反应烧结碳化硅陶瓷件的连接方法技术

反应烧结碳化硅陶瓷件的连接方法，它涉及一种结连接陶瓷件的方法。本发明专利技术解决了钎焊连接陶瓷件会在陶瓷与钎料之间形成热应力，影响陶瓷焊接件的稳定性，胶接方法中有机胶的耐高温性能较差的问题。本方法如下：用石膏板将碳化硅陶瓷件分瓣的待连接面所形成的空间包围，形成腔体，然后将用于制备碳化硅陶瓷的浆料填满腔体，干燥，再烧结，机械加工，得到碳化硅陶瓷件。将采用本发明专利技术方法连接后的碳化硅陶瓷件使用手持式显微镜观察对接面之间部分及边界部分，很难辨别基体与后形成的反应烧结碳化硅。连接部分具有与基体相近的断裂强度，用显微镜对连接部位进行观察后发现连接部分与基体部分之间结合非常紧密，没有发现缺陷。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种结连接陶瓷件的方法。
技术介绍
随着空间侦察要求的不断提高，反射镜的口径不断增大，从而带来一系列技术难 题。首先，反射镜的自重以口径的指数幂增加，反射镜的制备技术难度也随之不断提高；其 次，随着反射镜口径的增加，制备反射镜所需设备的体积也不断增加，在一定程度上增加了 制备成本；第三，反射镜口径的增加，传统方法制备的反射镜的成品率也随之降低，从而导 致制备成本升高。在目前的科研状况下，用于陶瓷件常用的方法主要有钎焊方法、无机胶粘结方法、 有机胶粘结方法等，其中钎焊方法最为常用。虽然钎焊方法具有工艺相对简单、操作温度低 等诸多优点，但是对于大尺寸陶瓷件来讲，其对结合面面型精度的要求非常高。例如欧洲航 天局的“赫歇尔”计划中所使用的焊接方法中，对面型的要求达到在ΙΟμπι左右。而根据我 们的实验结果，国内目前加工大面积陶瓷时，其面型精度一般在50 μ m左右，生成的焊缝并 不十分饱满，严重影响了产品的质量。另外，由于在生产实践中较难找到热膨胀系数与陶瓷十分相近的钎料，因此，当在 钎焊结束之后，会在陶瓷与钎料之间形成很大的热应力，严重影响陶瓷焊接件的稳定性。胶接方法虽然本文档来自技高网...

【技术保护点】
反应烧结碳化硅陶瓷件的连接方法，其特征在于反应烧结碳化硅陶瓷件的连接方法如下：一、将待连接的碳化硅陶瓷件分瓣水平置于石墨板上，并将碳化硅陶瓷件分瓣与石墨板间的空隙用橡皮泥填满，碳化硅陶瓷件分瓣的分割面间距为５ｍｍ或者碳化硅陶瓷件分瓣分割面的夹角为１２０度；二、用石膏板将碳化硅陶瓷件分瓣的待连接面所形成的空间包围，形成腔体，覆盖于碳化硅陶瓷件分瓣待连接面上的石膏板有浇注孔，然后将用于制备碳化硅陶瓷的浆料通过石膏板上的浇注孔填满碳化硅陶瓷件分瓣分割面间的腔体，然后在室温至４０℃的条件下干燥，去除石膏板，再用过量的硅粉将待连接面包裹；三、将石墨板及经过步骤二处理的碳化硅陶瓷件分瓣转移到烧结炉中，按反...

【技术特征摘要】
反应烧结碳化硅陶瓷件的连接方法，其特征在于反应烧结碳化硅陶瓷件的连接方法如下一、将待连接的碳化硅陶瓷件分瓣水平置于石墨板上，并将碳化硅陶瓷件分瓣与石墨板间的空隙用橡皮泥填满，碳化硅陶瓷件分瓣的分割面间距为5mm或者碳化硅陶瓷件分瓣分割面的夹角为120度；二、用石膏板将碳化硅陶瓷件分瓣的待连接面所形成的空间包围，形成腔体，覆盖于碳化硅陶瓷件分瓣待连接面上的石膏板有浇注孔，然后将用于制备碳化硅陶瓷的浆料通过石膏板上的浇注孔填满碳化硅陶瓷件分瓣分割面间的腔体，然后在室温至40℃的条件下干燥，去除石膏板，再用过量的硅粉将待连接面包裹；三、将石墨板及经过步骤二处理的碳化硅陶瓷件分瓣转移到烧结炉中，按反应烧结碳化硅素坯的烧结曲线进行烧结，烧结结束后，取出反应烧结碳化硅烧结体，机械加工，得到碳化硅陶瓷件。2.根据权利要求1所述反应烧结碳化硅陶瓷件的连接方法，其特征在于步骤二中所述 的干燥温度为38°C。3.根据权利要求1所述反应烧结碳化硅陶瓷...

【专利技术属性】
技术研发人员：张宇民，周玉锋，胡路阳，韩杰才，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学，
类型：发明
国别省市：93[中国|哈尔滨]