不同的ir与mn的原子比的所述的irmn精细膜。
6.如权利要求4所述的隧道磁电阻传感器使用的irmn合金薄膜,其特征在于,所述的irmn合金薄膜包括交替堆叠的2种不同的ir与mn的原子比的所述的irmn精细膜,分别为ir与mn的原子比为18:82,以及ir与mn的原子比为25:75;并且所述的irmn精细膜共计14层,每层厚度为0.5nm。
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【专利技术属性】
技术研发人员:王者,宋秋明,刘星,张文伟,贾原,田金鹏,陈宇龙,张智星,段天利,
申请(专利权)人:深圳技术大学,
类型:发明
国别省市:
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